Побудовано узагальнену експоненціальну модель, що враховує можливість одночасного існування декількох паралельних каналів розповсюдження світлової енергії екситонами. Детальне фізичне обгрунтування моделі здійснено на базі екситонів Френкеля. Нова модель зберігає всі переваги широко вживаної одно-експоненціальної моделі екситону, як однієї з небагатьох задач в теорії розповсюдження електро-магнітніх хвиль в обмежених просторово-диспергуючих середовищах, що мають точний розв'язок. В той же час вона суттєво розширює можливості досліджень нелокальних оптичних явищ в кристалах. В роботі запропонована модель використовується, зокрема, для одержання додаткових краєвих умов та рівняння балансу для потоку та густоти поляритонної енергії, а також для вирішення ряду інших проблем кристалооптики з просторовою дисперсією в спектральній області екситонних резонансів.

Описано виникнення нової фізичної теорії - квантової, роль у цьому М. Планка, який запропонував її основи 1900 р., передісторію дослідження, що привели до ідеї кванта. Висвітлено подальший розвиток квантової теорії, яка сприяла разом із теорію відносності утвердженню сучасної фізики, формуванню квантово-релятивістської картини світу.

Охоплюється широке коло питань, пов'язаних с постаттю Б.Хмельницького, його політичною, дипломатичною та військовою діяльністю по розбудові незалежної Української держави середини ХVII ст. Значна увага приділяється подальшій долі Гетьманщини, періоду бездержавності та відродженню Української держави ХХ ст. Окремо висвітлені питання зв'язків Української держави зі слов'янським світом, а також місця і ролі профспілок в Україні. Зроблено висновок, що ідейна спадщина Української держави Богдана Хмельницького багато в чому сприяла відродженню національної державності і розвитку українського суспільства у ХХ ст.

Узагальнено результати основних напрямків наукових досліджень і науково-технічних розробок у галузі ядерної фізики, радіаційного реакторного матеріалознавства, нейтронних досліджень конденсованого стану речовини, радіаційної фізики напівпровідників, радіобіології, виробництва радіонуклідів.

Славний шлях за 40 років пройшла перша і єдина в Україні кафедра технології хімічних волокон Київського технологічного інституту легкої промисловості, створена у 1958 році. З 1992 р. кафедра готує спеціалістів також і з технології переробки пластмас та еластомерів, а з 1997 р. - і з технології опоряджувального виробництва, у зв'язку з чим у 1998 р. перейменована в кафедру технології полімерів і опоряджувального виробництва Державної академії легкої промисловості України. За 40 років випущено 3000 спеціалістів з технології хімічних волокон, за останні 5 років 250 - з технології переробки пластмас та еластомерів. У проблемній науково-дослідній лабораторії при кафедрі працюють 30 співробітників, у тому числі 7 кандидатів технічних наук.

В процессе работы были использованы цитогенетический метод отбора начальных форм, гибридизация, мутагенез, полиплоидия с применением электросепарации пыльцы, а также инфекционный фон. Выведены 29 районированных сортов, удовлетворяющих требования интенсивного садоводства и составляющих до 72 товарного ассортимента на юге Украины и 25 - России. 82 сорта переданы в Госсортоиспытание.

Індекс рубрикатора НБУВ: Д22л

Шифр НБУВ: Ж14253 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розкрито поняття постмодернізації та надано його сучасне визначення. Наведено авторську інтерпретацію основних дискурсних опозицій модернізму та постмодернізму. Вперше введено до наукового обігу поняття "синтагма", яке більш адекватно, ніж поняття "парадигма", описує феномен постмодернізації сучасного суспільства.

Абстрактные транспортные системы основаны на абстракции движения ресурсов в области транспорта. Такие движения могут быть определены на двух уровнях абстракции, которые ведут к определению систем эволюций и транспорта. В статье рассматриваются композиции таких систем и языки описания различных абстрактных уровней, представленных в алгебраической, логической форме, а также в форме диаграмм.

Розглянуто головні етапи життєвого шляху та наукової діяльності видатного українського вченого О. Г. Гольдмана - одного з тих, хто заклав основи сучасної фізики напівпровідників. Вперше докладно висвітлено маловідомі факти з життя та діяльності О. Г. Гольдмана, почерпнуті з ще не опублікованих архівних документів.

Предлагается новая абстрактная модель взаимодействия агентов со средой. Она может быть использована в качестве семантического базиса как для изучения взаимодействия, так и для определения семантики Языка Действий, рассмотренного в предыдущей статье авторов. Взаимодействие агентов и среды определяется более жестким и симметричным путем по сравнению с этой публикацией. Основное понятие, используемое в статье - это хорошо известное понятие транзиционной системы с расходимостью и остановкой. Для определения различных транзиционных систем, используются следующие три основные формы: рекурсивные алгебраические определения, эквациальные определения и структурная операционная семантика.

Описывается проект "Алгоритм Очевидности'2000" как новый уровень понимания программы "Алгоритм Очевидности", инициированной В. Глушковым в начале 60-х годов. Этот проект ориентирован на подключение к международной математической деятельности по эффективному решению следующих задач: распределенное автоматизированное доказательство теорем, проверка корректности математических текстов, удаленное обучение математическим дисциплинам, извлечение знаний из математических работ, построение баз знаний для математических теорий.

Розглянуто процеси двохелектронного захоплення в межах асимптотичного підходу. Перерізи одно- та двохелектронних процесів захоплення в парціальні стани обчислено методом сильного зв'язку каналів. Розглянуто різні механізми двохелектронного захоплення (прямий та постадійний), проаналізовано їх відносний внесок у повний переріз процесу.

Показано, що ефекти кривизни можуть суттєво змінити характеристики межового шару та зменшити загальний опір таких вісесиметричних тіл у нестисливій рідині. З використанням точного розв'язку розраховано вісесиметричні форми з від'ємним градієнтом тиску на переважній частині поверхні (до 99,7 % тіла). Одержані форми можна використовувати для подальшої оптимізації та контролювання фюзеляжів дозверхових літаків та суден.

Наведено результати експериментальних досліджень капілярних труб з альтернативними хладонами.

Кристалічні гратки цементиту мають змінні параметри, і досі причини цього явища вивчено не повністю. До кінця не розв'язано питання про розташування атомів вуглецю в залізних підгратках. Висловлюється припущення, що вони можуть займати як вестгренівські, так і гендрікські позиції альтернативно. Знову показано, що при гартуванні цементиту гратка спотворюється і мікротвердість цієї фази суттєво зростає. Після відпускання ці параметри сплаву повертаються в вихідний стан. На ці характеристики цементиту значно впливає легування хромом.

У дослідженні характеристик процесу народження електронно-позитронних пар (НЕПП) та ефекту незбереження атомної парності використано послідовний квантово-механічний та квантово-електродинамічний (КЕД) підхід (операторна теорія збурень та КЕД теорія збурень). Проаналізовано можливість інтерпретації вузьких піків позитронного спектра як резонансних станів складного надважкого ядра. Резонансні явища в ядерній підсистемі ведуть до структуризації позитронного спектра. Для розрахунку перетину НЕПП використано модифіковану версію релятивістського енергетичного підходу, який грунтується на S-матричному формалізмі Гелл-Мана та Лоу. Розрахунок виконано для випадку зіткнення ядер урану. Розвинуто послідовну КЕД теорію збурень для розрахунку характеристик (енергетичних рівнів, амплітуд E1, M1 переходів) важких і надважких атомів, зокрема, виконано розрахунок амплітуди E1 переходу 6s-7s без збереження парності в атомі Cs.

Розглянуто типи неперервного випромінювання, що виникають від поверхні металів і вторинно емітованих частинок під час іонного бомбардування. Наведено деякі експериментальні результати досліджень широких молекулярних смуг, випромінювання поверхневих плазмонів. Проаналізовано механізми процесів збудження, які ведуть до емісії неперервного випромінювання.

Проаналізовано зміни параметрів зонної структури внаслідок деформації. Розраховано величини цих змін для структури багатократних квантових ям GaAs/AlGaAs. Підкреслено роль магнітофононного резонансу як методу контролю теплових напружень у багатократних квантових ямах у разі паралельного перенесення носіїв заряду.