Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe

Катеринчук, В. М.; Кушнір, Б. В.; Кудринський, З. Р.; Ковалюк, З. Д.; Литвин, О. С.


	Наукова періодика України		Міжнародний науковий журнал "Інтернаука"

Катеринчук В. М.
Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // International scientific journal. - 2016. - № 4(2). - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mnj_2016_4%282%29__5

Повний текст PDF - 848.074 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Катеринчук В. М. Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // International scientific journal. - 2016. - № 4(2). - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mnj_2016_4(2)__5.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)

Кудринський Захар Русланович (фізико-математичні науки)

Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача