Відображено сучасні наукові дослідження з багатьох галузей фізики. Серед них - теоретична фізика, мікроелектроніка, фізика напівпровідникових матеріалів, фізика твердого тіла, матеріалознавство, радіотехніка, опто- та термоелектрика.

Виконано огляд літературних джерел щодо використання тугоплавких сполук для формування тонких плівок. Використання цих матеріалів класифіковано за схемою: низькоомні сполучення, омічні контакти, бар'єри Шотткі, оптоелектроніка, магнітні матеріали, бар'єрні шари. Наведено сукупність властивостей та основні параметри плівкової продукції. Указано на найперспективніші області використання плівок тугоплавких сполук у мікроелектроніці. Зазначено, що складалися умови для заміни традиційних металевих плівок на тугоплавкі сполуки.

Описано структури, конструкції, фізичні та математичні моделі, визначено параметри та наведено характеристики основних елементів інтегрованих мікросхем. Проаналізовано співвідношення для параметрів розрахунків проектування каскадів та логічних елементів великих інтегрованих мікросхем. Висвітлено властивості напівпровідників, діодів, біполярного транзистору, польових транзисторів з ізольованим та керувальним переходом.

Описаны структуры, конструкции, физические и математические модели, определены параметры и приведены характеристики основных элементов интегрированных микросхем. Проанализированы соотношения для параметров расчётов проектирования каскадов и логических элементов больших интегрированных микросхем. Освещены свойства полупроводников, диодов, биполярного транзистора, полевых транзисторов с изолированным и управляемым переходом.

Вміщено загальні методичні рекомендації з виконання лабораторних робіт, порядок їх виконання завдання та оформлення звіту. Наведено вказівки з техніки безпеки, описи лабораторних робіт, присвячених дослідженню пасивних радіокомпонентів (резисторів, конденсаторів, котушок індуктивності) та електровакуумних приладів (електронних ламп, електронно-променевих трубок і газорозрядних приладів).

Представлены общие методические рекомендации по выполнению лабораторных работ, порядок их выполнения, задания и оформление отчета. Приведены описания лабораторных работ, посвященных исследованию пассивных радиокомпонентов (резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности) и электровакуумных приборов (электронных ламп, электронно-лучевых трубок и газоразрядных приборов).

Наведено теоретичний матеріал для ознайомлення з параметрами радіокомпонентів, вказівки з техніки безпеки. Вміщено описи лабораторних робіт, присвячених дослідженню дискретних напівпровідникових приладів (діодів, біполярних і польових транзисторів, напівпровідникових фотоприладів і оптронів).

Изложены теоретический материал для ознакомления с параметрами радиокомпонентов, указания по технике безопасности. Представлены описания лабораторных работ, посвященных исследованию дискретных полупроводниковых приборов (диодов, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых фотоприборов и оптронов).

Розглянуто фізичні процеси, які протікають в біполярних і польових транзисторах. Визначено вольтамперні характеристики в статичному та динамічному режимах, параметри приладів, їх залежність від режиму живлення. Наведено частотні та імпульсні характеристики транзисторів, а також моделі та еквівалентні схеми. Проаналізовано вплив високого рівня інжекції на повний опір базової області біполярних транзисторів. Розглянуто перспективи використання багатошарових гетероструктур в електроніці.

Рассмотрены физические процессы, протекающие в биполярных и полевых транзисторах. Определены вольтамперные характеристики в статическом и динамическом режимах, параметры приборов, их зависимость от режима питания. Приведены частотные и импульсные характеристики транзисторов, а также модели и эквивалентные схемы. Проанализировано влияние высокого уровня инжекции на полное сопротивление базовой области биполярных транзисторов. Рассмотрены перспективы применения многослойных гетероструктур в электронике.

Описано транзистори n - p - n-типу та їх різновиди (багатовимірні транзистори, транзистори з бар'єром Шотткі, супербета транзистори), інтегральні діоди та стабілітрони, напівпровідникові резистори та конденсатори. Наведено елементи плівкових інтегральних схем, здійснено порівняльну оцінку способів ізоляції.

Описаны транзисторы n - p - n-типа и их разновидности (многомерные транзисторы, транзисторы с барьером Шоттки, супербета транзисторы), интегральные диоды и стабилитроны, полупроводниковые резисторы и конденсаторы. Приведены элементы пленочных интегральных схем, осуществлена сравнительная оценка способов изоляции.

Викладено методи, засоби, проблеми та перспективи розвитку сучасної технології виготовлення напівпровідникових, плівкових, гібридних і суміщених інтегральних мікросхем. Описано іонно-плазмове, катодне, реактивне напилювання, анодування, рентгенівську, іонно- та електроннопроменеву літографії. Розкрито технологію гібридних мікросхем, зокрема, комбінований метод формування рисунка плівкових елементів.

Изложены методы, средства, проблемы и перспективы развития современной технологии изготовления полупроводниковых, пленочных, гибридных и совмещенных интегральных микросхем. Описаны ионно-плазменное, катодное, реактивное напыления, анодирование, рентгеновская, ионно- и электроннолучевая литографии. Раскрыта технология гибридных микросхем, в частности, комбинированный метод формирования рисунка пленочных элементов.

Висвітлено засади мікросхемотехніки аналогових і цифрових інтегрованих мікросхем, розглянуто комплекс проблем, пов'язаних з розробкою схемних рішень базових каскадів і логічних елементів великих і надвеликих інтегрованих мікросхем. На підставі аналізу принципів функціонування основних каскадів аналогових інтегрованих мікросхем і логічних елементів цифрових мікросхем наведено основні співвідношення для розрахунків їх параметрів. Проаналізовано елементи пам'яті запам'ятовувальних пристроїв, логічні елементи на біополярних транзисторах.

Освещены основы микросхемотехники аналоговых и цифровых интегрированных микросхем, рассмотрен комплекс проблем, связанный с разработкой схемных решений базовых каскадов и логических элементов больших и сверхбольших интегрированных микросхем. С учетом анализа принципов функционирования основных каскадов аналоговых интегрированных микросхем приведены основные соотношения для расчетов их параметров. Проанализированы элементы памяти запоминающих устройств, логические элементы на биополярных транзисторах.

Розглянуто основні принципи створення мікросхем, які базуються на планарній технології та груповому методі. Наведено приклади планарних конструкцій структурних елементів інтегральних схем - біполярних та польових транзисторів.

Рассмотрены основные принципы создания микросхем, базирующихся на планарной технологии и групповом методе. Приведены примеры планарных конструкций структурных элементов интегральных схем - биполярных и полевых транзисторов.

Розглянуто основу сучасних інформаційних технологій - CMOS-технології. Викладено фізичні принципи роботи структури метал - окисел - напівпровідник, проаналізовано основні фактори, що впливають на величину порогової напруги, а також описано принципи створення логічних ключів.

Рассмотрена основа современных информационных технологий - CMOS-технологии. Изложены физические принципы работы структуры металл - окисел - полупроводник, проанализированы основные факторы, влияющие на величину порогового напряжения, а также описаны принципы создания логических ключей.

Наведено задачі до розділів, основні довідкові відомості, стислий огляд книг та словники термінів.

Приведены задачи к разделам, основные справочные сведения, краткое обозрение книг и словари терминов.

Висвітлено основні поняття та напрями розвитку твердотільної інтегральної електроніки (мікроелектроніки). Розкрито фізичні засади наноелектроніки. Розглянуто проблеми магнітоелектроніки (спінтроніки). Висвітлено біологічні та технологічні аспекти нанотехнологій. Наведено інформацію про фотони, атоми, енергетичний спектр кристала, особливості напівпровідників. Увагу приділено нанокристалічим структурам, квантоворозмірним ефектам, наномагнітним матеріалам, питанням нанофізики та молекулярної електроніки (молетроніки).

Освещены основные понятия и направления развития твердотельной интегральной электроники (микроэлектроники). Раскрыты физические основы наноэлектроники. Рассмотрены проблемы магнитоэлектроники (спинтроники). Освещены биологические и технологические аспекты нанотехнологий. Дана информация о фотонах, атомах, энергетическом спектре кристалла, особенностях полупроводников. Уделено внимание нанокристаллическим структурам, квантоворазмерным эффектам, наномагнитным материалам, вопросам нанофизики и молекулярной электроники (молетроники).

Методами Оже-електронної та рентгенівської фотоелектронної спектроскопії вивчено склад напилених та синтезованих імплантацією шарів нітриду титану, які застосовуються у мікроелектроніці. Дані Оже-спектрів характеризуються значним перекриттям найбільш інтегральних піків титану та азоту. Розроблено і випробувано простий емпіричний метод оцінки складу плівок на малих площах з використанням відношення інтенсивностей ліній Оже-спектрів. За допомогою імплантації вуглецю та кисню було модифіковано плівки TiN з метою вивчення впливу цих домішок на кількісний аналіз. На відміну від стандартного Оже-аналізу, використання запропонованого методу дає добре кількісне узгодження з даними фотоелектронної спектроскопії та результатами, отриманими за допомогою Principal Component Analysis. Знайдено, що наявність кисню в плівці не дозволяє використовувати стандартну методику проведення кількісного Оже-аналізу. Запропонований метод не має таких обмежень. Показано, що високий вміст вуглецю в плівці суттєво не впливає на можливість отримання кількісних результатів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.26

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено нанотехнологічно-вдосконалені: високоенергетична мікроелектроніка, силова електроніка, джерела енергії та їх збереження для літальних апаратів. Дослідні зразки спроектовано і випробувано для доказу правильності концепції з додатками в автономних аерокосмічних, морських та інших системах. Наукові дослідження та технологічні розробки здійснюються в перетворенні, управлінні та зберіганні енергії. Досліджено і продемонстровано ключові компоненти та модулі: енергозберігаюча мікроелектроніка; напівпровідникова та силова електроніка з високою енергетичною щільністю і потужністю; джерела енергії, такі як сонячні і електромагнітні генератори; енергозберігаючі системи; системи управління. Енергетична забезпеченість необхідна для забезпечення загальної функціональності польоту, руху, навігації та інших систем. Розроблено, протестовано і проаналізовано прототипи інтегрованих енергетичних систем для різних додатків. Високоенергетичні показники, надійність, безпека і доступність забезпечені за рахунок використання передових технологій, мікроелектроніки, модульного проектування, оптимальної організації, робастних схем керування і т. ін. Системи відповідають загальним вимогам і характеристикам. Ці системи здатні забезпечити необхідні потужності та енергії в безперервних та імпульсних режимах до сотень джоулів. Замкнуті системи забезпечують контроль і діагностику. Наведено експериментальні результати.

Розроблено новий підхід до розв'язання проблеми керування параметрами напівпровідникових матеріалів у межах кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління характеристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (акустоіонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п'єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акустоіонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформаційних технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науково-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оптоелектроніка.

Розглянуто такі соціальні контексти мережевого суспільства: мережева економіка, ринок праці, трансформація соціабельності та комунікації. Отже, мережеве суспільство - це соціальна структура, що грунтується на мережах, приведених у дію інформаційними та комунікаційними технологіями, в основі яких лежить мікроелектроніка та комп'ютерні мережі, які генерують, обробляють та розповсюджують інформацію на підставі знань, акумульованих у вузлах мереж. Динаміка розвитку мережевого суспільства та його аксіосфери у наукових працях М. Кастельса подана крізь призму соціальних контекстів та вимірів соціальних трансформацій. Запропоновано тезу, що потенційними детермінантами ціннісної парадигми мережевого суспільства можуть бути: глобальна мережа, центральний елемент мережевого суспільства, інформаціоналізм, глобалізація, інтерактивний гіпертекст та реальна віртуальність. Встановлено, що у новому соціумі домінує культура реальної віртуальності, яка й формує ціннісне уявлення людини про навколишній світ. Якщо архітектоніка мережевого суспільства подана як мережа, логічно припустити, що і його аксіосфера теж має мережеву архітектоніку. Подальші розвідки у цьому напрямі можуть бути корисними для розв'язання широкого спектра проблем, пов'язаних з онтологічним статусом аксіосфери суспільства постмодерну.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 в641 + В377.12 в641 + З85-01

Рубрики:

Наноструктури

Електропровідність. Електричний опір

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Сучасна модель переносу електронів і тепла Ландауєра - Датти - Лундстрома (ЛДЛ) резюмована в [1]: якщо зонна структура задана аналітично або чисельно, можна оцінити число мод провідності. Далі слід задатися моделлю для середньої довжини вільного пробігу. У підсумку можна обчислити термоелектричні транспортні коефіцієнти для 1D, 2D і 3D провідників будь-якого масштабу в балістичному, квазібалістичному або дифузійному режимах лінійного відгуку за наявності перепаду напруги й/або температури на кінцях провідника. Далі обговорено наступні питання в концепції ЛДЛ: біполярна провідність, теплопровідність масивних провідників, питома теплота й теплопровідність, дебаївська модель, розсіювання фононів, залежність граткової теплопровідності від температури, квантування теплопровідності. У додатку надано остаточні вирази для термоелектричних транспортних коефіцієнтів через інтеграли Фермі - Дірака для 1D, 2D і 3D провідників з параболічною зонною структурою й для 2D графена з лінійною дисперсією в балістичному й дифузійному режимах зі степеневим законом розсіювання.