Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Lysenko V$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 41 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Lysenko V. S. High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs = Високотемпературні характеристики рекристалізованого зонним витопленням кремній-на-ізоляторі MOSFETs / V. S. Lysenko, T. E. Rudenko, A. N. Nazarov, V. I. Kilchitskaya, A.N. Rudenko, A. B. Limanov, J. -P. Colinge // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 101-107. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Indutnyy I. Z. Kinetics of thermally-induced structural phase transformations and formation of silicon nanoparticles in thin SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepelyavyi, V. A. Dan'ko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 145-155. - Библиогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Ostrovskaya L. Yu. Thermal treatment effect on the tin melt adhesion to the surface of amorphous silicon carbide films = Вплив термічної обробки на адгезію розплаву олова до поверхні плівок аморфного карбіду кремнію / L. Yu. Ostrovskaya, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, V. P. Krasovskyy // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 3. - С. 555-559. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Rudenko T. E. Electrical properties of FinFET structures = Електричні властивості FinFET структур / T. E. Rudenko, V. I. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, D. Flandre // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 3. - С. 13-18. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Досліджено електричні властивості транзисторних структур типу FinFET (fin field-effect-transistor). Ці структури вважаються найбільш перспективними для створення нанорозмірних метал-оксид-напівпровідник транзисторів і інтегральних схем завдяки значному послабленню коротко-канальних ефектів. Досліджено вплив геометричних розмірів структури на характеристики транзисторів. Особливу увагу приділено рухливості носіїв в інверсійному каналі FinFET структур. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3 + З844.15 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Nazarov A. N. Electroluminescence, charge trapping and degradation of the silicon dioxide implanted by carbon and silicon ions = Электролюмінесценція, захоплення заряду й деградація двоокису кремнію, імплантованої іонами вуглецю та кремнію / A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, I. P. Tyagulskyy, V. S. Lysenko, S. I. Tiagulskyi, V. N. Torbin, V. V. Omelchuk, T. M. Nazarova, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 123-128. - Библиогр.: 26 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Nazarova T. M. Hydrogen as a source of high-temperature charge instability in silicon-on-insulator structures and field effect transistors = Водень як джерело високотемпературної нестабільності заряду в структурах кремній-на-ізоляторі та польових транзисторах / T. M. Nazarova, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, V. M. Tomashik, D. Flandre // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 2. - С. 521-525. - Библиогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Davydov O. N. Species diversity of carp, IBCyprinus carpioD (Cypriniformes, Cyprinidae), parasites in some cultivation regions = Особенности видового разнообразия паразитов карпа, ICyprinus carpioD (Cypriniformes, Cyprinidae), в некоторых регионах культивирования / O. N. Davydov, V. N. Lysenko, L. Ya. Kurovskaya // Вестн. зоологии. - 2011. - 45, № 6. - С. 491-502. - Библиогр.: с. 501-502 - англ. Проведено зоогеографическое сравнение особенностей видового разнообразия паразитов карпа из разных регионов разведения, включая водные экосистемы Украины, Узбекистана, России, Вьетнама. Всего у карпа в пределах этих регионов зарегистрировано 160 видов паразитов. Отмечены специфические и имеющие эпизоотологическое и медико-ветеринарное значения виды паразитов с прямым и сложным циклом развития. Індекс рубрикатора НБУВ: Е623.334.252.5*836 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж27025 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Lysenko V. S. Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure / V. S. Lysenko, I. P. Tyagulski, Y. V. Gomeniuk, I. N. Osiyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 330-337. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Прямі та зворотні струми в гетероструктурі "аморфний SiC/pSi" вивчено в температурному діапазоні 30 - 80 К. З'ясовано, що в різних діапазонах напруги транспортний струм описується різними механізмами. Зарядження електронних пасток, розташованих у шарі SiC, збільшує прямий струм завдяки зменшенню потенціального бар'єра для дірок. У діапазоні прямих напруг 0,5 - 0,8 В струм визначається стрибковим механізмом зі змінною довжиною стрибка (механізм Мотта) в шарі аморфного SiC. За великих зміщень домінуючим механізмом транспортного струму стає тунелювання крізь трикутний бар'єр поблизу межі поділу "аморфний - кристалічний напівпровідник". Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.21 + В379.224 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Lysenko V. S. Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs / V. S. Lysenko, I. P. Tyagulski, Y. V. Gomeniuk, I. N. Osiyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 75-81. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Gomeniuk Yu. V. Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique / Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, I. N. Osiyuk, I. P. Tyagulski, M. Ya. Valakh, V. A. Yukhimchuk, M. Willander, C. I. Patel // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 74-80. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Kunets V. P. Enhancement of CdSSe QD exciton luminescence efficiency by hydrogen RF plasma treatment / V. P. Kunets, N. R. Kulish, V. V. Strelchuk, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, V. S. Lysenko, M. P. Lisitsa // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 169-171. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Повідомлено про підвищення ефективності екситонної люмінесценції квантових точок CdSSe, синтезованих у боросилікатній скляній матриці, й оброблених після цього в низькотемпературній високочастотній водневій плазмі. Одержані результати свідчать про зменшення кількості поверхневих рівнів, через які відбувається ефективна безвипромінювальна рекомбінація носіїв заряду. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Nazarov A. N. Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide silicon light-emitting diodes with plasma treatment / A. N. Nazarov, W. Skorupa, Ja. N. Vovk, I. N. Osiyuk, A. S. Tkachenko, I. P. Tyagulskii, V. S. Lysenko, T. Gebel, L. Rebohle // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 90-94. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Наведено результати досліджень з впливу плазмової обробки на електролюмінесценцію та процеси захоплення заряду у світловипромінювальних приладах зі структурою метал - окисел - кремній, імплантованою іонами Ge. За оптимальних умов плазмового впливу спостерігається помітне збільшення довговічності приладів при незмінній інтенсивності світлового випромінювання у фіолетовій області спектра. Це явище може бути пов'язане з відновленням і перебудовою зв'язків в окислі в результаті зовнішнього впливу, що призводить до зменшення ефективності генерації електронних пасток при електродній інжекції та заглушування деградаційних процесів у таких приладах. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-06 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Houk Y. Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to $E bold gamma-irradiation / Y. Houk, A. N. Nazarov, V. I. Turchanikov, V. S. Lysenko, S. Andriaensen, D. Flandre // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 69-74. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Indutnyy I. Z. Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 1. - С. 9-13. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Nazarov A. N. Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers / A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, T. M. Nazarova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 2. - С. 101-123. - Бібліогр.: 143 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Lysenko V. S. Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic temperatures / V. S. Lysenko, I. P. Tyagulsky, I. N. Osiyuk, A. N. Nazarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 34-39. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Nazarov A. N. Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions / A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, S. I. Tiagulskyi, V. S. Lysenko, I. P. Tyagulskyy, V. N. Torbin, V. V. Omelchuk, T. M. Nazarova, L. Rebohle, W. Skorupa // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 319-323. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Nazarov A. N. Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions / A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, S. I. Tiagulskyi, V. S. Lysenko, I. P. Tyagulskyy, V. N. Torbin, V. V. Omelchuk, T. M. Nazarova, L. Rebohle, W. Skorupa // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 1. - С. 98-104. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.
| |||
| 19. | Nazarov A. N. Novel hysteresis effect in ultrathin epitaxial GdVB2DOVB3D high-IBkD dielectric / A. N. Nazarov, Y. V. Gomeniuk, Y. Y. Gomeniuk, V. S. Lysenko, H. D.B. Gottlob, M. Schmidt, M. C. Lemme, M. Czernohorsky, H. J. Osten // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 324-328. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Lozovski V. Can nanoparticles be useful for antiviral therapy? / V. Lozovski, V. Lysenko, V. Pyatnitsia, M. Spivak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 489-491. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. In this paper, optical properties of the system consisting of mesoparticles (small dielectric particles) and nanoparticles (quantum dots) of various shapes have been considered. This system can be characterized by resonant absorption of electromagnetic waves and used for developing the new approach to antiviral therapy. Індекс рубрикатора НБУВ: Р541.21-5 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського