Получены компактные инвариантные соотношения рекуррентного типа для последовательного расчета диады импеданса параллельных слоев из одноосного однородного магнитодиэлектрика. Предложенные формулы, образующие основу быстродействующего алгоритма для расчетов на ЭВМ, проиллюстрированы путем расчета коэффициентов отражения плоской волны от плавнонеоднородной анизотропной пластины.

Описано метод визначення товщин надтонких шарів методом синтезу Є-імпульсу, який забезпечує більш високі характеристики, ніж метод квазірозв'язку. Наведено результати реального експерименту.

Розглядається метод оптимізації складних багатоекстремумних функцій від багатьох змінних, що задовольняють ряду умов, зі спеціальним пошуком початкових наближень та застосування цього методу до синтезу фазоізотропних багатошарових діелектричних покриттів з заданими властивостями.

Досліджено вплив надтонких діелектричних покриттів на електростатичну активність неселективної поверхні діелектриків. Запропоновано теоретичний метод оцінки електростатичної активності шаруватих діелектричних структур. Запропонований підхід дозволяє розрахувати електростатичну активність діелектричної (напівпровідникової) поверхні з різними товщинами діелектричних покриттів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова:
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.32

Рубрики:

< Структура діелектриків >

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.325 + Г582

Рубрики:

Поверхневі явища в діелектриках

Поверхневі шари та їх властивості

Шифр НБУВ: Ж14738 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + В379.32

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

< Структура діелектриків >

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі феноменологічної теорії та макроскопічних властивостей викладено суть фізики кристалічних діелектриків (сегнетоелектриків і сегнетоеластиків) з неспівмірно модульованою структурою. Нетривіальні фазові переходи та відповідні властивості пояснено введенням у вираз для вільної енергії градієнтних інваріантів, взаємодії фазових та амплітудних мод, дискретністю дробових значень хвильових векторів, що локалізуються в окремих точках зони Бріллюена.

На основании феноменологической теории и макроскопических свойств изложена сущность физики кристаллических диэлектриков (сегнетоэлектриков и сегнетоэластиков) с несоразмерно модулированной структурой. Нетривиальные фазовые переходы и соответствующие свойства разъясняются введением в выражение для свободной энергии градиентных инвариантов, взаимодействия фазовых и амплитудных мод, дискретностью дробных значений волновых векторов, локализирующихся в отдельных точках зоны Бриллюена.

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO2-Nd2O3, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Установлено, что данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использованы для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO2-Nd2O3.

The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO2-Nd2O3, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results ofexperiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HfO2-Nd2O3.Z

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327

Рубрики:

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.7 + В379.32

Рубрики:

< Структура діелектриків >

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Плазменная активация поверхности диэлектриков осуществляется импульсным высоковольтным ВЧ-разрядом при атмосферном давлении, создающим неравновесную плазму на обрабатываемой поверхности. Время процесса плазменной обработки находится в диапазоне от 0,01 до 0,1 секунд. Разработанное устройство генерирует газовый разряд типа длинной плазменной "струны" и позволяет проводить однородную и высокоэффективную обработку больших поверхностей. Обсуждены результаты тестов активации поверхности полимеров по краевому углу смачивания и химического анализа поверхности.

Представлены результаты экспериментального исследования угловых характеристик люминесценции кварца при облучении его ионами водорода и гелия. Изучено влияние различных параметров пучка бомбардирующих частиц на индикатрису излучения кварца. Показано, что индикатриса излучения необлученного кварца зависит от угла падения пучка на образец, сорта и энергии бомбардирующих ионов. Форма индикатрисы кварца в начале облучения зависела от величины поглощенной образцом дозы. При больших поглощенных дозах форма индикатрисы оставалась неизменной. Указано на возможность использования полученных результатов для дистанционного контроля за элементами конструкций термоядерных установок.

Ключ. слова: тонкие сегнетоэлектрические пленки, металлические электроды
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412 + В379.326 + В379.7

Рубрики:

Сегнетоелектрики

Тонкі шари діелектриків

Шифр НБУВ: Ж25208 Пошук видання у каталогах НБУВ