Принцип послаблення кореляції Боголюбова і відповідна ієрархія часів релаксації є основою розвитку формалізмів нерівноважних ансамблів. Досить перспективним є використання підходу, що застосовує максималізацію інформаційно-статистичної ентропії (MaxEnt-NESCOM). В рамках цього формалізму проаналізовано роль та ефективність принципу Боголюбова. Розглянуто випадок сильнозбудженої електронно-діркової плазми полярних напівпровідників. Показано, що можна виділити декілька кінетичних етапів згідно з теорією Боголюбова; їм відповідає послідовне скорочення опису макроскопічних станів.

Побудовано теорію розмірного квантування носіїв заряду в малому напівпровідниковому мікрокристалі за умов, коли поляризаційна взаємодія відіграє домінуючу роль. Досліджено спектр носіїв заряду в мікрокристалі та його залежність від радіуса мікрокристала, ефективної маси носіїв заряду, відносної діелектричної проникності. Показано, що виникнення об'ємних локальних станів залежно від розміру мікрокристала має пороговий характер.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.3

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.37

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.355

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.347

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено сучасні експериментальні методи дослідження поверхневих електронних станів, а також хімічного складу, кристалічної структури поверхневих шарів напівпровідників. Проаналізовано вплив поверхневих рівнів на висоту потенціального бар'єра в області контакту метал-напівпровідник.

Приведены современные экспериментаьные методы исследования поверхностных электронных состояний, а также химического состава, кристаллической структуры поверхностных слоев полупроводников. Проанализировано влияние поверхностных уровней на высоту потенциального барьера в области контакта металл-полупроводник.

Ключ. слова: ITO-glass system, optical and electric properties, semiconductor, electron emission
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.706.331.3 + К235.220.633.13 + В379.271.3

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.3

Рубрики:

Електронна емісія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив скандію на емісійні властивості матриці кремнієвих автоемітерів (КА) у надвисокому вакуумі. Показано, що присутність скандію помітно впливає як на абсолютне значення струму емісії, так і на його стабільність у часі, причому залежно від його кількості на поверхні вплив може бути як позитивним, так і негативним. Результати експериментальних досліджень свідчать про існування оптимальної кількості скандію на поверхні досліджуваного зразка. Останній у цьому випадку характеризується максимальною емісійною здатністю (ЕЗ) і високою стабільністю струму емісії. Зростання ЕЗ КА за присутності скандію пояснюється утворенням на їх поверхні складної хімічної сполуки, що сприяє зниженню загальної роботи виходу зразка.

Встановлено закономірності електрофізичних та адсорбційних явищ у кристалічних діелектриках і шаруватих структурах, що виникають у процесі поширення поверхневих акустичних хвиль (ПАХ) і розроблено на їх основі ефективні фізичні методи керування характеристиками акустоелектронних пристроїв (АЕП). Одержано нові дані електрофізичних параметрів і акустичних характеристик для хвиль Релея, їх температурні та частотні залежності ряду перспективних діелектриків, що можуть бути використані в акустоелектроніці. Запропоновано новий аналітичний метод аналізу впливу випадкових відхилень топології зустрічно-штирових перетворювачів (ЗШП) на характеристики АЕП на ПАХ. Виведено і досліджено вагову функцію для аподизації ЗШП.

  Скачати повний текст

Вивчено низку явищ, індукованих термічною та світловою діями на оптичні абсорбційні, люмінесцентні, фотоелектричні та електрофізичні властивості кристалів силіко- і германосиленітів, легованих іонами Al, Ga, Sn, перехідних металів груп Fe (Fe, Cu, Cr, Mn, V) та Pd (Mo, Ag), кристалів, які мають дефекти стехіометрії. Знайдено основні закономірності фото- та термохромного ефектів, термічної активації та гасіння фотопровідності, формування фото- та термоелектричних станів. Визначено параметри електрично й оптично активних дефектів. Ідентифіковано внески об'ємно-зарядової та квазідипольної поляризації. Виявлено процеси багатоцентрової рекомбінації. Одержані результати обговорено в межах концепції глибоких центрів з оцінкою електрон-фононної взаємодії під час електронних переходів і співвідношення енергій термічної та оптичної активації. Виконано моделювання процесів оптичного і термічного перезарядження глибоких центрів. Побудовано діаграми конфігураційних координат, які дозволили описати фотохромний ефект, домішкову фотопровідність та термостимульований струм. Відзначено, що кристали силенітів доцільно розглядати як широкозонні напівпровідники з сильною електрон-фононною взаємодією під час електронних переходів. Викладено окремі рекомендації для практичного застосування одержаних результатів у функціональній електроніці з метою розробки просторово-часових модуляторів світла, планарних мікрохвилеводів, запису голограм, електретних приладів.

Для з'ясування природи лінійно поляризованої люмінеcценції поруватого кремнію, яка збуджується лінійно поляризованим світлом, виконано експерименти зі збудження поляризаційно залежної фотолюмінесценції з розділенням за часом. Показано, що під час збудження люмінесценції квантами світла з енергією значно більшою, ніж у квантів випромінювання, цей ефект не пов'язаний з когерентною орієнтацією екситонів або селективним оптичним збудженням лише тих нанокристалів, дипольні моменти переходу яких орієнтовано паралельно вектору поляризації збуджуючого світла. Результати експериментів інтерпретовано в межах діелектричної моделі у припущенні асферичної форми нанокристалів.

Для выяснения природы линейно поляризованной люминесценции пористого кремния, возбуждаемой линейно поляризованным светом, выполнены эксперименты по возбуждению поляризационно зависимой фотолюминесценции с разрешением во времени. Показано, что при возбуждении люминесценции квантами света с энергией значительно большей, чем у квантов излучения, этот эффект не связан с когерентным выстраиванием экситонов или селективным оптическим возбуждением только тех нанокристаллов, чьи дипольные моменты перехода ориентированы параллельно вектору поляризации возбуждающего света. Результаты экспериментов интерпретируются в рамках диэлектрической модели в предположении асферической формы нанокристаллов.

Polarization dependent photoluminescence (PL), time-resolved PL and PL excitation experiments are performed in order to clarify the origin of the linear polarization of the PL of porous silicon excited by linear polarized light. It is shown that this effect, when PL is excited significantly above the detection energy, is not related to a coherent exciton alignment or selective optical excitation of those nanocrystals whose transition dipole moments are oriented parallel to the polarization vector of the exciting light. The experimental results are interpreted in the framework of a dielectric model assuming aspheric nanocrystals.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.3 + Г124.2

Рубрики:

Електронна емісія

Силіцій (кремній)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.34 + В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ