РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (37)Автореферати дисертацій (7)
Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 57
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p - n-junctions on GaP. — 2005 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
2.

Zhirko Yu. I. Excitons in layered p-gase crystals with two-dimension hole gas. — 2004 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
3.

Ptashchenko O. O. Surface current in GaAs p - n junctions, passivated by sulphur atoms. — 2009 // Фотоэлектроника.
4.

Rogozin I. V. Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride. — 2004 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
5.

Ptashchenko O. O. Tunnel surface current in GaAs - AlGaAs p - n junctions, due to ammonia molecules adsorption. — 2009 // Фотоэлектроника.
6.

Каримов А. В. Арсенид-галлиевые <$Ebold {p sup + ~-~n~-~p sup + }>-структуры с обедняемой базовой областью. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
7.

Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами <$Eroman bold {HNO sub 3~-~HHal}>-органічна кислота : Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01. — Л., 2006
8.

Рогозін І. В. Власно-дефектна та домішкова люмінесценція нітриду галію. — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
9.

Миленин В. В. Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs. — 2006 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
10.

Завадский В. А. Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
11.

Горев Н. Б. Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных структурах GaAs для функциональных элементов систем управления и связи. — 2009 // Техн. механика.
12.

Венгер Є. Ф. Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs // Доп. НАН України. - 2007. - № 7.
13.

Штанько О. Д. Вплив дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах : автореф. дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.07. — Чернівці, 2009
14.

Конорева О. В. Вплив дефектів структури на оптичне поглинання у фосфіді галію. — 2009 // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Приладобудування.
15.

Сєліверстова С. Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06. — Херсон, 2000
16.

Куликов К. В. Высокочастотные параметры нитрида галлия. — 2008 // Техника и приборы СВЧ.
17.

Власкина С. И. Высокоэффективные солнечные элементы на основе арсенида галлия. — 2005 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
18.

Ковалюк З. Д. Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
19.

Камінський В. М. Електричні властивості кристалів InSe<> // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - 19, № 2.
20.

Янчук О. І. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — Чернівці, 2004
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського