Наведено результати вивчення довготривалих змін інтенсивності смуг фотолюмінесценції та поверхневої морфології фосфіду галію, спричинених обробкою в слабких магнітних полях. Запропоновано нетепловий механізм, що базується на ідеї перетворення дефектів внаслідок випадкових подій, пов'язаних з модифікацією дефектів підсистеми. Оцінено потужність випромінювання електромагнітних хвиль, збуджених рухом електронів у досліджуваному напівпровіднику. Розраховано емпіричні параметри для довготривалої трансформації інтенсивності фотолюмінесценції та коефіцієнти дифузії для дефектів, які з'являються.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"