На основі вимірювань оптичного поглинання зроблено кількісну оцінку лінійної щільності сходинок на гвинтових дислокаціях у гратці напівпровідникового кристала, які, рухаючись за умов низьких температур (T < 77 K), утворюють низки точкових дефектів з регулярною одновимірною структурою.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"