Методами температурных и электрополевых зависимостей поверхностной фотоЭДС исследованы электронные свойства реальной и сульфидированной поверхностей (100) n-GaAs до и после отжигов при 350 °С в потоке гелия. Показано, что система поверхностных электронных состояний (ПЭС), перестраивающаяся на реальной поверхности при понижении температуры в диапазоне 300-100 К, становится после отжига стабильной. Отжиги реальной и сульфидированной поверхностей увеличивают плотность ПЭС, находящихся на границах раздела GaAs-поверхностная пленка, а также ПЭС, находящихся в оксидной или сульфидной пленках и на их внешней границе. Отжиги несколько перестраивают спектр ловушек, захватывающих неравновесные дырки.

• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"