Розглянуто у міліметровому діапазоні хвиль інтегральну p-i-n-структуру як розмірну систему. Доведено, що у випадку взаємодії p-i-n-діода з потужними надвисокочастотними (НВЧ) полями, матеріальне рівняння даної системи випливає з нелінійного рівняння амбіполярної дифузії. Визначено, що нелінійна компонента рівняння амбіполярної дифузії характеризує продетектований у неоднорідній активній області діода струм. Запропоновано аналітичні співвідношення для розрахунку значення електричної компоненти НВЧ поля (критичне значення поля), у разі якого починають домінувати нелінійні ефекти. Встановлено характер залежностей критичного значення поля від таких параметрів, як частота поля, ширина i-області p-i-n-структури, усередненого часу розсіювання імпульсу електронів і дірок, струму прямого зміщення. Побудовано математичну модель проходження НВЧ хвиль через інтегральну p-i-n-структуру стрічкового типу, яку використано для вирішення проблеми узгодження p-i-n-діода із одно- та багатомодовою лініями передач міліметрового діапазону.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено процес перетворення частоти на сучасних високолегованих діодах з бар'єром Шотткі (ДБШ) та створено на їх базі приймальні системи триміліметрового діапазону з рекордною чутливістю. Визначено оптимальний для даного діапазону тип ДБШ, обчислено його мінімальне досяжні втрати перетворення й умови їх ралізації у змішувачі. На підставі одержаних результатів створено вискочутливі приймальні системи триміліметрового діапазону, які використовуються на радіотелескопі РТ-22 (Крим, Украіна) та у складі радіометричного комплексу технологічного Університету (Гетеборг, Швеція).

  Скачати повний текст

Виявлено низку особливостей оптичних властивостей поверхневих шарів відпалених на повітрі підкладинок n-CdTe, які адекватно пояснюються у межах теорії квантово-розмірних ефектів. Зазначено, що підставі використання монокристалічного телуриду кадмію з широким спектром зміни його параметрів для створення поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) і анізотипних гетеропереходів (ГП) у сукупності з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень та спектральний склад освітлення) виділено з великого числа механізмів формування темнових і світлових характеристик діодів необхідний та детально його досліджено. Встановлено, що модифікація поверхні підкладинок n-CdTe призводить до підвищення у 1,5 - 3 рази висоти потенціального бар'єра ПБД і адекватного збільшення напруги холостого ходу. Виявлено, що спекр фоточутливості охоплює діапазон 1,3 - 5,0 еВ, а його межі визначаються типом діодної структури.

  Скачати повний текст

Досліджено формотворчі процеси на межі поділу метал/карбід кремнію під впливом активних видів обробки.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Виявлено двомірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодним контактами та методику аналізу відказів.

  Скачати повний текст

Розглянуто питання розробки достовірних експериментальних і розрахункових методів визначення критеріїв появи та кількісних характеристик оборотних відмов (відхилення вольтамперних характеристик) напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів (діодів) за умов дії імпульсного електромагнітного випромінювання. Побудовано фізичну модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів. Одержано розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик оборотних відмов напівпровідникових діодів (енергії випромінювання) за умов перехідного та черенковського випромінювання. Проведено експериментальне дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольтамперні характеристики діодів у діапазоні робочих напруг і струмів приладів такого типу. Проведено порівняльний аналіз результатів експериментальних досліджень і розрахункових оцінок оборотних відмов, доведено адекватність запропонованої фізичної моделі появи відмов напівпровідникових приладів за умов дії імпульсного випромінювання та можливість її застосування для одержання кількісних характеристик відмов такого роду.

  Скачати повний текст

Досліджено характеристики пристроїв НВЧ залежно від структури контактів діодних активних елементів і встановлено вимоги до них, що підвищують робочу частоту. Методом моделювання структури контактів обгрунтовано можливості підвищення ефективності НВЧ приладів, генерації електромагнітних коливань у діапазоні 100 - 1 000 ГГц й обгрунтовано шляхи створення нових типів НВЧ пристроїв. Запропоновано апроксимації імпедансних характеристик ДГ і ЛПД, в яких враховано розходження у виборі структури кристала та режиму роботи для генераторних і підсилювальних діодів, а також необхідність зміни структури кристалів у разі збільшення частоти. Розроблено схему синтезатора-генератора сітки частот на базі кварцового генератора та двох генераторів Ганна: опорного високостабілізованого та широкосмугового, що перестроюється керуючим сигналом.

  Скачати повний текст

Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть за незначних термінів обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально доведено, що, аналогічно випадку gamma-опромінювання, існує діапазон термінів обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено запропоновані методи та структури відповідних двотактних схем. Наведено аналітичні вирази для статичної передатної характеристики та відповідних похибок лінійності. Одержано співвідношення для визначення динамічних характеристик базових схем двотактних підсилювачів постійного струму. Проведено порівняльне схемотехнічне моделювання відомих і запропонованих схем і показано, що двотактні симетричні ППС мають кращі статичні та динамічні характеристики у порівнянні з аналогами. Доведено, що застосування аналогових вузлів, побудованих на базі двотактних підсилювачів постійного струму, дозволяє суттєво покращити інтегральну лінійність перетворювачів форми інформації.

  Скачати повний текст

Розроблено методику та зроблено оцінку міжбалістичного транспорту вільних носіїв у приладах з арсеніду галію залежно від режиму роботи та параметрів напівпровідникових структур (НПС). Запропоновано математичну модель для опису у кінетичному наближенні процесів, що відбуваються у НПС, яка враховує найбільш імовірні процеси розсіяння електронів у кристалі напівпровідника. Наведено модель і створено пакет програм для комплексного числового моделювання уніполярних напівпровідникових приладів планарної архітектури з затвором Шотткі. Проведено апробацію моделі, показано адекватність опису процесів, що відбуваються у приладах субмікронних розмірів. За допомогою даної моделі проведено цикл експериментів, що досліджують динамічні характеристики GaAs і вплив різних режимних і конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шотткі.

  Скачати повний текст

Досліджено енергетичні властивості L-, C-негатронів, що дозволило визначити взаємозв'язок між видом вебер-амперної, кулон-вольтної характеристик та еквівалентними їх схемами. Визначено умови стійкості та можливі режими роботи навантажених L-, C-негатронів N- і S-типів. Виявлено чутливість електронних кіл з даними негатронами. Показано, що L-, C-негатрони є багатофункціональними елементами, використання яких дозволяє покращати технічні характеристики елементів автоматики. Вивчено динамічні негатрони на базі біполярних і польових транзисторів у схемах включення з спільними емітером і витоком. Розглянуто коливальні контури з L-, C-негатронами. Розроблено ряд елементів автоматики на їх базі (індуктивні та ємнісні сенсори на базі L-, C-негатронів, що мають у 20 - 40 разів більшу чутливість, у порівнянні до прототипів; широкосмугові високочастотні аналогові ключі на C-негатронах).

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розроблено комплексну математичну модель з метою проведення розрахунків різних типів діодних і тріодних вістрійних структур. На підставі даної моделі здійснено моделювання досліджених структур з урахуванням кремнієвого вістря (КВ) і вістря, вкритого алмазноподібною плівкою (АПП). Уперше досліджено тріодну структуру на підставі КВ, вкритого АПП з сіткою, нанесеною на поверхню катоду. Обгрунтовано можливість одержання та підсилення коливань з урахуванням даних структур у діапазонах до 300 ГГц у тріодних структурах і до 1 000 ГГц у різноманітних модифікаціях діодних структур, а також зменшення робочих напруг у тріодних структурах до величини порядку 20 - 30 В на аноді та 10 - 15 В на сітці.

  Скачати повний текст

Досліджено особливості процесів формування високопервеансних електронних потоків з поздовжньою компресією просторового заряду (ПКПЗ), виконані з використанням числових розрахунків та моделювання електронних гармат. Розроблено електронні гармати потужністью від 0,5 до 150 кВт та макети НВЧ приладів сантиметрового та міліметрового діапазонів. Встановлено, що у високому вакуумі електронні потоки з ПКПЗ мають гаусів розподіл густини току в поперечному розрізі. Керування потоками в динаміці руху та взаємодія з металами дозволило підвищити ефективність ряду технологічних процесів. Досліджено процес генерації гальмівного рентгенівського випромінювання та визначено умови використання даного випромінювання в рентгенівській літографії. Наведено особливості взаємодії електронних потоків з матеріалами мішень. Запропоновано методи реєстрування та подавлювання плазмових коливань в зоні дії електронного променя. Проведено дослідження процесів напилювання, очистки, наплавлення та зварювання металів електронними потоками з великим просторовим зарядом.

  Скачати повний текст

Розроблено сумісні технології формування локальних планарних "кремній-на-ізоляторі" (КНІ) структур методами мікрозони лазерної рекристалізації й оригінальні технологічні підходи формування локальних тривимірних КНІ-структур. Розроблено архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою КНІ для мікросистемних використань. Досліджено можливості використання приладних КНІ-структур для екстремальних умов експлуатації. Розроблено нові тривимірні КНІ елементи для побудови мікросистем, зокрема, контакти та міжз'єднання, ключові елементи на діодах Шоткі, КНІ МОН-транзистори, елементи матриць автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування з покращаними характеристиками на основі об'ємного кремнію.

  Скачати повний текст

Розроблено конструкції та технології виготовлення автодинного сенсора дециметрового діапазону частот, придатного для проведення вимірювань кінетичних параметрів у широкому температурному діапазоні тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів у дециметровому діапазоні частот. Досягнено підвищення достовірності й ефективності вимірювань в широкому температурному діапазоні кінетичних характеристик тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів давачів інфрачервоного діапазону. Проведено дослідження впливу схемотехнічних факторів на ефективність дефектування та можливість покращання характеристик сенсора, зокрема співідношення сигнал / шум і коефіцієнта заповнення котушки.

  Скачати повний текст

Виявлено, підтверджено та досліджено явище контурного гістерезису в твердотілих мікроелектронних елементах зі структурою приладів міждоменного електронного переносу (МЕП). Теоретично обгрунтовано та експериментально підтверджено математичну модель електронних процесів у системі взаємопов'язаних надвисокочастотних (НВЧ) мікроелементів, що враховує міждоменний характер переносу заряду, на базі якої розроблено апаратурно-технологічні принципи створення нового класу однокристальних інтегрованих НВЧ-пристроїв. Запропоновано нові схемотехнічні та технологічні рішення з питань створення логічних керуючих систем на мікровакуумних і твердотілих НВЧ-мікроелементах, що моделюють за основними показниками функціонування живої клітини та імітують біопольові інформаційні впливи на організм. Розроблено новий тип мікроелектронних резонансних датчиків широкого призначення у вигляді інтегрованих однокристальних твердотілих НВЧ-мікролементів на основі арсеніду галію, запропоновано технологію їх виготовлення.

  Скачати повний текст