Измерены ВАХ МДП (Al/Si HK/ITO) сэндвич структур на основе Si нанокомпозитных (Si HK) пленок, полученных лазерным распылением Si в атмосфере кислорода. Обнаружен гистерезис динамических ВАХ, обусловленный проявлением постоянного встроенного заряда, захваченного на ловушки в SiO_x фазе. Предполагается, что уменьшение захвата заряда в пленках, содержащих большие концентрации Si нанокристаллической фазы, связано с преимущественным механизмом токопрохождения в этих структурах - прямым туннелированием носителей между Si частицами через SiO_x барьер и туннелированием носителей из ловушек в Si частицы.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"