РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Журнали та продовжувані видання (1)Наукова періодика України (1)
Пошуковий запит: (<.>TJ=Оптоэлектроника и полупроводниковая техника<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 395
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Бондаренко Г. Г. Эффективные вторично-эмиссионные катоды. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
2.

Венгер Е. Ф. Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
3.

Томашик В. Н. Энтропия плавления полупроводниковых соединений типа AIIBVI. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
4.

Охрименко О. Б. Энергетические состояния в кристалле TlGaS2. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
5.

Евтух А. А. Эмиссионные характеристики углеродных структур, полученных методом электронно-лучевого испарения графита. — 2006 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
6.

Примаченко В. Е. Электрофизические свойства границ раздела пленка пористого (нанокристаллического) кремния/монокремний. — 2004 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
7.

Ширшов Ю. М. Электрополимеризованные пленки полианилина как сенсор паров HCl. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
8.

Кононец Я. Ф. Электрооптические и фотоэлектрические свойства пленок германата цинка, легированного марганцем. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
9.

Венгер Е. Ф. Электронные состояния на границе раздела Si - SiO2: (обзор). — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
10.

Венгер Е. Ф. Электронные свойства покрытой пленками CaF2 - SiO2 поверхности германия. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
11.

Паюк А. П. Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge5As37S58 - Se как регистрирующих сред // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2015. - Вып. 50.
12.

Кононец Я. Ф. Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Er в ближней инфракрасной области спектра. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
13.

Свечников С. В. Электролюминесценция Si нанокомпозитных пленок. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
14.

Болгов С. С. Электролюминесценция гетероструктур CdxHg1-xTe/CdTe при комбинированном возбуждении. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
15.

Власенко Н. А. Электролюминесцентный тонкопленочный торцевой ZnS:Er, F-излучатель в области спектра 1,48 - 1,6 мкм. — 2006 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
16.

Денисова 3. Л. Электролюминесцентные свойства тонкопленочных структур на основе ZnS с тонкими прослойками ZnS:Mn. — 2001 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
17.

Хмиль Д. Н. Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люминофора и белого света. — 2010 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
18.

Голенков А. Г. Шумовые характеристики ИК фотоприемного устройства. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
19.

Колежук К. В. Шаруваті гетероструктури типу <$E bold {p- roman {Cu sub 1,8 S} "/" n- roman {A sup 2 B} sup 6 n- roman {A sup 2 B} sup 6}> та сенсори ультрафіолетового випромінювання на їх основі (огляд). — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
20.

Венгер Е. Ф. Численное моделирование влияния толщины покровного слоя и адсорбции молекул на угол распространения в планарном поляризационном интерферометре. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського