Наведено результати теплового моделювання інтегральної мікросхеми з використанням програми Circuit Maker 6 PRO. Запропонований підхід забезпечує необхідну точність моделювання.

Розглянуто методи, які складають основу квазістатичного аналізу багатопровідних та багатошарових смужкових структур на підкладці з діелектричних пластин зі скінченними розмірами. Запропоновано простий і універсальний метод моделювання функцій Гріна досліджуваних структур з використанням декомпозиційних схем. Для розв'язку систем рівнянь великої розмірності, що виникають у результаті алгебризації інтегрального рівняння, розроблено ітераційний алгоритм з високою швидкістю збіжності.

Розроблено та експериментально досліджено методи, алгоритмив і моделі, які дають змогу реалізувати ефективні програмні системи проектування широкого класу електронних пристроїв, включаючи комп'ютери п'ятого покоління. Основою алгоритмів є метод оптимального згортання графів, використання якого розширено до категорій неповного і нечіткого згортання, згортання з обмеженнями, накладання і перетину макромоделей, використання принципу побудови дерева згортання в задачах пакування, побудови мінімальних зв'язуючих дерев і міжз'єднань на площині.

Наведено постановки задач взаємодифузії з реакцією в системі контактуючих плівок, які дозволяють визначати межі нової фази.

Запропоновано прості аналітичні співвідношення для розрахунку частотної залежності ефективної діeлектричної проникності в багатопровідних зв'язаних мікросмужкових лініях із різною шириною провідників.

Наведено результати досліджень електродинамічних характеристик напівпровідникової елементної бази РЕА за допомогою випробувального стенду на базі хвилеводного панорамного вимірювача КСХ. Виміряно частотні характеристики КСХ і коефіцієнт відбиття за різних діапазонів довжини хвиль. Показано вплив структури елементів на вид частотної залежності та резонансні частоти досліджених елементів. Отримані дані дозволяють уточнити параметри антенної моделі взаємодії електромагнітного випромінювання з елементною базою для забезпечення електромагнітної сумісності РЕА.

Приведены результаты исследований электродинамических характеристик полупроводниковой элементной базы РЭА с помощью испытательного стенда на основе волноводного панорамного измерителя КСВ. Измерены частотные зависимости КСВ и коэффициента отражения в различных диапазонах длины волн. Показано влияние структуры элементов на вид частотной зависимости и резонансные частоты исследуемых элементов. Полученные результаты позволяют уточнить параметры антенной модели взаимодействия электромагнитного излучения с элементной базой с целью обеспечения электромагнитной совместимости РЭА.

The investigation results of electrodynamic characteristic of semiconductor radioelectronics elements are given based on waveguide panoramic SWAR measurements. Frequency characteristics of SWAR and reflection efficiency have been measured in any broadband. Dependence of frequency characteristics and resonant frequencies on the element structure is shown. The obtained results allow to refine the parameters of the antenna model of electromagnetic radiation with the elements for the REE electromagnetic compatibility.

Розглянуто питання моделювання газофазної операції "дифузія" в проточному реакторі в процесі виробництва інтегральних схем. Розроблена математична модель дозволяє отримати характеристики газового потоку в реакторі і оцінити їх вплив на величини розкиду поверхневої концентрації домішки по поверхні пластини та групи пластин.

Предложены алгоритмы адекватного временного анализа высокоинтегрированных МОП-цепей, основанные на релаксационной концепции с применением обобщенного метода аппроксимации экспоненциальными функциями. Первый алгоритм является релаксационным на уровне систем алгебраических уравнений, второй - на уровне систем дифференциальных уравнений. Результат экспериментов показывает быстроту новых алгоритмов (10-50 раз быстрее универсальных) при небольшой потере точности.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-03

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено дифузійну модель процесу формування тонких силіцидних плівок на кремнії. Одержано розрахункові формули для визначення швидкості руху міжфазної границі силіцид-кремній і часу закінчення формування силіцидного шару залежно від товщини напиленої металевої плівки, температури відпалу, коефіцієнта дифузії та максимальної розчинності дифузанта в силіциді.

Розглянуто антенну модель діяння електромагнітного випромінювання на елементну базу РЕА. Доведено, що при використанні результатів експериментальних досліджень можна суттєво спростити задачу аналізу критичних рівнів діяння, за яких відбуваються деградації елементів.

Створено надпровідникові тунельні переходи NbN - I - Pb, Sn - I - Pb, вольт-амперні характеристики яких мають ділянки з від'ємним диференціальним опором. Наведено їх вольт-амперні характеристики. Проаналізовано стійкість струмових станів цих надпровідникових тунельних переходів методом дослідження стійкості рухів Ляпунова. Визначено критерії стійкості струмових станів надпровідникових тунельних переходів у процесі вимірювання їх вольт-амперних характеристик.

Розглянуто шляхи підвищення ефективності визначення функції чутливості у процесі моделювання радіоелектронних мереж у статиці. Врахування закономірностей, які мають місце в рівняннях, що їх описують, дозволяє запропонувати нові алгоритми розв'язання даної задачі.

Розглянуто основні аспекти електричних моделей біополярних, польових транзисторів, МОН-структур та основні співвідношення, що пов'язують електричні та фізико-технологічні параметри елементів. Проаналізовано схеми найбільш відомих джерел струму, напруги, диференціальних і операційних підсилювачів, перетворювачів код - аналог і аналог - код, а також загальні функціональні та принципові електричні схеми пристроїв.

Наводиться загальна характеристика мікросхем всіх елементів, у тому числі елементів функціональної електроніки. Розглядаються питання схемотехніки цифрових та аналогових мікросхем, найважливіші різновиди цифрових мікросхем - логіки, пам'яті, мікропроцесорів, напівзамовлених БІС і мікрозбірок. Пропонуються приклади схемотехнічних рішень і особливостей аналогових і цифрових вузлів, приладів мікроелектронної апаратури, включаючи прилади, які використовують елементи функціональної електроніки, датчики, мікропроцесори, індикатори. Описуються найважливіші заходи забезпечення безвідмовності мікроелектронних РЕС.

Досліджено елементи транзисторно-транзисторної логіки (ТТЛ). Розглянуто питання призначення даних елементів, розроблено методики їх розрахунків. Досліджено статичний і динамічний режими роботи інтегральних схем емітерно-зв'язної логіки (ЕЗЛ). Наведено опис роботи й основні розрахункові співвідношення, які використовуються під час розрахунків логічних схем на КМДН-транзисторах (кремній - метал - діелектрик - напівпровідник), запропоновано методику їх розрахунку. Розглянуто питання виготовлення польових транзисторів з керуючим p - n-переходом, їх електричні параметри та експлуатаційні характеристики. Наведено основні електричні схеми з використанням польових транзисторів і розрахункові співвідношення для оптоквантрона, а також приклади розрахунку часових параметрів оптоелектронних елементів і пристроїв. Визначено енергетичні характеристики оптоелектронних модулів. Розроблено методи та засоби покращання параметрів інтегральних схем на прикладі елементів ТТЛ і ЕЗЛ, схем з подвійною інжекцією.

Запропоновано уніфіковані алгоритми реконфігурації, які дозволяють збільшити показники надійності матричних ЗВІС та показник використання їхніх резервних елементів. Дається аналіз основних властивостей відмовостійких матричних ЗВІС-архітектур.

В процессах поперечного травления изменяются толщина и профиль маскирующих слоев. Полученные аналитические зависимости позволяют выполнять инженерный анализ при разработке технологии и топологии интегральных компонентов и схем, также микросистем с датчиками балочных конструкций.

Викладаються загальні відомості про інтегральні схеми (класифікація, система умовних позначень, типи корпусів IC), арифметичні та логічні основи цифрової техніки, методи синтезу комбінаційних ланцюгів, логічні елементи та тригери. Наведені приклади використання цифрових елементів в імпульсних ланцюгах та правила схемного ввімкнення елементів, а також багато уваги приділено розгляду вузлів цифрової техніки (регістрам, перетворювачам кодів, запам'ятовуючим пристроям, логічним матрицям та пристроям відображення інформації).

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-03

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ