Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (1) | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>U=К232.602.6$<.>) | ||||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
||||||
| 1. | Межиловська Л. Й. Домішково-дефектна підсистема сфалеритної структури у легованих хлором кристалах телуриду кадмію / Л. Й. Межиловська, А. М. Дмитрів, М. А. Лоп'янко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 3. - С. 515-520. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 2. | Kurilo I. V. Electron diffraction study of twinning in epitaxial CdTe and $E bold {{roman Hg} sub 1-x {roman Cd} sub x roman Te} layers = Вивчення двійників в епітаксійних шарах CdTe і $E {roman Hg} sub 1-x {roman Cd} sub x roman Te методом дифракції електронів / I. V. Kurilo, I. O. Rudyj, I. E. Lopatynskij, I. S. Virt, P. Sagan, J. Zawislak, M. Kuzma // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 4. - С. 715-719. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Структуру тонких шарів CdTe і HgCdTe, одержаних за допомогою методу імпульсного лазерного осадження, досліджено з використанням електронної дифракції на проходження. Дифракційні картини мають аксіальну симетрію 12-го порядку, що свідчить про подвійну дифракцію на двійниках. Спостережувані кільця Дебая порівняно з передбаченими у відповідності з теорією для (111) двійників у текстурованих зразках. Ключ. слова: CdTe, Hg_1-xCd_xTe, 3-d defects, electron diffraction, twinning, epitaxial layers Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602.6 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 3. | Коваленко М. В. Фотохімічне керування оптичними властивостями наноструктурованих плівок телуриду кадмію / М. В. Коваленко, М. І. Боднарчук, В. Гайс, О. Л. Строюк, С. Я. Кучмій // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, вип. 3. - С. 841-848. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 4. | Юнакова О. Н. Влияние фазовых переходов на экситонный спектр поглощения KV2DCdIV4D / О. Н. Юнакова, В. К. Милославский, Е. Н. Коваленко // Физика низ. температур. - 2005. - 31, № 2. - С. 222-225. - Библиогр.: 11 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 5. | Політанський Р. Л. Структурні та оптичні властивості багатокомпонентних тонких плівок, модифікованих активними обробками : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Р. Л. Політанський; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374,022 + К232.602.6 + К235.230.26 Рубрики: Шифр НБУВ: РА315319 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 6. | Gritsook B. N. Growing Cdsub0,25/subHgsub0,75/subSe layers by laser evaporation in static vacuum / B. N. Gritsook, I. M. Fodchoock, S. V. Nichiy, Y. S. Paranchich, R. L. Politanskiy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 460-462. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
| 7. | Khrypunov M. G. Amplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride = Амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кадмію / M. G. Khrypunov, R. V. Zaitsev, D. A. Kudii, A. L. Khrypunova // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 1. - С. 01016-1-01016-5. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Досліджено амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кадмію за подачі одиночних імпульсів тривалістю 1 мкс. Експериментально встановлено, що з ростом товщини шару телуриду кадмію від 3 мкм до 8 мкм спостерігається збільшення порогу спрацьовування від 70 В до 105 В. Максимальна залишкова напруга на зразку змінюється від 12 В до 10 В, мінімальна - від 5 В до 20 В. Час перемикання зразків становив не більше 2 нсек. міжелектродна ємність зразків не більше 2 пФ. Всі досліджувані зразки спрацювали без відмови 20 разів. Проведені структурні дослідження плівок телуриду кадмію за допомогою методу рентгенівської дифрактометрїї та растрової електронної мікроскопії надали змогу запропонувати механізм реалізації моностабільного перемикання зумовленого утворенням розплавлених високопровідних каналів в зернах стовпчатої структури плівок телуриду кадмію, орієнтованих в напрямку [111]. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602.6 + В379.226 + З843.3 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського