РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Журнали та продовжувані видання (1)
Наукова періодика України (1)
Пошуковий запит:
(<.>TJ=Оптоэлектроника и полупроводниковая техника<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
395
Представлено документи
з 1 до 20
...
1.
Бондаренко Г. Г.
Эффективные вторично-эмиссионные катоды
. — 2003 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
2.
Венгер Е. Ф.
Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний
. — 2001 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
3.
Томашик В. Н.
Энтропия плавления полупроводниковых соединений типа A
II
B
VI
. — 2000 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
4.
Охрименко О. Б.
Энергетические состояния в кристалле TlGaS
2
. — 2007 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
5.
Евтух А. А.
Эмиссионные характеристики углеродных структур, полученных методом электронно-лучевого испарения графита
. — 2006 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
6.
Примаченко В. Е.
Электрофизические свойства границ раздела пленка пористого (нанокристаллического) кремния/монокремний
. — 2004 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
7.
Ширшов Ю. М.
Электрополимеризованные пленки полианилина как сенсор паров HCl
. — 2002 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
8.
Кононец Я. Ф.
Электрооптические и фотоэлектрические свойства пленок германата цинка, легированного марганцем
. — 2001 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
9.
Венгер Е. Ф.
Электронные состояния на границе раздела Si - SiO
2
: (обзор)
. — 2003 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
10.
Венгер Е. Ф.
Электронные свойства покрытой пленками CaF
2
- SiO
2
поверхности германия
. — 1999 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
11.
Паюк А. П.
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge
5
As
37
S
58
- Se как регистрирующих сред
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: межвед. сб. науч. тр. - 2015. - Вып. 50.
12.
Кононец Я. Ф.
Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Er в ближней инфракрасной области спектра
. — 2003 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
13.
Свечников С. В.
Электролюминесценция Si нанокомпозитных пленок
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
14.
Болгов С. С.
Электролюминесценция гетероструктур Cd
x
Hg
1-x
Te/CdTe при комбинированном возбуждении
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
15.
Власенко Н. А.
Электролюминесцентный тонкопленочный торцевой ZnS:Er, F-излучатель в области спектра 1,48 - 1,6 мкм
. — 2006 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
16.
Денисова 3. Л.
Электролюминесцентные свойства тонкопленочных структур на основе ZnS с тонкими прослойками ZnS:Mn
. — 2001 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
17.
Хмиль Д. Н.
Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люминофора и белого света
. — 2010 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
18.
Голенков А. Г.
Шумовые характеристики ИК фотоприемного устройства
. — 2003 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
19.
Колежук К. В.
Шаруваті гетероструктури типу <$E bold {p- roman {Cu sub 1,8 S} "/" n- roman {A sup 2 B} sup 6 n- roman {A sup 2 B} sup 6}> та сенсори ультрафіолетового випромінювання на їх основі (огляд)
. — 2003 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
20.
Венгер Е. Ф.
Численное моделирование влияния толщины покровного слоя и адсорбции молекул на угол распространения в планарном поляризационном интерферометре
. — 1999 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
...
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського