Исследовано формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера, а также показан метод изготовления структуры со свойством электронного переключения с памятью.

Formation of a film Te on a surface of crystal CdTe is investigated at an irradiation by impulses of the ruby laser, and also the method of manufacturing of structure with properties of electronic switching with memory is shown.

Індекс рубрикатора НБУВ: В376.1 + В377

Рубрики:

Твердість. Пружність. Поширення звуку (пружних коливань) в монокристалах

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З86-531.241

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати досліджень кореляції акустичної емісії (АЕ) та оборотних і необоротних змін електрофізичних характеристик світловипромінювальних гетероструктур на основі InGaN і GaAsP у процесі їх деградації під час протікання прямого струму критичної густини. Встановлено, що процес локальної перебудови дефектної структури під час протікання струму, що супроводжується АЕ, має термоактиваційний характер - із ростом температури поріг виникнення АЕ знижується й одночасно зростає кількість активних джерел АЕ. Зі зниженням температури поріг виникнення АЕ наближається до межі руйнування, у цьому випадку процеси природного старіння значно підвищують пороги виникнення АЕ та руйнування структури.

У ході дослідження виявлено кореляцію виникнення акустичної емісії та змін люмінесцентних і електричних характеристик гетероструктур InGaN/GaN у разі навантаження постійним прямим струмом, що вказує на їх загальний механізм походження. Показано, що кількість джерел акустичної емісії в гетероструктурах у разі протікання критичних густин постійного прямого струму залежить від температури та значно збільшується з ростом температури.

Розглянуто питання про релаксацію поверхневих механічних напруг після імпульсного лазерного опромінення складних напівпровідникових сполук, що супроводжується формуванням складного акустичного відгуку. Показано, що поріг лазерно-індукованого плавлення моно- та полікристалів можна встановити по залежності амплітуди та (або) енергії акустичного відгуку від інтенсивності лазерного імпульсу, зокрема за допомогою даного методу встановлено пороги плавлення монокристалів GaAs, CdTe та Si при імпульсному наносекундному опроміненні рубіновим та неодимовим лазером. Встановлено, що при імпульсному наносекундному лазерному опроміненні можлива реєстрація тільки дискретної високоенергетичної акустичної емісії за рахунок швидкої релаксації створених пружних та термопружних напруг.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01 + В379.24

Рубрики:

Світлові діоди

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Встановлено причини та механізми виходу з ладу потужних світлодіодів на основі GaN в момент вмикання (під час подачі напруги включення) за рахунок плавлення тонкого струмопідвідного контакту на основі золота. Виявлено швидку деградацію потужних світлодіодів за підвищених постійних прямих струмів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В381.592

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано акустичні методи дослідження твердого тіла. Розглянуто основні поняття й означення акустичної емісії (АЕ), базові положення теорії пружності твердих тіл, джерела АЕ, а також види зовнішнього впливу, які призводять до виникнення АЕ. Подано інформацію про методи ультразвукової дефектоскопії, закон Гука, хвилі Лемба, ефекти Кайзера і Фелісіті. Розкрито особливості поширення пружних хвиль в безмежному кристалі. Охарактеризовано типи перетворювачів для приладів ультразвукового неруйнівного контролю. Наведено класифікацію дефектів в твердих тілах. Увагу приділено АЕ в напівпровідниках і діелектриках.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-01

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено вплив потоку швидких нейтронів реактора (E = 2 МеВ, PHI = 2x10¹⁴ н/см²) на вольтамперні та вольтфарадні характеристики, інтенсивність електролюмінесценції потужних InGaN/GaN світлодіодів на кремнієво-вуглецевій підкладинці та кремнієвій підкладинці із золото-олов'яним контактом. Виявлено, що величина та знак зміни тунельних струмів після радіаційного опромінення у світловипромінювальних InGaN/GaN гетероструктурах суттєво залежить від підкладинки.

Узагальнено матеріал з дослідження явища акустичної емісії (АЕ) у світловипромінюючих структурах і світлодіодах на основі сполук GaN, GaP за струмового навантаження. Запропоновано використання комбінованого методу АЕ та мікроскопії видимого діапазону для виявлення люмінесцентних флуктуацій і деградації квантового виходу в режимі реального часу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + В379.227

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27 + В379.24

Рубрики:

Світлові діоди

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів і в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов'язані з їх функціональними параметрами. Показано, що за люмінесцентними та електричними характеристиками мікроплазм можливі експресний неруйнівний контроль і діагностика InGaN/GaN потужних світлодіодів. Досліджено спектри електролюмінесценції мікроплазм і встановлено джерела мікроплазм у InGaN/GaN гетероструктурах.

Встановлено механізм появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах (СД) ультрафіолетового (УФ) випромінювання 365 нм. Світлодіоди УФ випромінювання з максимумом на довжині хвилі 365 нм мають широке коло застосувань, наприклад полімеризація, флуоресцентна мікроскопія в медицині та біології, люмінесцентний аналіз. Однак InGaN/AlGaN/GaN гетероструктури УФ СД мають ряд недоліків, зокрема так звану жовту люмінесценцію. Тому, окрім робіт по підвищенню квантової ефективності, проведено дослідження щодо зниження видимої паразитної люмінесценції в УФ світлодіодах. Для пошуку способів зниження інтенсивності видимої люмінесценції необхідно знати механізм її виникнення. Досліджено промислові InGaN/AlGaN/GaN УФ світлодіоди з максимумом 365 - 370 нм. Встановлено, що видима паразитна люмінесценція у даних світлодіодах складається з двох спектральних частин - так званих жовтої люмінесценції та синьої люмінесценції, які зумовлені дефектами та комплексами дефектів з легуючими домішками. Люмінесценція у жовто-зеленій частині спектра (максимум при 555 нм) є домінуючою при температурі 300 K, а люмінесценція в синій частині спектра (400 - 470 нм) - при температурі в околі 77 K. Показано, що домінуючим механізмом появи видимої люмінесценції в УФ світлодіодах 365 нм є електролюмінесценція, оскільки при підвищенні напруги на p - n переході жовта смуга електролюмінесценції з'являється першою; фотолюмінесценція у даних СД при T = 77 K при збудженні УФ випромінюванням від аналогічного світлодіода практично відсутня, у той же час при підвищенні струму при T = 77 K з'являється та росте інтенсивність жовтої смуги електролюмінесценції.