Методами оже-електронної спектроскопії та мас-спектрометрії досліджено адсорбційну активність поверхонь сколювання шаруватих напівпровідникових кристалів In₄Se₃, InSe, GaSe, TlGaSe₂ до газів N₂, O₂, CO, CO₂ та водяної пари. Встановлено, що атомарно-чисті поверхні кристалів шаруватих напівпровідників адсорбційно не активні до N₂, CO₂, водяної пари. Виявлено низьку активність до O₂, яка зростає з ростом температури. Селеніди індію та галію селективно адсорбційно активні до CO зі збільшенням активності в ряду кристалів GaSe -> TlGaSe₂ -> InSe -> In₄Se₃, причому кристали In₄Se₃ значно більше, ніж InSe. На прикладі кристалів In₄Se₃ запропоновано механізм дисоціативної адсорбції CO, зумовлений особливостями електронно-енергетичної структури шаруватого кристала.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"