Проведен анализ тепловых и частотных свойств диода Ганна с многокольцевым катодом. Показано, что расширение частотного диапазона диода Ганна, увеличение эффективности и входной непрерывной мощности, подводимой по питанию, возможно в случае выполнения области катода в виде концентрических колец, инжектирующих ток в активную область прибора, разделенных областями, ограничивающими инжекцию тока. Исследованы тепловые свойства диода.

Описана модель ячейки периодической структуры диода Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов. Показано, что эффективность и частотный диапазон диода Ганна с островковыми омическими катодными контактами существенно увеличиваются, если островковые омические контакты заменить на островковые инжекторы "горячих" электронов.

Предлагается методика описания умножения в движущемся домене и формирования вольт-амперной характеристики диодов Ганна, использующая сведения из решения кинетических уравнений для двухдолинных полупроводников в сильных электрических полях.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24

Рубрики:

Опірні діоди (напівпровідникові стабілітрони)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.23с

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж27665 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Экспериментально исследованы выходные ватт-частотные характеристики GaAs-генераторов Ганна, работающих на 1-й (8-мм) или 2-й (4-мм) гармонике. Показано, что в диапазоне температур окружающей среды 20 - 70 °C полоса генерируемых частот сужается на 15 - 30 %.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж27665 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: арсенид галлия, катодный контакт, барьер Шоттки, диод Ганна, генераторный модуль, КВЧ-аппараты, КВЧ-терапия, РАМЕД ЭКСПЕРТ.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: диоды Шоттки, силицид палладия, термическое испарение, вольт-амперные характеристики.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Аналізуються імпедансні характеристики одночасно працюючих діодів, що мають негативну диференціальну провідність в широкому діапазоні частот. Показано, що кожна зв'язка діодів з диференціальною провідністю має свій діапазон частот, в якому ці діоди можуть працювати одночасно на одній частоті. Зв'язка резонансно тунельного діода InGaAs/AlAs з діодом із обмеженням накопичення об'ємного заряду працює в діапазоні частот 50 - 100 ГГц, а зв'язка тунельний діод з діодом Ганна в діапазоні частот 25 - 40 ГГц

Анализируются импедансные характеристики совместно работающих диодов с отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот. Показано, что каждая связка диодов с отрицательной дифференциальной проводимостью имеет свой диапазон частот, в котором эти диоды могут совместно работать на одной частоте. Cвязка резонансно-туннельного диода InGaAs/AlAs с диодом с ограничением накопления объемного заряда работает на частотах 50-100 ГГц, а связки туннельного диода с диодом Ганна в диапазоне частот 25-40 ГГц

The impedance of the connected in series negative difference conductivity (NDC) diodes in the wide frequency range are analyzed. It is shown that each combination of NDC diodes corresponds the frequency range where these diodes can jointly work at onefrequency. The operation frequencies for combination of InGaAs/AlAs resonance tunnel diodes and LSA diode are 50-100 GHz, for combination of the resonance tunnel diodes and Gunn diodes are 25-40 GHz

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2я73-1

Шифр НБУВ: ВА643224 Пошук видання у каталогах НБУВ 

С целью расширения вверх диапазона рабочих частот электромагнитного излучения и получения высококогерентного излучения предложено осуществлять умножение частоты исходного сигнала. Рассмотрен удвоитель частоты на диодах с барьером Шоттки. Описан принцип построения удвоителя частоты для применения в аппаратуре КВЧ-терапии.

With the purpose of expansion upwards of the range of working frequencies of electromagnetic radiation and reception of high-coherent radiation it is offered to carry out the multiplying of frequency of initial signal. The doubler of frequency on diodes with the Shottky barrier is considered.

Ключ. слова: КВЧ-терапия, диод Ганна, арсенид галлия.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено основні фотоелектричні властивості анізотропних гетеропереходів, одержаних термічним окисненням монокристалічних підкладинок. Залежності напруги холостого ходу та струму короткого замикання від рівня освітленості пояснюються у межах теорії лінійної генерації фотоносіїв з урахуванням фотопровідності високоомної бази діодної структури. Фотострум зумовлений генерацією нерівноважних носіїв під дією опромінення в області просторового заряду гетеропереходу через локальні глибокі центри.

The basic photoelectric characteristics of the anisotropic heterojunctions that were created by a thermal oxidizing of monocrystal substrates was investigated. Influence of a floating voltage and a short-circuit current on a illumination level explains within the framework of the linear generation theory of photocarriers. A photoconduction of high-resistance basis of the diode structure is taking in to account. The photocurrent is caused by generation of nonequilibrium carriers at illumination in thespatial charge area of a heterojunction through local deep centers

The possibility of using of the IR radiation from semiconductor for an express-diagnostics of the semiconductor diode quality was reasoned. The method of separation of the recombination and thermal radiaton components from the heated diod crystal was developed. We showed the possibility of selection of the diod crystal soldering conditions when the crystal surface was heated homogeneously using diod thermal radiation.