Пошуковий запит: (<.>U=В379<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 64
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Bacherikov Yu. Yu. Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3.
|
| 2. |
Palash Das Confined energy state based hypothetical observations about device parameters of AlGaN / GaN HEMT // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 1.
|
| 3. |
Zelenyuk M. Uniaxial pressure effect on phase transition of Cr3+-doped TGS crystals // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2015. - Вип. 1.
|
| 4. |
Меньшикова С. І. Розмірні ефекти в тонких плівках PbSe, легованого хлором // Термоелектрика. - 2015. - № 2.
|
| 5. |
Barabash M. Yu. Getting of nanocomposites thin films on the basis of carbazole from gas phase and their properties // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 1.
|
| 6. |
Bolesta I. M. Formation of nanostructures on the VdW-surface of CdI2 crystals // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 5.
|
| 7. |
Морушко О. В. Термогравіметричні дослідження композитів TiS2<> // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 3.
|
| 8. |
Dyakonov V. Phase transitions in ТbMnО3 manganites. — 2012 // Физика низ. температур.
|
| 9. |
Цзян Ю. Н. Низкотемпературный минимум сопротивления гранулированных дырочно-допированных кобальтитов. — 2012 // Физика низ. температур.
|
| 10. |
Тимофеев В. Б. О бозе-конденсации экситонов в квазидвумерных полупроводниковых гетероструктурах // Физика низ. температур. - 2012. - 38, N 7 (спец. вып., ч. I).
|
| 11. |
Gomeniuk Y. V. Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 2.
|
| 12. |
Руденко Э. М. Особенности вольтамперных характеристик гетероструктур F/I/S Co2CrAl - I - Pb. — 2011 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 13. |
Скресанова И. В. Корреляционные функции и ультразвуковые доплеровские спектры в слабонеоднородных изотропных конденсированных средах. — 2011 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Сер. фіз. "Ядра, частинки, поля".
|
| 14. |
Григорчак І. І. Інтеркалатні наноструктури конфігурації неорганічний напівпровідник/родамін Ж. — 2011 // Вост.-Европ. журн. передовых технологий.
|
| 15. |
Kiselov V. S. Simple method for SiC nanowires fabrication // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 1.
|
| 16. |
Nazarova T. M. Hydrogen as a source of high-temperature charge instability in silicon-on-insulator structures and field effect transistors. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 17. |
Черкез Р. Г. Проникний генераторний термоелемент на основі сегментованих віток. — 2011 // Термоелектрика.
|
| 18. |
Зінченко В. Ф. Особливості структури та оптичних й експлуатаційних властивостей тонкоплівкових покриттів на основі оксидів, фторидів та халькогенідів металів. — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 19. |
Borzanytsya D. The influence of an electric field on composition of a surface of a negatively poled z-cut of lithіum niobate. — 2010 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка.
|
| 20. |
Fodchuk I. M. Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
