Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (15) | Книжкові видання та компакт-диски (107) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.251$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 211 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon = Граничні електронні властивості гетеропереходів на основі нанокристалічного кремнію / E. B. Kaganovich, S. I. Kirillova, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, S. V. Svechnikov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 11-14. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Для вивчення електронних властивостей гетеропереходів Si нанокристалічна (nc-Si) плівка / Si монокристал (c-Si) використано метод температурних залежностей поверхневої фото-ерс. Досліджено два типи зразків, одержаних лазерною абляцією c-Si мішені з осадженням nc-Si плівок на підкладки, віддалені від мішені, та на площину мішені. Розраховано температурні залежності концентрації носіїв заряду, захоплених на пастки межі поділу гетеропереходу, розподіл густини граничних електронних станів за енергією. З'ясовуються зв'язки між умовами одержання гетеропереходів та їх граничними електронними властивостями. Ключ. слова: silicon, nanocomposite, boundary electronic states, surface photovoltage Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока / П. А. Панчеха, О. Г. Алавердова, В. И. Гнидаш // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 1. - С. 75-80. - Библиогр.: 14 назв. - рус. Проаналізовано фактори, які визначають утворення дискретного набору переважних орієнтацій зерен у плівках CdTe. Доведено, що орієнтації зумовлено процесами подвоєння і періодичної зміни фаз сфалерит - вюрцит. Дані процеси є наслідком порушення послідовності пакування щільнопакованих площин (111) сфалериту та (0001) вюрциту під час росту кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра / И. Ф. Червоный // Пробл. спец. электрометаллургии. - 1999. - № 3. - С. 38-42. - Библиогр.: 6 назв. - рус. В процесі вирощування кремнію методом безтигельної зонної плавки використовуються різні види індукційних систем. Описано умови стійкого і відтворюваного процесу вирощування монокристалів кремнію у середовищі аргону. Розглянуто основні параметри, що характеризують процес індукційної безтигельної зонної плавки. Показано значний вплив форми та конструкції індуктора на відтворюваність вирощування монокристалів. Наведені найбільш оптимальні конструкції індукційних систем, що забезпечують відтворюваність вирощування у середовищі аргону монокристалів кремнію діаметром 100 мм і більше. Ключ. слова: индуктор, монокристалл, бестигельная зонная плавка, кремний, зона расплава Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + К345.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14257 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния / Н. П. Баран, Б. М. Булах, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, Г. Полисский, Т. В. Торчинская, Л. Ю. Хоменкова // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 3. - С. 394-398. - Библиогр.: 18 назв. - рус. Методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено процес зменшення інтенсивності ФЛ пористого кремнію при старінні. Підтверджено його зв'язок з десорбцією будь-якого об'єкту з поверхні пористого шару. Показано, що енергія активації набагато менше енергії зв'язків Si - Si та Si - H. Встановлено, що при десорбції утворюються два ЕПР-центри, які є поверхневими центрами кремнієвого окису. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ зумовлено не лише зростанням центрів безвипромінювальної рекомбінації, але і зменшенням концентрації центрів поглинання світла, яке збуджує люмінесценцію, та/або центрів випромінювання. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Боцула О. В. К расчету переходных процессов в компенсированном арсениде галлия в условиях высокочастотной доменной неустойчивости / О. В. Боцула // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна. - 2001. - № 513. - С. 58-61. - Библиогр.: 5 назв. - рус. Представлены результаты аналитических расчетов переходных процессов в арсениде галлия легированном хромом, обусловленные ударной ионизацией центров захвата в условиях возникновения высокочастотной неустойчивости тока. На основе теории стабильных доменов получено аналитическое выражение для временной зависимости концентрации носителей. Показано, что основной вклад в ударную ионизацию вносит область обогащенного слоя домена. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния / Ю. В. Трубицын // Металлургия. - Запорожье, 2000. - Вып. 3. - С. 40-45. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Запропоновано удосконалений метод безтигельної зонної плавки для одержання монокристалів силіцію напівпровідникової чистоти, що переважає традиційний спосіб за ефективністю та економічністю. Наведено результати його дослідно-промислових випробувань. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4 + К345.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж70153 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Савицький А. В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників : Навч. посіб. / А. В. Савицький; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці : Рута, 1999. - 102 c. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 я73-1 + З843.3 я73-1 + Г116.7 я73-1 Рубрики: Шифр НБУВ: ВА594782 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Avramenko S. F. Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method = Дослідження структурно-досконалих злитків SiC, вирощених сублімаційним методом / S. F. Avramenko, V. S. Kiselev, M. Ya. Valakh, V. G. Visotski // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 76-79. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского / Л. Г. Шепель // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 216-219. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbIsub2/sub на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbIsub2/sub - Сu / М. В. Сопінський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 78-85. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Джумаев Б. Р. Исследование процесса старения пористого кремния в различных средах / Б. Р. Джумаев // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 3. - С. 299-305. - Библиогр.: 19 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hgsub1 - ix/i; /subCdsub; ix/i; /subTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії / В. В. Тетьоркін, З. Ф. Івасів, Ф. Ф. Сизов // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 9. - С. 1128-1132. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Фита И. М. Переход полупроводник-сверхпроводник в NdBaCuO, управляемый внешним давлением через механизм кислородного упорядочения / И. М. Фита // Физика и техника высоких давлений. - 1999. - 9, № 2. - С. 14-20. - Библиогр.: 21 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Левицький Р. Р. Опис термодинамічних характеристик сегнетоелектрика $Eroman bold {CsH sub 2 PO sub 4 } на основі моделі де Жена. Наближення двочасткового кластера / Р. Р. Левицький, О. Р. Баран, Б. М. Лісний. - Л., 2007. - 34 c. - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ICMP-07-17U). - Бібліогр.: с. 31-34. - укp.
Шифр НБУВ: Р111793 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Сольский И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров / И. М. Сольский, Д. Ю. Сугак, В. М. Габа // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5. - С. 55-61. - Библиогр.: 28 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Gorecki Cz. Kinetics of phase transitions in semiconducting amorphous chalcogenides $Ebold { roman As sub x roman Se sub {100~-~x } } as studied by differential thermal analysis and exoelectron emission techniques = Вивчення кінетики фазових переходів у напівпровідникових халькогенідах $Ebold { roman As sub x roman Se sub {100~-~x } } за допомогою диференційного термічного аналізу та екзоелектронної емісії / Cz. Gorecki, T. Gorecki, A. Zurawska, R. Golovchak, S. Wacke // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 2. - С. 399-403. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Поляков П. И. Закономерности расположения критических линий и точек в изменениях фазовых переходов и свойств магнитных полупроводников / П. И. Поляков, С. С. Кучеренко // Физика и техника высоких давлений. - 2003. - 13, № 1. - С. 150-156. - Библиогр.: 13 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Мантыцкая О. С. Магнитная фазовая диаграмма манганитов $E bold {{roman Bi} sub 1-x {roman Sr} sub x roman MnO sub 3} / О. С. Мантыцкая, И. О. Троянчук, А. Н. Чобот, Г. Шимчак // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 3. - С. 295-303. - Библиогр.: 23 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Моллаев А. Ю. Явления переноса и фазовые превращения в диарсениде кадмия-олова при высоком давлении / А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, М. И. Даунов, Л. А. Сайпулаева // Физика и техника высоких давлений. - 2003. - 13, № 1. - С. 29-33. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Вальков В. И. Электронный механизм структурных фазовых переходов в арсениде марганца / В. И. Вальков, А. В. Головчан // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 9. - С. 945-957. - Библиогр.: 31 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського