Досліджено процес перетворення частоти на сучасних високолегованих діодах з бар'єром Шотткі (ДБШ) та створено на їх базі приймальні системи триміліметрового діапазону з рекордною чутливістю. Визначено оптимальний для даного діапазону тип ДБШ, обчислено його мінімальне досяжні втрати перетворення й умови їх ралізації у змішувачі. На підставі одержаних результатів створено вискочутливі приймальні системи триміліметрового діапазону, які використовуються на радіотелескопі РТ-22 (Крим, Украіна) та у складі радіометричного комплексу технологічного Університету (Гетеборг, Швеція).

  Скачати повний текст

Виявлено низку особливостей оптичних властивостей поверхневих шарів відпалених на повітрі підкладинок n-CdTe, які адекватно пояснюються у межах теорії квантово-розмірних ефектів. Зазначено, що підставі використання монокристалічного телуриду кадмію з широким спектром зміни його параметрів для створення поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) і анізотипних гетеропереходів (ГП) у сукупності з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень та спектральний склад освітлення) виділено з великого числа механізмів формування темнових і світлових характеристик діодів необхідний та детально його досліджено. Встановлено, що модифікація поверхні підкладинок n-CdTe призводить до підвищення у 1,5 - 3 рази висоти потенціального бар'єра ПБД і адекватного збільшення напруги холостого ходу. Виявлено, що спекр фоточутливості охоплює діапазон 1,3 - 5,0 еВ, а його межі визначаються типом діодної структури.

  Скачати повний текст

Виявлено двомірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодним контактами та методику аналізу відказів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розраховано та досліджено модель мікропотужної оптопари ДВЧ діапазону у вигляді світлодіоду з підвищеним коефіцієнтом корисної дії випромінювання та фотоприймача у складі p - i - n фотодіоду, який інтегровано в базу високочастотного n - p - n транзистора, що дозволяє підвищити їх частотні характеристики, розширити дані про конструкції та використати їх для цифрової інтегральної схеми (ІС) з оптичними зв'язками. Розроблено модель адаптивної мікропотужної оптоелектронної схеми логіки NАБО-НІ, що дає можливість одержати нові відомості про процеси її перемикання та досягнути їй параметрів вентилів відомих типів логіки.

  Скачати повний текст

Вперше узагальнено рівняння Вінера - Хопфа на випадок, коли образ випадкового оптичного сигналу, що поступає на вхід лінійної системи, є скінченною множиною відлікових значень на виході системи. Встановлено зв'язок між розв'язками одержаного рівняння та основним співвідношенням теореми відліків. Запропоновано нову статистичну модель флуктуацій показника заломлення світловода в області поділу серцевини й оболонки, що істотно враховує гіпотезу про нормальну статистику рельєфу межі поділу діалектичних шарів. Показано, що розсіювання в світловоді з таким типом збурення забезпечує часткову деполяризацію світла.

  Скачати повний текст

Досліджено особливості роботи діодів на основі арсеніду галію, що містить нейтральні центри захоплення носіїв заряду та нестійкості струму, що виникають у цих діодах за умов міждолинного переносу електронів, ударної іонізації домішок і захоплення електронів у сильних електричних полях. Вивчено роботу генераторів на основі цих діодів і перехідні процеси, що в них відбуваються, за різних профілей легування. Розглянуто спільну роботу додів з міждолинним переносом електронів і діодів з негативною диференціальною провідністю, зумовленою тунельними ефектами. Установлено особливості їх використання для одержання генерації у широкому діапазоні частот. Розглянуто можливості помноження частоти з використанням тунельних явищ. Досліджено роботу діодів з міждолинним переносом електронів з тунельним і резонансно-тунельними контактами. Визначено умови одержання генерації діодів з таким контактом за рахунок ефекту міждолинного переносу електронів, а також за рахунок негативної диференціальної провідності контакту.

  Скачати повний текст

Експериментально досліджено фізичні явища, які виникають за умов сильних магнітних та електричних полів за кріогенних і кімнатних температур, з метою з'ясування особливостей переносу та рекомбінації носіїв заряду в таких гетероструктурах (ГС). Проведено теоретичне числове моделювання характеристик досліджуваних ГС для аналізу й інтерпретації експериментальних даних. З'ясовано причини бістабільності тунельного струму, пов'язані з нагромадженням носіїв заряду на інтерфейсних і дислокаційних станах. Запропоновано шляхи покращання характеристик ГС.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено деградацію контактно-металізаційної системи на початкових стадіях формування бар'єра Шотткі. Обгрунтовано можливості надійного прогнозування зміни електронних параметрів потенціального бар'єра для межі сформованого поділу. Із використанням резерфордівського зворотного розсіювання, електронної мікроскопії та ренгтеноструктурного аналізу вперше визначено ряд важливих закономірностей досліджуваних систем на поверхні арсеніду галію. Описано схеми устаткування та режими експлуатації установки спектроскопії зоворотнього резерфордівського розсіяння. Досліджено окремі системи металізації, які відрізняються типом антидифузійних шарів - чистих металів, силіцидів і боридів зі збереженням ідентичних технологічних умов формування контакту в цілому. Проаналізовано експериментальні дані у межах моделей деградації, використаних у науковому дослідженні. Обгрунтовано шляхи оптимізації застосування полікристалічних шарів як стабілізувальних факторів контактно-металізаційної системи.

  Скачати повний текст

Встановлено механізми тунелювання в двобар'єрних резонансно-тунельних діодах (ДБРТД) з широким спейсерним шаром. Показано, що виявлені осциляції струму та ефект власної бістабільності добре узгоджуються з запропонованою теоретичною моделлю квантової інтерференції. Досліджено механізм модифікації транспортних явищ ДБРТД під дією напруги, індукованої електричним полем надгратки. Встановлено кореляцію між електрофізичними, оптичними, технологічними параметрами та вивченими квантово-розмірними ефектами в p - n діоді з двома зв'язаними дельта легованими шарами. Вивчено особливості явищ переносу p - n діода з двобар'єрною структурою, в ямі якої самоузгоджено сформовані квантові точки. Встановлено механізми формування осциляційної структури та бістабільності як S-, так і Z-виду, які добре описуються в рамках запропонованої теоретичної моделі. Визначено окремо вплив ефектів на гарячих носіях струму та саморозігріву зразка під дією ефекту Джоуля на транспортні явища у AlGaN/GaN гетероструктурі. Продемонстровано найнижчий рівень фазового шуму у розроблених нових видах високочастотних осциляторів (23 ГГц та 10 ГГц) у порівнянні з рівнями фазового шуму комерційних осциляторів.

  Скачати повний текст