Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Минько В$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 23 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Минько В. І. Дослідження змін експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів з часом зберігання / В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, П. Ф. Романенко, І. З. Індутний, О. С. Литвин, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 106-113. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Минько В. І. Зміна експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів під час зберігання / В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, П. Ф. Романенко, О. С. Литвин, І. З. Індутний // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 3. - С. 589-593. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Романенко П. Ф. Особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников / П. Ф. Романенко, В. И. Минько, А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 114-117. - Библиогр.: 14 назв. - рус. Исследованы особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием решеток-оригиналов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. Голограммные решетки-оригиналы на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников обеспечивают получение высококачественных полимерных решеток-копий с характеристиками, близкими к исходным у решеток-оригиналов, и высоким качеством поверхности полученных микрорельефов. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Данько В. А. Формування фотолюмінесцентних структур на основі поруватих плівок SiOVIxD / В. А. Данько, І. З. Індутний, І. Ю. Майданчук, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, В. О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2004. - Вып. 39. - С. 65-72. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Данько В. А. Вплив хімічної обробки на спектри фотолюмінесценції поруватих структур nc-Si - SiOBVIxD / В. А. Данько, І. З. Індутний, І. Ю. Майданчук, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2006. - Вып. 41. - С. 92-99. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Данько В. А. Пасивація наночастинок кремнію в тонких плівках SiOIVBxD за допомогою високочастотної плазмової обробки / В. А. Данько, І. З. Індутний, B. С. Лисенко, І. Ю. Майданчук, В. І. Минько, О. М. Назаров, А. С. Ткаченко, П. Є. Шепелявий // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 4. - С. 767-770. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Минько В. І. Інтерференційна фотолітографія з використанням трикомпонентного халькогенідного фоторезиста / В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, І. З. Індутний, О. С. Литвин, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2008. - Вып. 43. - С. 38-43. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Данько В. А. Застосування двошарового халькогенідного фоторезисту для інтерференційної фотолітографії / В. А. Данько, І. З. Індутний, В. І. Минько, О. С. Литвин, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2009. - Вып. 44. - С. 68-73. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Індутний І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І. З. Індутний, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Сопінський, В. М. Ткач, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 49-56. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Индутный И. З. Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge - Se / И. З. Индутный, А. А. Крючин, Ю. А. Бородин, В. А. Данько, М. В. Луканюк, В. И. Минько, П. Е. Шепелявый, Э. В. Гера, В. М. Рубиш // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. - 2013. - 15, № 4. - С. 3-12. - Библиогр.: 19 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Данько В. А. Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В. А. Данько, І. З. Індутний, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, О. С. Литвин, М. В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2012. - Вып. 47. - С. 51-58. - Бібліогр.: 19 назв. - укp. Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм'якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Данько В. А. Технологія виробництва голограмних дифракційних граток на основі неорганічних вакуумних фоторезисторів / В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Наука та інновації. - 2014. - № 5. - С. 24-33. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж25189 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Бабійчук І. В. Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу / І. В. Бабійчук, В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2014. - Вып. 49. - С. 36-41. - Бібліогр.: 12 назв. - укp. Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов'язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Данько В. А. Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, С. С. Пономарьов, П. Є. Шепелявий, В. О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2015. - Вып. 50. - С. 44-57. - Бібліогр.: 42 назв. - укp. Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних і перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють як позитивні протравлювачі. Висвітлено переваги нових процесів над традиційними. Наведено приклади різноманітних мікрорельєфних структур, виготовлених з використанням нових технологій, та можливості їх застосування. Розглянуто фізичні механізми фотостимульованих структурних перетворень, що призводять до зміни розчинності плівок ХСН у селективних протравлювачах. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-06 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Данько В. А. Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів / В. А. Данько, М. Л. Дмитрук, І. З. Індутний, С. В. Мамикін, В. І. Минько, П. М. Литвин, М. В. Луканюк, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2015. - Вып. 50. - С. 109-116. - Бібліогр.: 24 назв. - укp. Наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті досліджень було підтверджено наявність поверхневих плазмон-поляритонних і локальних поверхневих плазмонних резонансів на виготовлених зразках, які можуть контролюватися в широких межах шляхом вибору геометричних параметрів структур і технологічними режимами їх виготовлення. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + В343.43 + З844.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Індутний І. З. Наноструктуровані Au чіпи з підвищеною чутливістю для сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу / І. З. Індутний, Ю. В. Ушенін, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Луканюк, А. А. Корчовий, Р. В. Христосенко // Укр. фіз. журн.. - 2017. - 62, № 5. - С. 365-371. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Данько В. А. Розробка технології виготовлення сенсорних чипів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико-механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу / В. А. Данько, І. З. Індутний, Ю. В. Ушенін, П. М. Литвин, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Луканюк, А. А. Корчовий, Р. В. Христосенко // Наука та інновації. - 2017. - № 6. - С. 25-35. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж25189 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Данько В. А. Дослідження чутливості сенсорних Au чипів з наноструктурованою поверхнею / В. А. Данько, І. З. Індутний, Ю. В. Ушенін, В. І. Минько, Д. Хегеманн, М. Ванденбоше, П. Є. Шепелявий, М. В. Луканюк, П. М. Литвин, Р. В. Христосенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2017. - Вып. 52. - С. 91-99. - Бібліогр.: 24 назв. - укp. Наведено результати дослідження чутливості ППР біосенсора з наноструктурованими Au чипами. Періодичний рельєф у вигляді граток з субмікронною просторовою частотою було сформовано на поверхні Au чипа за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів. Просторову частоту граток було вибрано з умови близькості до бреггівського відбиття поверхневих плазмон-поляритонів для заданої робочої довжини хвилі сенсора (850 нм) та показника заломлення досліджуваного середовища (розчин гліцерину у воді). Функціоналізація робочої поверхні чипа здійснювалась за допомогою плазмово-стимульованого осадження полімерних а-C:H:O плівок з ефективною товщиною 5 та 10 нм. Установлено, що кратність підвищення (від 2 до 4) чутливості біосенсора внаслідок формування гратки та ширина робочого інтервалу показника заломлення (n) середовища визначаються глибиною рельєфу гратки і не залежать від товщини функціонального полімерного наношару. Така функціоналізація лише викликає зсув положення робочого інтервалу до менших значень n у порівнянні з вихідними чипами. Положення робочого діапазону наноструктурованого сенсорного чипа може бути узгоджено з величиною показника заломлення досліджуваного середовища шляхом азимутального повороту чипа. Індекс рубрикатора НБУВ: З965-044.3 + К967/968 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Михайловська К. В. Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si - SiOsubx/sub наноструктур / К. В. Михайловська, В. І. Минько, І. З. Індутний, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2017. - Вып. 52. - С. 100-107. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Індутний І. З. Залежність ефективності збудження поверхневих плазмон-поляритонів від глибини рельєфу алюмінієвої гратки / І. З. Індутний, В. І. Минько, М. В. Сопінський, В. А. Данько, П. М. Литвин, А. А. Корчовий // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр. - 2020. - Вип. 55. - С. 117-125. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського