Пошуковий запит: (<.>U=З852.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 478
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж27665/рад.эл. Каневский В. И. Анализ частотных и тепловых свойств диода Ганна с многокольцевым катодом [Текст] 42: 1 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.38-45
|
| 2. | Ж27665/рад. эл. Каневский В. И. Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов [Текст] 43: 7-8, [ч. 2] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.73-80
|
| 3. | Ж69103 Авакьянц Г. М. Формирование вольт-амперной характеристики диодов Ганна в условиях умножения [Текст]: Вып. 9 // Вестн. Харьк. гос. автомоб.-дор. техн. ун-та.-С.78-80
|
| 4. | Ж26988 Tagaev M. B. Effect of Ultrasonic Treatment of Silicon Impatt Diodes, Power Schottky Diodes and Zener Diodes on their Electrical Characteristics [Текст] 45: 3 // Укр. фіз. журн.-С.364-367
|
| 5. | Ж29137 Аркуша Ю. В. Влияние запорного металлического катодного контакта на работу диодов Ганна на основе InxGa1 - xAs [Текст] / Ю. В. Аркуша: 513 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.-С.62-64
|
| 6. | Ж29137 Стороженко И. П. Вольтамперные характеристики диодов Ганна с двумя активными областями и гетеропереходом [Текст] / И. П. Стороженко: 513 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.-С.65-68
|
| 7. | Ж27665/рад. эл. Абрамов И. И. Нелинейная электрическая модель резонансно-туннельного диода [Текст] 43: 3 // Изв. вузов. Радиоэлектроника .-С.59-63
|
| 8. | Ж27665 Чайка В. Е. Отрицательная динамическая проводимость в диодных структурах с многослойным острийным катодом [Текст] 42: 10 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.76-80
|
| 9. | Ж29137 Дядченко А. В. Температурная зависимость полосы частотной перестройки генератора гармоник на GaAs-диодах Ганна [Текст] / А. В. Дядченко, А. А. Мишнев, Э. Д. Прохоров: 513 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.-С.47-49
|
| 10. | Ж69398 Боцула О. В. Умножение частоты миллиметрового диапазона на резонансно-туннельных диодах [Текст] 5: 3 // Радиофизика и электроника.-С.110-113
|
| 11. | Ж27665 Михайлов А. И. Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия [Текст] 42: 10 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.46-50
|
| 12. | Ж69398 Шеховцов Н. А. Электронно-дырочные процессы в антизапорном m-n контакте [Текст] 5: 3 // Радиофизика и электроника.-С.97-103
|
| 13. | Ж14479 Яцуненко А. Г. Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.46-48
|
| 14. | Ж14479 Ануфриев Л. П. Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.55-56
|
| 15. | Ж69398 Боцула О. В. Импедансные характеристики совместно работающих диодов с отрицательной дифференциальной проводимостью [Текст] 9: 1 // Радиофизика и электроника.-С.282-288
|
| 16. | ВА643224 Осадчук В. С.Вінниц. держ. техн. ун-т. Напівпровідникові діоди [Текст] : Навч. посіб. для студ. спец. "Мікроелектрон. та напівпровідник. прилади" та "Електрон. пристрої та прилади"
|
| 17. | Ж14479 Перфильев В. И. Полупроводниковый генераторный модуль с умножением частоты для аппаратуры КВЧ-терапии [Текст] / В. И. Перфильев, С. В. Плаксин, С. И. Соколовский: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.33-37
|
| 18. | Ж14479 Иванов В. Н. Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.55-57
|
| 19. | Ж26618 Ковалюк З. Д. Фотоелектричні властивості гетеропереходів <$Eroman bold {In sub 2 O sub 3 }>-InSe [Текст] 4: 2 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.267-270
|
| 20. | Ж14479 Павлюк С. П. Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.62-64
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка