Пошуковий запит: (<.>U=В374.98$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 38
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Litovchenko N. M. About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3.
|
| 2. |
Redko R. A. Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by treatment of GaP in weak magnetic field // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2020. - 23, № 3.
|
| 3. |
Krukovskyi R. Dependence of the properties of GaAs (111)A and Ga1-xAlxAs (111)A epitaxial layers on the conditions of their growth by organometallic vapor phase epitaxy // Functional Materials. - 2020. - 27, № 3.
|
| 4. |
Strelchuk V. V. High-efficient up-conversion of photoluminescence in CdSe quantum dots grown in ZnSe matrix // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4.
|
| 5. |
Grinberg M. Influence of high hydrostatic pressure on energetic structure and electron-lattice coupling of transition metal and rare earth related centers in solids // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2.
|
| 6. |
Kovalenko V. F. Low-temperature luminescence of semi-insulating undoped gallium arsenide at high excitation levels // Functional Materials. - 2000. - 7, № 4.
|
| 7. |
Mironova-Ulmane N. Low-temperature studies of Cr3+ ions in natural and neutron-irradiated Mg-Al spinel // Фізика низ. температур. - 2020. - 46, N 12 (спец. вип.).
|
| 8. |
Dubovik M. F. Luminescence and radiation-induced defects in Li2B4 O7 : Eu single crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
| 9. |
Sakun V. P. Luminescence kinetics of alkali halide crystals doped with nitrite anions // Functional Materials. - 2006. - 13, № 1.
|
| 10. |
Mahdjoub A. Photoluminescence characterization of Al/Al2O3/InP MIS structures passivated by anodic oxidation. — 2005 // Укр. фіз. журн.
|
| 11. |
Mahdjoub A. Photoluminescence characterization of Al/Al2O3/InP MIS structures passivated by anodic oxidation // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4.
|
| 12. |
Whang J. H. Photoluminescence of lithium borate glasses doped by lanthanides // Functional Materials. - 2002. - 9, № 4.
|
| 13. |
Filevskaya L. N. Photoluminescence of tin dioxide thin films, obtained with the use of polymers. — 2005 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
|
| 14. |
Kashuba A. I. Photoluminescence of Tl4HgI6 single crystals // Фізика низ. температур. - 2020. - 46, № 10.
|
| 15. |
Kuzmenko A. P. The photoluminescence properties of ablated ZrO2 nanoparticles // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 3.
|
| 16. |
Yakovlev V. Time-resolved luminescence spectroscopy study of CsI:Eu crystal // Functional Materials. - 2013. - 20, № 4.
|
| 17. |
Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 18. |
Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 19. |
Авдеенко А. Влияние механических напряжений и температуры на фотолюминесценцию фуллерита C60 в низкотемпературной фазе. — 2004 // Физика низ. температур.
|
| 20. |
Марончук И. Е. Влияние обработки поверхности пористого кремния на его фотолюминесценцию. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
