Проведено вивчення епітаксійних шарів GaAs (111)A та Ga1-xAlxAs (111)A, використовуючи низькотемпературну фотолюмінесценцію і високороздільну рентгенівську дифракцію. Детально обговорено кореляцію між співвідношенням B<^>V/A<^>III та інтенсивністю фотолюмінесценції для шарів n-GaAs:Si, приготовлених шляхом осадження металоорганічних сполук з газової фази на напівізольовану підкладку GaAs (111)А. Для епітаксійного шару, одержаного за співвідношення B<^>V/A<^>III рівному 94, встановлено розділення піку, притаманного вільному екситону, від суцільної широкої прикраєвої смуги та більш високу рухливість носіїв заряду. Вимірювання високороздільною рентгенівською дифракцією двошарової гетероструктури n-GaAs:Si/p-Ga1-xAlxAs:Zn, сформованої на підкладці p-GaAs (111)A, вказують на кристалізацію структурно досконалих епітаксійних гетероструктур з дзеркальною морфологією поверхні.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"