Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>TJ=SEMICONDUCTOR PHYSICS, QUANTUM ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS - 2000 - Т. 3 - № 4<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 24
Представлено документи з 1 до 20
...

      
Категорія:    
1.

Kravets V. G. 
Characterization and optical properties of organic dye films as recording media / V. G. Kravets, K. L. Vinnichenko, O. V. Prygun // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 520-522. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З973-045.47

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Kruglenko I. V. 
Digital aroma technology for chemical sensing: temporal chemical images of complex mixtures / I. V. Kruglenko, B. A. Snopok, Y. M. Shirshov, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 529-541. - Бібліогр.: 77 назв. - англ.

Обгрунтовано широке використання приладів типу "Електронний ніс", які забезпечують необхідну чутливість, відтворюваність і дискримінуючу здатність чутливих елементів, що складають матрицю. Вибір сенсорного набору з відповідною хімічною функціональністю дозволяє проводити аналіз складних хімічних сумішей невідомої природи. Обговорено нову тенденцію добування хімічної інформації з сенсорних масивів, яка грунтується на врахуванні кінетичних особливостей сенсорного відклику для забезпечення адекватного формування хімічних образів та їх класифікації. Застосовано багатомірний аналіз набору даних, який забезпечує зменшення числа сенсорів у масиві та часу відклику сенсорних матриць. Цифрову технологію запахів можна застосовувати не тільки для формування хімічних образів, що використовують інтелектуальні масиви датчиків, але також як ефективний експериментальний підхід для визначення характеристик покриття. Зазначений підхід дозволяє також проводити цілеспрямований пошук чутливих шарів із заданою хімічною функціональністю, що базується на часодозволеному розпізнаванні образів.

Аргументировано широкое использование приборов типа "Электронный нос", обеспечивающих необходимую чувствительность, воспроизводимость и дискриминирующую способность чувствительных элементов, составляющих матрицу. Основываясь на выборе сенсорного набора с соответствующей химической функциональностью, возможно проводить анализ сложных химических смесей неизвестной природы. Обсужден новый подход для получения химической информации от сенсорных массивов, основанный на учете кинетических особенностей сенсорного отклика для обеспечения более адекватного формирования химических образов и их классификации. Рассмотрена процедура многомерного статистического анализа, обеспечивающая уменьшение числа сенсоров в массиве и времени отклика. Цифровая технология запахов может использоваться для формирования химических образов, задействующих интеллектуальные массивы датчиков, эффективного экспериментального подхода для определения характеристик покрытий. Такой подход позволяет также проводить целенаправленный поиск чувствительных слоев с заданной химической функциональностью на основании времяразрешенного распознавания образов.

The reliability of "Electronic nose" applications is mainly based on the sensitivity, repeatability and discernment properties of the sensors composing the array. Due to nature of the chosen sensitive layers, the sensors are particularly suitable to classify environments in which compounds with various chemical functionality play a key role. This article is focusing on the novel strategy aimed at the improving the quality and quantity of chemical information from the sensing instruments based on incorporation kinetic aspects of the array response for perfect formation and improved discrimination of chemical images of the probes. We describe a procedure for reducing both time response and number of elements of gas sensor arrays based on principal component analysis (PCA). Thus, digital aroma technology may be used not only as background for formation of chemical images using intelligent sensor massifs but as well as effective experimental tools for characterization and selection coatings with desired chemical functionality by using time-resolved pattern recognition.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г47

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Sosnin A. 
Image infrared converters based on ferroelectric-semiconductor thin-layer systems / A. Sosnin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 489-495. - Бібліогр.: 42 назв. - англ.

Розглянуто деякі питання застосування піроелектричних сенсорів у мікрофотоелектроніці. Підсумовано дані про головні характеристики різноманітних піроелектричних матеріалів (монокристалів, керамік, тонких плівок). Наведено основні параметри неохолоджуваних тепловізійних перетворювачів зображення, які є перспективним напрямком застосування інфрачервоної техніки.

Рассмотрены некоторые вопросы применения пироэлектрических сенсоров в микрофотоэлектронике. Подытожены данные об основных характеристиках разных пироэлектрических материалов (монокристаллов, керамик, тонких плёнок). Приведены также основные параметры неохлаждаемых тепловизионных преобразователей изображения, которые рассмотрены как перспективное направление применения инфракрасной техники.

Some questions concerning pyroelectric sensors application in micro-photo-electronics are considered. Data upon main characteristics of different pyroelectric materials (single crystals, ceramics, thin films) are summarized. Also represented are basicparameters of uncooled pyroelectric thermal vision image converters as a promising direction of the infrared engineering.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Zymierska D. 
Investigations of surfaces morphology and microrelief of GaAs single crystals by complementary methods / D. Zymierska, J. Auleytner, N. Dmitruk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 438-444. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.

Експериментально вивчено морфологію та геометричний рельєф реальних поверхонь (100) монокристалів GaAs, вирощених способом Чохральського. Поверхні отримано різними способами: механічним і хіміко-механічним поліруванням, механічним різанням, анізотропним хімічним травленням. Як взаємодоповнювальні методи використано ковзне відбиття рентгенівських променів, оптичне дзеркальне відбиття, профілометрію, скануючі тунельну мікроскопію та мікроскопію атомних сил. Проведено порівняння результатів вимірювань геометричної структури поверхні, отриманих різними методами, і з'ясовано, що реальну поверхню GaAs можна описати як суперпозицію мікро- та макрошорсткостей, які проявляються у випадку розсіяння електромагнітних хвиль з відповідною довжиною хвилі.

Экспериментально изучено морфологию и геометрический рельеф реальных поверхностей (100) монокристаллов GaAs, выращенных способом Чохральского. Поверхности получены способами механической и химико-механической полировки, механической резки, анизотропного химического травления. Как взаимодополняющие использованы методы скользящего отражения рентгеновских лучей, оптического зеркального отражения, профилометрии, сканирующих туннельной и атомных сил микроскопии. Результаты измерений сравнены различными методами и установлено, что реальную поверхность GaAs можно представить суперпозицией микро- и макрошероховатостей, которые проявляются при рассеивании электромагнитных волн с соответствующей длиной волны.

The paper presents the study of morphology and roughness of (100) surfaces of GaAs single crystals grown by the Czochralski method. The surfaces were prepared in a different way: mechanical polishing, chemomechanical polishing, mechanical grinding, wet polishing etching, anisotropic etching. The X-ray grazing incidence reflectivity, atomic force microscopy, scanning tunneling microscopy, optical specular reflection, and profilometric methods were complementary used. The application of these methods allowed to reveal the details of differences in the surface morphology varied with the way of its preparation.


Індекс рубрикатора НБУВ: К233.502.1 + В372.23

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Pokropivny V. V. 
Lattice of superconducting multilayer nanotubes as ideal high-temperature superconductor / V. V. Pokropivny, I. M. Makarov, A. V. Pokropivny // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 550-553. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.

Запропоновано новий перспективний тип матеріалу з властивостями високотемпературного надпровідника, що являє собою щільно упаковану гратку квазіодномірних нанотрубок. Надпровідні властивості матеріалу можуть бути реалізовані в коаксіальній багатошаровій геометрії нанотрубок, коли кореляційна довжина дорівнює діаметру трубок, і вони відіграють роль ідеальних природних пасток для пінінгу вихорів Абрикосова.

Предложен новый перспективный тип материала, обладающий свойствами высокотемпературного сверхпроводника и представляющий собой плотно упакованную решётку квазиодномерных нанотрубок. Сверхпроводниковые свойства материала могут быть реализованы в коаксиальной многослойной геометрии нанотрубок, когда корреляционная длина равняется диаметру трубок, и они играют роль идеальных естественных ловушек для пиннинга вихрей Абрикосова.

Combining Little's and Ginzburg's ideas with recent progress in nano-tubes research, a novel type of material is advanced as a perspective high-Tc superconductor on base of a close-packed lattice of quasi-1D superconducting nanotubes. Idea is offered that superconducting coaxial multilayer nanotubes of the correlation length in diameter is an ideal and natural trap for pinning of Abrikosov vortex. Nanotube should be layered superconductor, such as LuNiBC. Mechanism of superconductivity was proposed and substantiated quantitatively on base of a whispering mode, which is shown to be responsible for a strong enhancement of electron-phonon interaction and for an increase of critical temperature. Nanocomposite built from such quasi-1D nanotubes when coinciding with vortex lattice provides ideal conditions for the pinning, resonance, distortion, ordering and Little-Parks effects, the joint action of which is suggested to result in synergetic effect increasing the superconductivity. Such quasi-1D nanotubular crystal is proposed to synthesize by template approach using zeolite-like membrane.


Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Oleinik V. P. 
New ideas in electrodynamics: physical properties of time / V. P. Oleinik, Yu. C. Borimsky, Yu. D. Arepjev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 558-565. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

Передбачено явище локальної динамічної неоднорідності часу. Це означає, що хід часу вздовж траєкторії руху частинки в інерціальній системі відліку залежить від стану руху частинки під впливом силового поля. Вважається, що можливість впливати на хід часу є однією з найбільш фундаментальних властивостей будь-якої матеріальної системи і прямим наслідком псевдоевклідовості простору - часу. Наголошено на практичному значенні досліджень динамічних властивостей часу.

Предсказано явление локальной динамической неоднородности времени. Подразумевается, что ход времени вдоль траектории движения частицы в инерциальной системе отсчёта зависит от состояния движения частицы под влиянием силового поля. Считается, что возможность влиять на ход времени - это одно из наиболее фундаментальных свойств любой материальной системы и является прямым следствием псевдоэвклидовости пространства-времени. Подчеркнуто практическое значение исследований динамических свойств времени.

The phenomenon of local dynamical inhomogeneity of time is predicted, which implies that the course of time along the trajectory of particle motion in the inertial reference frames moving relatively to each other depends on the state of motion of the particle under the force field influence. The inferences of the paper are not based on the use of any hypotheses and strictly follow from relativistic equations of motion and relativity principle. As is seen from the results obtained, the ability to influence the course of time represents one of the most fundamental properties of any material system intrinsically inherent in it by the very nature of things, which manifests itself when the system interacts with force fields. The dependence of the course of time upon the behaviour of physical system is a direct consequence of the pseudoeuclidity of space-time. It is demonstrated with point particle that the change in the course of time results in the appearance of an additional force acting on the particle. The practical significance of investigation on the dynamical properties of time is emphasized.


Індекс рубрикатора НБУВ: В313.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Diener J. 
Polarization properties of the luminescence from silicon nanocrystals / J. Diener, D. Kovalev, G. Polisski, F. Koch // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 445-448. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.

Для з'ясування природи лінійно поляризованої люмінеcценції поруватого кремнію, яка збуджується лінійно поляризованим світлом, виконано експерименти зі збудження поляризаційно залежної фотолюмінесценції з розділенням за часом. Показано, що під час збудження люмінесценції квантами світла з енергією значно більшою, ніж у квантів випромінювання, цей ефект не пов'язаний з когерентною орієнтацією екситонів або селективним оптичним збудженням лише тих нанокристалів, дипольні моменти переходу яких орієнтовано паралельно вектору поляризації збуджуючого світла. Результати експериментів інтерпретовано в межах діелектричної моделі у припущенні асферичної форми нанокристалів.

Для выяснения природы линейно поляризованной люминесценции пористого кремния, возбуждаемой линейно поляризованным светом, выполнены эксперименты по возбуждению поляризационно зависимой фотолюминесценции с разрешением во времени. Показано, что при возбуждении люминесценции квантами света с энергией значительно большей, чем у квантов излучения, этот эффект не связан с когерентным выстраиванием экситонов или селективным оптическим возбуждением только тех нанокристаллов, чьи дипольные моменты перехода ориентированы параллельно вектору поляризации возбуждающего света. Результаты экспериментов интерпретируются в рамках диэлектрической модели в предположении асферической формы нанокристаллов.

Polarization dependent photoluminescence (PL), time-resolved PL and PL excitation experiments are performed in order to clarify the origin of the linear polarization of the PL of porous silicon excited by linear polarized light. It is shown that this effect, when PL is excited significantly above the detection energy, is not related to a coherent exciton alignment or selective optical excitation of those nanocrystals whose transition dipole moments are oriented parallel to the polarization vector of the exciting light. The experimental results are interpreted in the framework of a dielectric model assuming aspheric nanocrystals.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.349

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Fedorov A. G. 
Simulation of low angle X-ray diffractionon multilayers subjected to diffusion / A. G. Fedorov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 554-557. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Запропоновано розрахунковий метод, який базується на диференціальному рівнянні типу Рікатті, випробуваний для моделювання малокутових рентгенівських дифрактограм одномірно впорядкованих багатошарових плівок. Знайдено деякі особливості дифракції, пов'язані з асиметричною деформацією профілю багатошарової плівки внаслідок неоднакових процесів на межах шарів.

Предложен расчетный метод, основанный на дифференциальном уравнении типа Риккатти, который был испытан для моделирования малоугловых рентгеновских дифрактограмм одномерно упорядоченных многослойных плёнок. Обнаружены некоторые особенности дифракции, связанные с асимметричной деформацией профиля многослойной пленки вследствие разных процессов на границах слоев.

Calculative method based on the Riccatti type differential equation was tested for simulation of low angle X-ray diffraction patterns from the one-dimensionally ordered multilayer. Some peculiarities of diffraction were revealed connected with asymmetrical distortion of the multilayer profile due to different processes on the layer boundaries.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В374.7

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Popov V. G. 
Solar cells based on multicrystalline silicon / V. G. Popov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 479-488. - Бібліогр.: 38 назв. - англ.

Подано огляд сучасних публікацій, присвячених питанням розробки і виготовлення фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії (сонячних елементів) на основі блочного полікристалічного кремнію (полі-Si). Розглянуто методи одержання злитків полікристалічного кремнію, механічної та хімічної обробок, характеристики полікристалічного кремнію залежно від розміру зерен і домішково-дефектного складу. Проаналізовано методи покращання параметрів полікристалічного Si (гетерування, обробки в різних середовищах, пасивувальні обробки). Розглянуто основні особливості сонячних елементів на основі полі-Si та технологічні режими їх виготовлення. Показано, що ефективність таких сонячних елементів практично наблизилась до ефективності, характерної для елементів, виготовлених на основі монокристалічного Si, отримуваного за методом Чохральського. Розглянуто деякі проблеми визначення часу життя неосновних нерівноважних носіїв заряду в полікристалічному матеріалі.

Проведен обзор современных публикаций, посвященных вопросам разработки и изготовления фотовольтаических преобразователей солнечной энергии (солнечных элементов) на основе блочного поликристаллического кремния (поли-Si). Рассмотрены методы получения слитков поликристаллического кремния, механическая и химическая обработки, характеристики поликристаллического кремния в зависимости от размера зерен и примесно-дефектного состава. Проанализированы методы улучшения параметров поликристаллического Si (геттерирование, обработка в различных средах, пассивирующие обработки). Рассмотрены основные конструктивные особенности солнечных элементов на основе поли-Si и технологические режимы их изготовления. Показано, что эффективность таких солнечных элементов практически приблизилась к эффективности, характерной для элементов, изготовленных на основе монокристаллического Si, получаемого методом Чохральского. Рассмотрены некоторые проблемы определения времени жизни неосновных неравновесных носителей заряда в поликристаллическом материале.

This review comprises modern publications devoted to problems of development and manufacturing photovoltaic solar energy converters (solar cells) based on block multicrystalline silicon (poly-Si). Methods of growing polysilicon ingots, mechanical and chemical treatment, characteristics of polysilicon depending on grain sizes and impurity-defect composition are considered. Methods of improving polycrystalline Si parameters (gettering, treatments in different ambients, passivating treatments) are analyzed. Basic design features of the poly-Si based solar cells and technological modes of their manufacturing are surveyed. It is shown that the efficiency value of such solar cells practically reaches that of similar devices manufactured using single-crystalline Si grown by the Czochralski method. Some problems of measurements of minority non-equilibrium charge carriers lifetime in polycrystalline material are surveyed.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.86

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Alexeyev N. M. 
Spin-orbit interaction in a generic vortex field transmitted through an elliptic fiber / N. M. Alexeyev, S. Soskin, A. V. Volyar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 500-513. - Бібліогр.: 34 назв. - англ.

Розглянуто процес розповсюдження оптичних вихорів у слабко напрямному оптичному волокні з еліптичним поперечним перерізом. На основі теорії збурень знайдено вид оператора спін-орбітальної взаємодії, побудовано множину власних функцій, знайдено поляризаційні поправки до скалярної постійної розповсюдження. Обговорено проблему конверсії спінового та орбітального кутових моментів у разі поширення світла через еліптичне волокно. Порівняно результати, отримані іншими методами.

Рассмотрен процесс распространения оптических вихрей в слабо направляющем оптическом волокне с эллиптическим поперечным сечением. На основе теории возмущений найден вид оператора спин - орбитального взаимодействия, построено множество собственных функций, найдены поляризационные поправки к скалярной постоянной распространения. Обсуждена проблема конверсии спинового и орбитального угловых моментов при распространении света через эллиптическое волокно. Сравнены результаты работ, полученные другими способами.

Any small external perturbation on an ideal round optical fiber induces cross - section deformation and transforms eigen guided vortices into generic vortex fields, which can change their structure and angular momentum. It is the properties of these vortical fields in an elliptic weakly guiding optical fiber that we consider in this paper. The eigenfunctions and the spectrum of polarization corrections to the scalar propagation constant in the case of relatively large and small values of a fiber ellipticity are obtained by means of the spin-orbit interaction operator method. Discussed is the conversion process of a spin and orbit angular momenta on a vortex propagation along a deformed fiber.


Індекс рубрикатора НБУВ: З861.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Vakulenko O. V. 
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon / O. V. Vakulenko, S. V. Kondratenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 453-455. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Проведено виміри спектрів фотопровідності (ФП) та спектрів фотомагнітного ефекту (ФМЕ) зразків монокристалічного кремнію, які зазанали неоднорідної деформації вигину. Така деформація призводить до зменшення спаду спектра ФП у короткохвильовій області за умов освітлення поверхні зразка, яка зазанає деформації розтягу. За тих самих умов деформації форма спектрів ФМЕ зазнає змін лише у довгохвильовій області. Отримані результати пояснюються зменшенням дифузійної довжини внаслідок зменшення коефіцієнта дифузії під дією градієнта напруг.

Проведены измерения спектров фотопроводимости (ФП) и спектров фотомагнитного эффекта (ФМЭ) образцов монокристаллического кремния, которые подвергались неоднородной деформации сгиба. Такая деформация приводит к уменьшению спада спектра ФП в коротковолновой области при освещении поверхности образца, которая испытывает деформацию растяжения. При тех же условиях деформации форма спектров ФМЭ изменяется только в длинноволновой области. Полученные результаты объясняются уменьшением диффузионной длины вследствие уменьшения коэффициента диффузии под действием градиента напряжений.

Measurements of the photoconductivity (PC) and photomagnetic effect (PME) spectra of crystalline silicon were carried out for the sample under the not uniform bend deformation. This deformation causes a decrease of the photoconductivity spectrum fall in the short-wave region in illuminating the stretched surface. Under constant deformation conditions the PME spectrum form is changed only in the long-wave region. The obtained data are explained by diffusion length decreasing in consequence of decreasing the diffusion coefficient under the influence of a strain gradient.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Baschenko S. M. 
Advanced modification of main types of excimer laser resonators / S. M. Baschenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 523-528. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З86-53

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
13.

Kovalenko S. A. 
Dimensional effects in thin gold films / S. A. Kovalenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 514-519. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К234.102.6 + В378.26 + В378.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
14.

Evtukh A. A. 
Electron field emmision from laser produced silicon tip array / A. A. Evtukh, E. B. Kaganovich, V. G. Litovchenko, Yu. M. Litvin, D. V. Fedin, E. G. Manoilov, S. V. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 474-478. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.3 + Г124.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
15.

Demidenko A. A. 
Generation of coherent confined acoustic phonons by drifting electrons in quantum wire / A. A. Demidenko, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 432-437. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В323.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
16.

Gritsook B. N. 
Growing Cdsub0,25/subHgsub0,75/subSe layers by laser evaporation in static vacuum / B. N. Gritsook, I. M. Fodchoock, S. V. Nichiy, Y. S. Paranchich, R. L. Politanskiy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 460-462. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602.6 + К663.030.022 + В372.6

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
17.

Kudryavtsev A. A. 
Heat flux effect on photoenhanced and dark silver motion in a thin Assub2/subSsub3/sub layer / A. A. Kudryavtsev, E. V. Michailovskaya // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 469-473. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В378.5 + В378.26 + Г121.32

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
18.

Park C. W. 
Metal-dielectric black matrix for display devices / C. W. Park, J. B. Lee, Y. R. Do, P. O. Shepeliavyi, K. Michailovs`ka, I. Indutnyy, O. Kudryavtsev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 496-499. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З851.132.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
19.

Gumenjuk A. F. 
Oscillator regularity of the trap activation energies in NaCl crystals / A. F. Gumenjuk, S. Yu. Kutovyi, V. A. Kurilova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 463-468. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В344.317

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
20.

Demidenko A. A. 
Piezoelectrically active acoustic waves confined in a quantum well and their amplification by electron drift / A. A. Demidenko, V. A. Kochelap, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 427-431. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В325.5

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 


...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського