Проведен анализ влияния параметров поверхностной рекомбинации S, R и C_s на толщину слоя, в котором формируются фотоэффекты Z_i. Установлена немонотонность изменения абсолютной величины Z_i с увеличением порядка безызлучательной поверхностной рекомбинации при фиксированном значении коэффициента поглощения k, что следует учитывать при разработке полупроводниковых приборов. Обнаружено ускорение роста зависимости внешнего квантового выхода излучения L_внеш от длины диффузии неосновных носителей заряда L_D по мере увеличения толщины образца вне зависимости от порядка поверхностной рекомбинации. В то же время по мере роста порядка поверхностной рекомбинации величина L_внеш последовательно уменьшается приблизительно на порядок при переходе от одного вида рекомбинации к другому во всем диапазоне измерения параметра L_D. Показано, что вклад изменения как объемного параматра L_D, так и параметров безызлучательной поверхностной рекомбинации в спектры излучательной рекомбинации с ростом толщины образца усиливается.

• Олексенко Павло Феофанович (1940–2021) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"