Розглянуто взаємодію двошарової електронної системи в гетероструктурі AlGaAs - GaAs - AlGaAs з неоднорідними пружними модами, локалізованими в шарі GaAs. Для хвиль з хвильовим вектором, спрямованим уздовж осі [110], та вектором поляризації, що лежить у площині (110^-), розраховано залежність константи взаємодії від співвідношення між товщиною шару GaAs та довжиною хвилі в системі з межами розподілу, паралельними площині (001). Показано, що константа взаємодії досягає максимуму на довжині хвилі порядку товщини шару GaAs. Знайдено перенормування швидкості пружних хвиль у випадку, коли електронна система перебуває в режимі дробового квантового ефекту Хола. Показано, що для певних мод має місце якісна зміна залежності перенормування швидкості від хвильового вектора при переході електронної системи у стан, що відповідає хвильовій функції Гальперіна.

• Філь Дмитро Вячеславович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"