Изучено влияние режимов ионной имплантации и постимплантационных термообработок на структурные и оптические свойства кремниевой матрицы ионно-синтезированными нанокластерами InAs и GaSb. Показано, что введением геттера, а также изменением температуры подложки и флюенса ионов, температуры и длительности последующего отжига удается сформировать нанокластеры InAs и GaSb с размерами 2 - 80 нм и создать различную концентрацию и форму глубинных распределений вторичных дефектов структуры. Последний фактор обусловливает появление линий дислокационной люминесценции D1, D2 и D4 с энергией квантов 0,807, 0,87 и 0,997 эВ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.22 + З861-03

Рубрики:

Структура напівпровідників

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"