Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>TJ=SEMICONDUCTOR PHYSICS, QUANTUM ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS - 1999 - Т. 2 - № 4<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 19 Представлено документи з 1 до 19 |
||||
| 1. | Goncharenko A. V. Conductivity of two-phase composite: an approach based on bounds / A. V. Goncharenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 46-50. - Бібліогр.: 26 назв. - англ. Використовуючи теорію про межі, запропоновано загальне представлення для ефективної провідності двофазного композита. Представлення містить два параметри, що залежать від топології композита і можуть бути визначені експериментально. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Dyadyusha A. G. Development of personal biodosimeter of UV radiation based on vitamin D photosynthesis in nematic liquid crystal matrix / A. G. Dyadyusha, I. A. Gvozdovsky, E. N. Salkova, I. P. Terenetskaya // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 91-94. - Бібліогр.: 11 назв. - англ. Запропоновано новий підхід до проблеми персонального УФ біодозиметру. За допомогою фоточутливої хіральної домішки стероїдних біомолекул (7-дегідрохолестерин (провітамін D3) або 7-ДГХ-бензоат) у нематичному рідкому кристалі (РК-805) індукується холестерична фаза. У залежності від часу УФ опромінювання спостерігається зміна оптичних характеристик РК матеріалу, яка викликана зміною закручуючої здатності хіральної домішки внаслідок її фотоперетворень. Індекс рубрикатора НБУВ: К781.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Sachenko A. V. Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si / A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 55-60. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Зроблені теоретичні розрахунки свідчать про те, що квантовий вихід міжзонної випромінювальної рекомбінації у високочистому кремнії, який характеризується надзвичайно низькою концентрацією глибоких домішок і власних дефектів, може перевищувати 10% за кімнатної температури, якщо поверхнева рекомбінація зведена до мінімуму. Проаналізовано залежності квантового виходу від інтенсивності і довжини хвилі збуджуючого монохроматичного світла, швидкості поверхневої рекомбінації і товщини кремнієвої пластини. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Anokhov S. P On problem of the rigorous diffraction quantitative description / S. P Anokhov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 66-69. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Представлено нові дані, що свідчать про неточність кирхгофівського опису процесу дифракції обмежених світлових пучків. Ряд відомих експериментальних фактів, що не мали в рамках цієї теорії однозначного тлумачення, досить просто пояснюється при переході до уявлень строгої теорії дифракції. Обговорюються труднощі, які заважають широкому використанню строгого підходу для вирішення практичних задач. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.4 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Belyaeva A. I. Optical constants of surface layer on gadolinium gallium garnet: ellipsometric study / A. I. Belyaeva, A. A. Galuza, T. G. Grebennik, V. P. Yuriev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 61-65. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Метод багатокутової еліпсометрії використано для вимірювань характеристик тонких шарів на підкладках. Цей метод дає змогу знайти фундаментальні оптичні постійні та товщину тонких шарів. Визначено діелектричні функції для поверхневих шарів на підкладці з гадоліній-галієвого гранату - загальновживаного матеріалу для виготовлення плівок рідкоземельних ферогранатів. З'ясовано походження та виміряно товщину поверхневого шару на підкладці з гадоліній-галієвого гранату. Показано, що діелектричні властивості мікроскопічно шорстких шарів товщиною 20-35 нм можуть бути точно змодельовані у наближенні тонкого однорідного шару, але не в наближенні ефективного середовища. Точність отриманих даних було підтверджено співставленням різних способів моделювання. Показано наявність узгодження до третього знаку для показника заломлення. Похибки вимірювання товщини не перевищували 3%. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Davidenko N. A. Photoelectric peculiarities of electric photographic and holographic recording media with ionic dyes / N. A. Davidenko, A. A. Ishchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 70-72. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. У плівках полі-N-епоксіпропілкарбазолу, допованих внутрішньоіонними та катіонними барвниками, досліджено особливості утворення та релаксації метастабільних зв'язаних станів катіон-радикала карбазолу і негативно зарядженого фрагмента молекули барвника.Під час опромінення світлом з області поглинання барвника в плівках з внутрішньоіонним барвником ці стани руйнуються, а в плівках з катіонним барвником такі стани світлом не руйнуються. Ці особливості пов'язуються з особливостями будови барвників. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43 + В379.271.42 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Barabash Y. M. Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors / Y. M. Barabash, M. A. Zabolotny, N. I. Sokolov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 51-54. - Бібліогр.: 2 назв. - англ. Процеси термалізації у фоточутливих органічних напівпровідниках розглянуто теоретично з точки зору їх основних параметрів: часу термалізації та довжини термалізації. Показано, що ці параметри суттєво залежать від взаємодії екситонних станів з оточенням. Результати теоретичних розрахунків підтверджуються даними експерименту, одержаними для ряду молекулярних напівпровідників. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Shcherbak L. P. Pre- and postmelting of cadmium telluride / L. P. Shcherbak, P. I. Feichouk, Yu. A. Plevachouk, O. V. Kopach, L. T. Turyanska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 76-80. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Методами диференціально-термічного аналізу (ДТА) та вимірів електропровідності в інтервалі температур 1323 - 1473 К показано сходинкоподібний характер процесу плавлення телуриду кадмію. Відповідно до результатів ДТА параметри процесу плавлення CdTe визначаються процесами передплавлення, пов'язаними з дефектоутворенням у гратці кристала, а процеси кристалізації визначаються станом (структурою) розплаву, який залежить від його максимальної температури. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Finkelshtein S. H. Residual atmosphere in vacuum fluorescent displays / S. H. Finkelshtein, V. M. Sorokin, S. A. Rakitin, V. P. Sevostyanov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 86-90. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. У статті розглянуто питання, пов'язані з газовиділенням у вакуумнолюмінесцентних індикаторах: наведено методику визначення якісного та кількісного складу внутрішньолампової атмосфери, розглянуто динаміку зміни тиску залишкових газів у різних режимах роботи приладів. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.13-01 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Lysiuk I. O. Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe / I. O. Lysiuk, V. F. Machulin, Ya. M. Olikh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 28-30. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Kosyachenko L. A. Characterization of Hgsub1-x/subMnsubx/subTe single crystals and Hgsub1-x/subMnsubx/subTe photodiodes / L. A. Kosyachenko, I. M. Rarenko, O. O. Bodnaruk, V. M. Frasunyak, V. M. Sklyarchuk, Ye. F. Sklyarchuk, Sun. Sun Weiguo, Lu Zheng. Lu Zheng Xiong // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 31-36. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Tomashik Z. F. Chemical dissolution of indium arsenide in solutions of Brsub2/sub - HBr system / Z. F. Tomashik, S. G. Danylenko, V. N. Tomashik, M. Yu. Kravetski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 73-75. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Antroshchenko L. V. Crystals Cdsub1-x/subZnsubx/subTe - a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparation, structure defectness and electrophysical properties / L. V. Antroshchenko, S. N. Galkin, L. P. Gal'chinetskii, A. I. Lalayants, I. A. Rybalka, V. D. Ryzhikov, V. I. Silin, N. G. Starzhinskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 81-85. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Holiney R. Yu. Investigation of under-surface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, Ye. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 10-12. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Zhuchenko Z. Ya. Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures / Z. Ya. Zhuchenko, G. G. Tarasov, S. R. Lavorik, Yu. I. Mazur, M. Ya. Valakh, H. Kissel, W. T. Masselink, U. Mueller, C. Walther // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 5-9. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Klyui N. I. Micro-Raman study of CNsubx/sub composites subjected to high pressure treatment / N. I. Klyui, M. Ya. Valakh, V. G. Visotski, J. Pascual, N. Mestres, N. V. Novikov, I. A. Petrusha, M. A. Voronkin, N. I. Zaika // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 13-18. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Kunets V. P. Model of optical transitions in AsupII/supBsupVI/sup wurtzite type quantum dots / V. P. Kunets // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 23-27. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Mazur Yu. I. Quaternary semimagnetic Hgsub1-x-y/subCdsubx/subMnsuby/subSe crystals for optoelectronic applications / Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov, E. V. Kuz'menko, A. E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 37-45. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Kudryavtsev O. O. Saddle point excitonic resonances in BiIsub3/sub layered single crystals / O. O. Kudryavtsev, M. P. Lisitsa, F. V. Motsnyi, S. V. Virko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 19-22. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського