Показано, что обработка поверхности пористого кремния (ПК) в концентрированных кислотах (H₂SO₄, HNO₃, H₃PO₄) приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции (ФЛ), а в концентрированной HСl и растворах хлоридов металлов, кроме того, к сдвигу максимума ФЛ в коротковолновую область. Интенсивность фотолюминесценции ПК, обработанного при 1000 °С в течение 5 - 10 с в вакууме 5 умножить на 10^-4 Па и меньше, увеличивается в несколько раз. Это обусловлено низким уровнем безызлучательной рекомбинации в нанокристаллитах в связи с формированием тонкого слоя оксида кремния на их поверхности.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"