Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Vasin A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9

      
Категорія:    
1.

Ostrovskaya L. Yu. 
Thermal treatment effect on the tin melt adhesion to the surface of amorphous silicon carbide films = Вплив термічної обробки на адгезію розплаву олова до поверхні плівок аморфного карбіду кремнію / L. Yu. Ostrovskaya, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, V. P. Krasovskyy // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 3. - С. 555-559. - Библиогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Nazarov A. N. 
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor / A. N. Nazarov, A. V. Vasin, S. O. Gordienko, P. M. Lytvyn, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, Yu. Yu. Stubrov, A. S. Hirov, A. V. Rusavsky, V. P. Popov, V. S. Lysenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 4. - С. 322-330. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.

This paper considers a synthesis of graphene flakes on the Ni surface by vacuum long and nitrogen rapid thermal treatment of the "sandwich" amorphous (a) SiC/Ni multilayer deposited on silicon wafer by magnetron sputtering technique. The lateral size of graphene flakes was estimated to be about hundreds of micrometers while the thickness estimated using Raman scattering varied from one to few layers in case of vacuum annealing. Rapid thermal annealing in nitrogen ambient results in formation of multilayer graphene with surface covering up to 80 %. The graphene layers synthesized on Ni during CVD process was used as reference samples. Atomic force microscopy is not able to detect graphene flakes in regime of surface topology examination because of large roughness of Ni surface. Employment of scanning Kelvin probe force microscopy (SKPFM) demonstrates correlation of the surface potential and graphene flakes visible in optical microscopy. Using the KPFM method, potential differences between Ni and graphene were determined.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Tiagulskyi S. I. 
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide / S. I. Tiagulskyi, A. N. Nazarov, S. O. Gordienko, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, T. M. Nazarova, Yu. V. Gomeniuk, G. V. Rudko, V. S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1. - С. 34-40. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В345.4 + В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Vasin A. V. 
Correlation of deposition parameters, film thickness and mechanical stresses in a-C:H films on silicon substrates / A. V. Vasin, S. I. Khandozhko, L. A. Matveeva, A. G. Gontar, A. M. Kutsay // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1. - С. 173-175. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.

Наведено результати дослідження механічних напруг стиску у плівках гідрогенізованого вуглецю на кремнієвих підкладках. Під час осадження на електрод, який не охолоджується, має місце залежність механічних напруг від товщини плівок. З урахуванням цього проведено коректні виміри залежності механічних напруг від потенціалу автозміщення електрода-підкладкотримача. Показано, що механічні напруги корелюють з питомою густиною плівок та їх мікротвердістю.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Vasin A. V. 
Mechanical stresses in the a-C:H/Si system / A. V. Vasin, A. G. Gontar`, L. A. Matveeva, E. V. Rengevich, A. M. Kutsai, S. I. Khandozhko // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 535-538. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Наведено результати аналізу залежності механічних напруг у системі a-C:H/Si від умов осадження і температури вакуумного відпалу. Плівки аморфного гідрогенізованого вуглецю осаджувалися з активованої ВЧ-розрядом метан-водневої газової суміші. Показано, що механічні напруги стиску слабко залежать від складу газової суміші й в основному визначаються від'ємним потенціалом автозміщення робочого електрода, на якому розташовуються підкладки. Залежність величини механічних напруг від потенціалу автозміщення має два добре виражених максимуми за -100 В і -300 В. Вакуумний відпал призводить до зростання напруг стиску, що приписується структурній перебудові аморфної sp3-фази в нанокристалічну sp2-фазу. Подібний механізм пропонується для пояснення генерації напруг у процесі осадження.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Vasin A. V. 
Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Sisub1-x/subCsubx/sub:H films / A. V. Vasin, Y. Ishikawa, A. V. Rusavsky, A. N. Nazarov, A. A. Konchitz, V. S. Lysenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1. - С. 63-70. - Бібліогр.: 48 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Bortchagovsky E. G. 
Direct synthesized graphene-like film on SiOsub2/sub: mechanical and optical properties / E. G. Bortchagovsky, A. V. Vasin, P. M. Lytvyn, S. I. Tiagulskyi, A. M. Slobodian, I. N. Verovsky, V. V. Strelchuk, Yu. Stubrov, A. N. Nazarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 4. - С. 328-333. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.213

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Slobodian O. M. 
Reduced graphene oxide obtained using the spray pyrolysis technique for gas sensing / O. M. Slobodian, Yu. S. Milovanov, V. A. Skryshevsky, A. V. Vasin, X. Tang, J.-P. Raskin, P. M. Lytvyn, K. V. Svezhentsova, S. V. Malyuta, A. N. Nazarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 1. - С. 98-103. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Graphene oxide films were formed using the ultrasonic spray coating method and studied with micro-Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and electrical dynamic response of resistance measurements. Effect of different gases (water vapor, ethanol, acetone, ammonia, and isopropyl) on the dynamic response of resistance of the Au/graphene oxide/Au structure has been studied. The dynamic response shows that adsorption of all mentioned gases results in increase of the resistance. For ethanol, acetone and isopropyl adsorption and desorption cycles are almost identical. At the same time, in the case of water vapor and ammonia the cycle of desorption is very week, especially for the former, which attests different mechanisms of adsorption/desorption processes regarding to ethanol, acetone and isopropyl. The mechanisms of studied vapors adsorption/desorption are proposed.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.131 + Г583.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Savchenko D. V. 
EPR study of paramagnetic centers in SiOsub2/sub:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)sub2/sub solution = Дослідження методом ЕПР парамагнітних центрів у нанокомпозитах SiOsub2/sub:C:Zn, отриманих інфільтрацією люмінесцентним розчином Zn(acac)sub2/sub / D. V. Savchenko, V. S. Memon, A. V. Vasin, D. V. Kysil, A. V. Rusavsky, O. P. Kuz, F. M. Gareeva, E. N. Kalabukhova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 2. - С. 124-130. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.2 + В371.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 


 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського