Критично розглянуто можливість визначення у разі зовнішніх впливів змін співвідношення між концентраціями різних центрів люмінесценції в арсеніді галію завдяки аналізу їх спектрів фотолюмінесценції. Встановлено, що гарантовані дані про ці зміни можна отримати лише у разі детального вивчення люкс-яскравісних характеристик домішкових і міждомішкових смуг. Зміна співвідношення інтенсивностей люмінесценції цих смуг свідчить про варіацію концентрації центрів, якщо їх залежності від рівня збудження у вихідних і підданих зовнішньому впливу зразках збігаються.

Розглянуто алгоритм роботи і структуру побудови мікрочіпу, призначеного для досліджень кінетики утворення агрегатних комплексів у процесі перебігу реакції латексної аглютинації. Вивчено фізичні принципи реєстрації ізотерм адсорбції білків на латексах на основі аналізу розсіяного світла. Наведено результати дослідження реакції адсорбції ферменту протакріну на гідропероксидних латексах.

Проведено теоретичний аналіз з метою подальшої розробки спектрально чутливих елементів для волоконно-оптичних пристроїв, і в тому числі для сенсорів фізичних величин. Проведено прогнозування характеристик таких елементів. Аналіз показав, що коефіцієнт зв'язку між поширюваними модами (падаючими і відбитими) для гратки на оболонці оптичного волокна є достатнім для виготовлення чутливих елементів завдяки тому, що на оболонці можна добитися значної еквівалентної періодичної зміни показника заломлення незважаючи на те, що амплітуда хвилі на оболонці значно менша, ніж на серцевині. Такі гратки можна створювати з використанням фотополімерних середовищ голографічним методом за допомогою лазерів, які працюють в синьо-зеленій області спектра. Можливий також варіант гофрованої за синусоїдальним законом границі між серцевиною і оболонкою волокна, а також між оболонкою та зовнішнім середовищем, наприклад, водою, в якій розчинено різні речовини, що впливають на заломлення і поглинання світлових хвиль, які поширюються у волокні.

Розглянуто існуючу ситуацію в теорії оптичних сталих речовини для різних спектральних ділянок поглинання світла. Наголошено, що досі не існує загальноприйнятої формули для обчислення показника заломлення в рентгенівській області. Проаналізовано співвідношення (одержані на підставі трьох різних підходів) між кутами заломлення та падіння світла для випадку межі поділу прозоре середовище / поглинаюче середовище. Шляхом аналізу відповідних графіків надано оцінку кожному співвідношенню стосовно можливості його практичного застосування. Запропоновано новий варіант закону Декарта - Снеліуса. Вперше отримано вираз, який є повністю обгрунтованим математично та фізично. Його можна рекомендувати для використання, в першу чергу, під час розрахунків багатошарових покриттів елементів рентгенівської оптики. Наголошено на необхідності подальших досліджень у даному напрямку, особливо у разі постановки відповідних експериментів на різних ділянках оптичного та рентгенівського спектрів.

З`ясовано особливості переносу заряду під впливом лінійно поляризованого світла в фотомагнітних гранатах ЗІГ:Si та ЗІГ:Со. Такий порівняльний аналіз є необхідним для створення бази теоретичної моделі фотоіндукованих магнітних ефектів (ФІМЕ) в гранатах та інших матеріалах, а також для пояснення експериментальних результатів за спостереженням ФІМЕ в ЗІГ:Со навіть за кімнатних температур. Відомі експериментальні результати для ЗІГ:Со адекватно описано у межах запропонованої спрощеної теоретичної моделі.

Проаналізовано сингулярні властивості крайової дислокаційної хвилі - основної інформаційної складової поля, що формується під час дифракції плоскої хвилі на півплощині. Показано, що аналітична структура даної хвилі повністю тотожна спіралі Корню, в той час, як для її фізичного моделювання потрібно об'єднання плоскої хвилі з крайовою дислокацією. Дислокації даного типу дуже критичні до дії на них будь-яких амплітудно-фазових збурень, що з урахуванням дії реальних шумів істотно ускладнює їх експериментальне виділення в чистому вигляді. Водночас просторовим положенням такої дислокації можна ефективно управляти, що змінює амплітуду та фазу однієї з хвильових компонент. Обговорено особливості структурної еволюції поля у разі ускладнення форми дифракційної апертури.

Описано комплексні дослідження перилентетракарбоксибісімідних похідних у водних розчинах. Результати наведено для багатьох концентрацій у широкому інтервалі температур. У разі збільшення концентрації у спектрах поглинання експериментально спостерігались максимуми в довгохвильовій області поглинання, які можуть бути пояснені зменшенням кількості окремих молекул барвника і формуванням агрегатів. Цей факт також відповідає за зсув і зміну форми спектрів випромінювання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 + К230.26

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Тонкі шари (плівки) кольорових металів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-1с + В379.224в734.5

Рубрики:

Скло і скловироби

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.42 + К232.504.3

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Структурні та фазова перетворення у цинку та його сплавах

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено ріст алмазних плівок на кремнієвих підкладках за температур 180 - 360 °С, а також вплив типу джерела вуглеводнів на умови росту і якість алмазної плівки. Виконано серію експериментів для дослідження впливу температури підкладки на швидкість росту плівок та їх якість. Якість синтезованих плівок контролювалась методом комбінаційного розсіювання. Показано, що у разі використання метану як джерела вуглеводнів досягається швидкість росту до 1,5 мкм/год. Використання етану призводить до зменшення швидкості росту, але якість алмазної плівки та морфологія кристалітів покращуються. Зниження температури підкладки до 180 °С призводить до зменшення розмірів зерен та зменшення частки алмазної фази в плівці.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.24 + К232.601

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + К232.102 + К232.702

Рубрики:

Структура напівпровідників

Кристалічна будова важких кольорових металів і сплавів

Кристалічна будова олова та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В343.6

Рубрики:

Розсіяння світла

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + К663.033.05

Рубрики:

Електричні властивості

Електрометалізація металів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.275

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Фотомагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.275

Рубрики:

Фотомагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ