РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Книжкові видання та компакт-диски (241)
Журнали та продовжувані видання (4)
Автореферати дисертацій (45)
Пошуковий запит:
(<.>U=В379.222$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
624
Представлено документи
з 1 до 20
...
1.
Prudnikov A.
Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions
. — 2001 //
Физика и техника высоких давлений
.
2.
Grigorchuk N. I.
Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
. — 1999 //
Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка
.
3.
Kashirina N. I.
Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit
. — 1998 //
Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка
.
4.
Гутніченко О. А.
Визначення критичної концентрації провідної фази в зернистих гетерогенних системах
. — 1999 //
Вісн. Житомир. інж.-технол. ін-ту. Техн. науки
.
5.
Бончик О. Ю.
Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію
. — 2000 //
Фіз.-хім. механіка матеріалів
.
6.
Глинчук К. Д.
Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
7.
Макара В. А.
Лазерное управление процессами подвижности дислокаций в кристаллах кремния
. — 2000 //
Металлофизика и новейшие технологии
.
8.
Раранский Н. Д.
Маятниковые полосы в искаженных кристаллах
. — 2000 //
Металлофизика и новейшие технологии
.
9.
Таланін В. І.
Механізм утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію
. — 2001 //
Укр. фіз. журн
.
10.
Величко О. И.
Моделирование нелинейных процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах
. — 2000 //
Электрон. моделирование
.
11.
Манжара В. С.
Оптичні та електричні властивості монокристалів сульфіду кадмію, опромінених електронами
. — 1999 //
Укр. фіз. журн
.
12.
Прокопьев Е. П.
Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния
. — 2000 //
Укр. фіз. журн
.
13.
Глинчук К. Д.
Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия
. — 1999 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
14.
Куцова В. З.
Температурная зависимость относительного удлинения монокристаллического кремния, легированного металлами
. — 1999 //
Металлург. и горноруд. пром-сть
.
15.
Корець М. С.
Технологічні неоднорідності монокристалів дифосфіду кадмію
. — 1999 //
Укр. фіз. журн
.
16.
Таланін В. І.
Трансформація мікродефектів у процесі технологічних впливів
. — 2001 //
Укр. фіз. журн
.
17.
Indutnyi I. Z.
Relaxation of photodarkening in SiO - As
2
(S,Se)
3
composite layers
. — 1999 //
Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка
.
18.
Serdega B. K
Thermoelasticity in Ge due to nonuniform distribution of doping impurity studied by light polarization modulation technique
. — 1999 //
Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка
.
19.
Филь Д. В.
Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs - GaAs - AlGaAs
. — 1999 //
Физика низ. температур
.
20.
Тарбаєв М. І.
Визначення щільності сходинок на гвинтових дислокаціях у напівпровідниках A
2
B
6
з вимірювань оптичного поглинання
. — 1999 //
Укр. фіз. журн
.
...
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського