Пошуковий запит: (<.>U=В374.98$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 38
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Марончук И. Е. Влияние обработки поверхности пористого кремния на его фотолюминесценцию. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 2. |
Савчин В. Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі. — Л., 1998 // Фіз. зб.
|
| 3. |
Болгов С. С. Электролюминесценция гетероструктур CdxHg1-xTe/CdTe при комбинированном возбуждении. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 4. |
Тарасенко О. А. Механізм формування швидкої радіолюмінесценції в органічних напівпровідниках та діелектриках : Автореф. дис.. канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Х., 1998
|
| 5. |
Неділько С. Г. Особливості температурної поведінки виходу люмінесценції домішкових іонів Dy3+ в кристалах вольфрамату кадмію. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 6. |
Dubovik M. F. Luminescence and radiation-induced defects in Li2B4 O7 : Eu single crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
| 7. |
Kovalenko V. F. Low-temperature luminescence of semi-insulating undoped gallium arsenide at high excitation levels // Functional Materials. - 2000. - 7, № 4.
|
| 8. |
Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 9. |
Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 10. |
Сукач Г. А. Влияние поверхностной оже-рекомбинации на квантовый выход люминесценции в GaAs. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 11. |
Бордун О. М. Фотолюмінесцентні властивості тонких плівок PbWO4. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 12. |
Litovchenko N. M. About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3.
|
| 13. |
Рожин О. Г. Фотолюмінесцентні властивості структур на основі пористого кремнію модифікованого поверхневими обробками : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2001
|
| 14. |
Whang J. H. Photoluminescence of lithium borate glasses doped by lanthanides // Functional Materials. - 2002. - 9, № 4.
|
| 15. |
Каганович Е. Б. Ефективна та стабільна видима фотолюмінесценція плівок нанокристалічного кремнію, одержаних лазерною абляцією. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
| 16. |
Корбутяк Д. В. Особливості фотолюмінесценції компенсованих монокристалів CdTe:Cl (огляд). — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 17. |
Strelchuk V. V. High-efficient up-conversion of photoluminescence in CdSe quantum dots grown in ZnSe matrix // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4.
|
| 18. |
Каганович Э. Б. Спектры фотолюминесценции пленок нанокристаллического кремния, легированных золотом. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 19. |
Прокоф'єв Т. А. Механізми збудження фотолюмінесценції іонів <$Eroman Mn sup 2+> в реальних кристалах ZnS : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — Д., 2003
|
| 20. |
Кононец Я. Ф. Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Er в ближней инфракрасной области спектра. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
