Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Lytvyn O$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 44
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Kryshtab T. G. TiBsub2/sub/GaAs and Au - TiBsub2/sub/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment = Структурні перетворення при короткочасній термічній обробці структур TiBsub2/sub/GaAs та Au - TiBsub2/sub/GaAs / T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, V. N. Ivanov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 73-77. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Ключ. слова: TiB_2 film, GaAs, short-term annealing, diffusion barrier, structural defects Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Kuchuk A. V. Effect of nitrogen in Та - Si - N thin films on properties and diffusion barrier performances = Влияние азота в тонких пленках Ta - Si - N на свойства и эффективность диффузионных барьеров / A. V. Kuchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, O. S. Lytvyn, A. A. Korchovyi, A. Piotrowska, R. A. Minikayev, R. Jakiela // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 5. - С. 625-634. - Библиогр.: 19 назв. - англ. Ключ. слова: thin films, magnetron sputtering, microstructure, metallurgical interaction Індекс рубрикатора НБУВ: К202.6 + В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Valakh M. Ya. Properties and interconversion of self-induced SiGe nanoislands of different shapes = Властивості та взаємоперетворення самоіндукованих SiGe-наноострівців різної форми / M. Ya. Valakh, V. M. Dzhagan, Z. F. Krasilnik, O. S. Lytvyn, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, V. O. Yukhymchuk // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 2. - С. 200-206. - Библиогр.: 18 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В371.236
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Lytvyn O. N. Bivariate wavelet sums, constructed on the basis of Haar blending approximation and experimental data = Двумерные суммы вейвлетов, построенные на основе смешанной аппроксимации Хаара и экспериментальных данных / O. N. Lytvyn, S. I. Kulyk // Управляющие системы и машины. - 2008. - № 3. - С. 53-59. - Библиогр.: 11 назв. - aнгл. Індекс рубрикатора НБУВ: В192.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14024 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Shtepliuk I. I. Influence of growth conditions on structural and optical properties of ZnVB0,9DCdVB0,1DO films / I. I. Shtepliuk, G. V. Lashkarev, V. V. Khomyak, O. S. Lytvyn, P. D. Marianchuk, I. I. Timofeeva, A. I. Evtushenko, V. I. Lazorenko // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 6. - С. 653-660. - Библиогр.: 33 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Karachevtsev V. A. Glucose oxidase immobilization onto carbon nanotube networking / V. A. Karachevtsev, A. Yu. Glamazda, E. S. Zarudnev, M. V. Karachevtsev, V. S. Leontiev, A. S. Linnik, O. S. Lytvyn, A. M. Plokhotnichenko, S. G. Stepanian // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 7. - С. 700-709. - Библиогр.: 23 назв. - англ.Зазначено, що під час створення біологічних сенсорів з використанням одностінних вуглецевих нанотрубок (ОВНТ) треба вирішити таку важливу проблему, як іммобілізація молекули, яка повинна розпізнати мішень, на поверхні нанотрубок. Проведено іммобілізацію ферменту глюкозооксидаза (ГОК) на поверхню сітки нанотрубок, яку одержано шляхом осадження нанотрубок з їх розчину у діхлорбензолі за допомогою спрей-методу. У ролі молекулярного інтерфейсу застосовано сукцинімідний ефір 1-піренбутанової кислоти (ПСЕ), біфункціональна молекула якого забезпечує хімічний зв'язок з оболонкою ферменту, а друга її частина (піренова) адсорбується на поверхню нанотрубки. Використання такого молекулярного інтерфейсу виключає, з одного боку, пряму адсорбцію ферменту на поверхню нанотрубки, яка знижує його активність, а з другого, забезпечує локалізацію ферменту поблизу нанотрубки. Порівняння спектрів резонансного комбінаційного розсіювання світла (РКРС) нанотрубок з їх спектром в оточенні ПСЕ вказує на створення наногібриду молекулою ПСЕ з нанотрубкою, що надає підставу для подальшої іммобілізації ферментів. Оскільки спектри РКРС плівок ОВНТ:ПСЕ:ГОК суттєво не відрізняються від спектрів ОВНТ:ПСЕ, то можна стверджувати, що молекулярний інтерфейс ПСЕ достатньо міцно ізолює фермент від нанотрубки. Ефективну іммобілізацію ферменту ГОК поблизу вуглецевої нанотрубки завдяки ПСЕ підтверджено за допомогою зображень, одержаних атомно-силовим мікроскопом. Молекулярна динаміка дозволила встановити структури одержаних нанобіогібридів та енергії міжмолекулярної взаємодії між компонентами потрійного комплексу у водному оточенні. Досліджено провідні властивості сітки ОВНТ з адсорбованими молекулами ПСЕ та ГОК. Адсорбція молекул ПСЕ на сітку з ОВНТ супроводжується зменшенням провідності, яке, скоріш за все, пов'язано з появою розсіювальних центрів для носіїв заряду у нанотрубках. Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.1-18 + Е0*725.111.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Klad'ko V. P. Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, Z. V. Maksimenko, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 343-348. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Методом аналізу енергетичних залежностей інтегральної відбивної здатності в області довжин хвиль рентгенівських променів, розташованих між К-краями поглинання компонент GaAs, для квазізабороненого рефлексу (200) досліджено ступінь відхилення від стехіометрії, а також параметри мікродефектів у плівках GaAs:Si/GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Snopok B. A. Optical biosensors based on the surface plasmon resonance phenomenon: optimization of the metal layer parameters / B. A. Snopok, K. V. Kostyukevich, S. I. Lysenko, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, S. V. Mamykin, S. A. Zynyo, P. E. Shepeliavyi, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 56-59. - Бібліогр.: 50 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Е0*715.9
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Lytvyn O. S. Structural investigations of annealed ZnS:Cu, Ga phosphors / O. S. Lytvyn, V. S. Khomchenko, T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, I. V. Prokopenko, V. Y. Rodionov, Y. A. Tzyrkunov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 19-23. - Бібліогр.: 5 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Svechnikov G. S. Composite film structures containg ZnS, CdS nanoparticles prepared by MOC pyrolysis at low temperatures / G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, N. N. Roshchina, I. V. Prokopenko, L. I. Berezhinsky, V. S. Khomchenko, O. S. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 157-160. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Kaganovich E. B. Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate / E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, S. I. Kirillova, R. V. Konakova, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 471-478. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Litvinov V. L. Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing / V. L. Litvinov, K. D. Demakov, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, R. V. Konakova, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 457-464. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.204.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Konakova R. V. Ordering of lateral nonuniformity of TiBIvxD film and transition layer in the TiBIvxD - GaAs system / R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovskyi, A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, L. A. Matveeva, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 298-300. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Klad'ko V. P. Recrystallization processes in screen-printed CdS films / V. P. Klad'ko, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, N. M. Osipenok, G. S. Pekar, I. V. Prokopenko, A. F. Singaevsky, A. A. Korchevoy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 170-175 . - Бібліогр.: 19 назв. - англ.Методами рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії вивчено кінетику рекристалізаційних процесів у плівках CdS, одержаних методом трафаретного друку. Встановлено взаємозв'язок розміру й орієнтації кристалітів плівки з рівнем механічних напруг та їх залежність від температурних режимів обробки. Показано, що за оптимальних технологічних параметрів можна одержувати однофазні плівки CdS завтовшки кілька десятків мікрон з великим розміром зерен і низькими залишковими напругами, придатні для використання в сонячних елементах на основі гетеропереходу CdS/CdTe. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В372.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Boltovets N. S. SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBVIxD and ZrBVIxD amorphous layers / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V Milenin, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, S. I. Vlaskina, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 60-62. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Yukhymchuk V. O. Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs / V. O. Yukhymchuk, V. M. Dzhagan, V. P. Klad'ko, O. S. Lytvyn, V. F. Machulin, M. Ya. Valakh, A. M. Yaremko, A. G. Milekhin, Z. F. Krasil'nik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 456-461. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Avdeev S. P. Effect of pulse thermal treatments on Ni(Ti) - InD-21R(6H)-SiC contact parameters / S. P. Avdeev, O. A. Agueev, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, V. V. Milenin, D. A. Sechenov, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 3. - С. 272-278. - Бібліогр.: 30 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К204.3 + К209.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Arsentyev I. N. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis / I. N. Arsentyev, A. V. Bobyl, I. S. Tarasov, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, A. B. Kamalov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 104-114. - Бібліогр.: 29 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Boltovets N. S. Ohmic contacts to Hall sensors based on InD-InSb - GaAs(IiD) heterostructures / N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. F. Mitin, E. V. Mitin, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 58-60. - Бібліогр.: 2 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Belyaev A. E. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 1-8. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|