This paper presents the results of complex investigation of technological parameter influence (such as chamber pressure, substrate temperature, magnetron cathode power, and duration of isothermal annealing in the air) on specific resistance and transmission coefficient of oxide thin films SnO2 and In2O3-SnO2 (ITO), grown by reactive magnetron sputtering. Significant attention was paid to the transformation of defect subsystem after isothermal annealing in the air. Determined optimal technological regimes allowing to obtain reproducible high-quality thin films of tin, indium oxides with the following electrical and optical parameters: SnO2 - specific resistivity <$E rho~=~1,5~-~6,0~cdot~10 sup -4~OMEGA~cdot~roman cm>, optical transmission T = 90 - 95 % in transparency region; ITO - <$E rho~=~4,0~-~6,0~cdot~10 sup -4~OMEGA~cdot~roman cm>, T = 90 - 95 %.

Ключ. слова: thin film, SnO_2, ITO, magnetron sputtering, optical transmission
Індекс рубрикатора НБУВ: З861-03

Рубрики:

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"