Пошуковий запит: (<.>U=В379<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 64
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Тербан В. П. Механизмы переноса заряда в сложных халькогенидах германия и фосфора : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.10. — Ужгород, 1992
|
2. |
Лышенюк К. П. Анизотропные и нелинейные поверхностные поляритоны в присутствии поверхностной электропроводности : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.04. — К., 1992
|
3. |
Лышенюк К. П. Анизотропные и нелинейные поверхностные поляритоны в присутствии поверхностной электропроводности : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.04. — К., 1992
|
4. |
Коваленко А. Ф. Квантовые свойства водородоподобных частиц вблизи неметаллических поверхностей : Дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.02. — Львов, 1992
|
5. |
Лышенюк К. П. Анизотропные и нелинейные поверхностные поляритоны в присутствии поверхностной электропроводности : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.04. — К., 1992
|
6. |
Коваленко А. Ф. Квантовые свойства водородоподобных частиц вблизи неметаллических поверхностей : Дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.02. — Львов, 1992
|
7. |
Коваленко А. Ф. Квантовые свойства водородоподобных частиц вблизи неметаллических поверхностей : Дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.02. — Львов, 1992
|
8. |
Тербан В. П. Механизмы переноса заряда в сложных халькогенидах германия и фосфора : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.10. — Ужгород, 1992
|
9. |
Лышенюк К. П. Анизотропные и нелинейные поверхностные поляритоны в присутствии поверхностной электропроводности : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.04. — К., 1992
|
10. |
Тербан В. П. Механизмы переноса заряда в сложных халькогенидах германия и фосфора : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.10. — Ужгород, 1992
|
11. |
Тербан В. П. Механизмы переноса заряда в сложных халькогенидах германия и фосфора : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.10. — Ужгород, 1992
|
12. |
Коваленко А. Ф. Квантовые свойства водородоподобных частиц вблизи неметаллических поверхностей : Дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.02. — Львов, 1992
|
13. |
Rudavskii Yu. Some aspects of tight-binding approach in chemisorption theory // Condensed Matter Physics. - 2001. - 4, № 1.
|
14. |
Vlaskina S. I. Mechanism of 6H-3C transformation in SiC // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2.
|
15. |
Камуз А. М. Новый способ создания квантово-размерных структур в полупроводниках <$E bold roman {A sup 3 B sup 5}> и <$E bold roman {A sup 2 B sup 6}>. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
16. |
Timokhov D. F. Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3.
|
17. |
Окулов В. И. Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках. — 2004 // Физика низ. температур.
|
18. |
Фреїк Д. М. Моделі атомних дефектів і термодинамічний n - p-перехід у легованих золотом кристалах телуриду кадмію CdTe:Au. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
19. |
Boczar T. Determining the influence of the factors that could disturb repeatability of the measurement results of the AE pulses generated by PDs. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
20. |
Arsentyev I. N. Porous nanostructured InP: technology, properties, application // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4.
|
| |