Методом температурных зависимостей фотоэдс исследовано изменение электронных свойств границы раздела пленка нанокристаллического кремния - кремний (nc-Si / p-Si) при старении данных структур на воздухе. Показано, что при старении граничный потенциал <$E phi sub s~p- roman Si > постепенно уменьшается, в результате чего обедненная дырками приповерхностная область p-Si становится обогащенной ими. Рассчитаны распределения по энергии граничных электронных состояний p-Si и их изменения при старении. Обнаружена и исследована фотопамять <$E phi sub s >, связанная с захватом электронов на граничные ловушки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Венгер Євген Федорович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Свєчніков Сергій Васильович (1926–2017) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"