Пошуковий запит: (<.>U=В379.226$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 777
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 2. |
Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 3. |
Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 4. |
Сирюк Ю. А. Области существования двух типов спиральных доменных структур в феррит-гранатовых пленках. — 2001 // Физика и техника высоких давлений.
|
| 5. |
Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 6. |
Galiy P. Auger electron spectroscopy analysis of adsorbed gas condensated on the clevage crystal surfaces of indium and gallium chalcogenides. — Л., 1998 // Фіз. зб.
|
| 7. |
Mamikonova V. M. Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 8. |
Evtukh A. A. Investigation of electron and hole tunneling through thin silicon dioxide films. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| 9. |
Evtukh A. A. Investigation of electron field emission from polycrystalline silicon films. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 10. |
Panchekha P. A. Modulated structure of fullerene - bismuth vacuum deposits. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| 11. |
Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbI2 на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbI2 - Сu. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 12. |
Манойлов Э. Г. Гистерезис вольт-амперных характеристик кремниевых нанокомпозитных пленок. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 13. |
Мельничук О. В. Дослiдження тонких плiвок ZnO на поверхнi SiC 6H методом ІЧ спектроскопiї. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 14. |
Вашпанов Ю. О. Електронні властивості та адсорбційна чутливість тонких плівок селеніду кадмію з модифікованою поверхнею. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 15. |
Савчин В. Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі. — Л., 1998 // Фіз. зб.
|
| 16. |
Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hg1 - xCdxTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії . — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 17. |
Венгер Е. Ф. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs. — К., 1999
|
| 18. |
Валах М. Я. Оптичні властивості SiO2-плівок, імплантованих іонами кремнію та вуглецю. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| 19. |
Бекетов Г. В. Послойный рост эпитаксиальных слоев PbTe и свойства гетеропереходов на их основе. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 20. |
Пляцко С. В. Структурні властивості шарів HgCdTe, вирощених методом лазерної епітаксії на підкладках кремнію. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
