РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (6)Наукова періодика України (14)
Пошуковий запит: (<.>A=Венгер Е$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Венгер Е. Ф. Исследование термоупругого двулучепреломления в твердых телах с применением модуляции поляризации. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
2.

Венгер Е. Ф. Влияние отжига на электронные свойства реальной и сульфидированной поверхностей арсенида галлия. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
3.

Венгер Е. Ф. Пространственное распределение полей поверхностных поляритонов в системе окись цинка - сапфир. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
4.

Ширшов Ю. М. Биосенсор на основе планарного поляризационного волновода. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
5.

Венгер Е. Ф. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs. — К., 1999
6.

Венгер Е. Ф. Влияние слоя оксида цинка на дисперсию и пространственное распределение полей поверхностных поляритонов сапфира в системе ZnO/Al2O3. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
7.

Венгер Е. Ф. Численное моделирование влияния толщины покровного слоя и адсорбции молекул на угол распространения в планарном поляризационном интерферометре. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
8.

Венгер Е. Ф. Электронные свойства покрытой пленками CaF2 - SiO2 поверхности германия. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
9.

Ширшов Ю. М. Оптимизация конструкции планарно-поляризационного интерферометра. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
10.

Васин А. В. Влияние остаточной атмосферы на формирование структуры пленок a-SiC при осаждении с помощью магнетронного распыления. — 1999 // Сверхтвердые материалы.
11.

Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
12.

Бушок Г. Ф. Методика преподавания общей физики в высшей школе. — К., 2000
13.

Булах Б. М. Дослідження фоточутливих структур поруватий кремній/монокремній методом температурних залежностей фото-едс. — 2000 // Укр. фіз. журн.
14.

Костюкевич С. А. Исследование процесса мастеринга компакт-дисков на неорганических фоторезистах. — 2001 // Реєстрація, зберігання і оброб. даних.
15.

Венгер Е. Ф. Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
16.

Корбутяк Д. В. Детекторы <$E bold X >- и <$E bold gamma >-излучений на основе монокристаллов CdTe и CdZnTe (Обзор). — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
17.

Венгер Е. Ф. УФ-сенсор, "слепой" к видимому свету // Доп. НАН України. - 2002. - № 2.
18.

Венгер Е. Ф. Электронные состояния на границе раздела Si - SiO2: (обзор). — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
19.

Венгер Е. Ф. Сингулярні поверхневі поляритони монокристалів ZnO. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
20.

Примаченко В. Е. Электрофизические свойства границ раздела пленка пористого (нанокристаллического) кремния/монокремний. — 2004 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського