Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Цель работы: определить корреляцию между величиной первой терапевтической активности и количеством курсов радиойодтерапии, необходимых для разрушения всех метастазов, а также оценить влияние длительности перерыва между курсами на их количество. 27 больных с дифференцированным раком щитовидной железы и наличием метастатических поражений легких проходили радиойодтерапию после тиреоидэктомии. Значения лечебной активности радиойодтерапии колебались от 1 600 до 7 980 МБк, количество курсов до полного разрушения метастазов составило 1 - 10. Перерыв между 1 и 2-м курсом составил от 3,5 до 11,5 месяцев. Проведен регрессионный анализ данных, в результате которого предложена экспоненциальная функция зависимости количества курсов радиойодтерапии, необходимых до полного уничтожения всех метастазов, от значения первой и второй активности радиойода и перерыва между курсами. Показано, что величина первой активности имеет наибольшее влияние на количество курсов радиойодтерапии: чем больше значение первой активности, тем меньшее количество курсов необходимо для уничтожения метастазов. Даже при больших значениях активности вероятность иметь менее 3-х курсов мала. Согласно предложенной модели, в целях снижения числа курсов радиойодтерапии для полной аблации метастазов у больных дифференцированным раком щитовидной железы с метастазами в легкие первая терапевтическая активность должна быть порядка 6 000 МБк, а перерыв между курсами - порядка 10 месяцев. Согласно результатам исследования, первая и вторая лечебные активности радиойода при

радиойодтерапии больных с дифференцированным раком щитовидной железы и метастазами в легкие имеют решающее влияние на количество курсов, необходимых для полного уничтожения всех метастатических поражений.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.24

Рубрики:

Квантова теорія

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: porous silicon, photoluminescence, surface defects
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В368.1

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Фізика високих температур

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто методи формування та корекції передаточних характеристик оптичних фільтрів на тонких плівках, які передбачають внесення певного рівня оптичних втрат у визначений конкретний оптичний шар та зміну показника заломлення вибраного оптичного шару. Запропоновані методи дозволяють при незначному підвищенні рівня втрат одержати практично плоску передаточну характеристику в смузі пропускання, а також змінити період передаточної характеристики в потрібну сторону.

In paper the principle of shaping and corrective action of the transmission characteristics of thin-film optical filters guessing importation of a determined optical losses level into the chosen concrete optical layer is considered. The offered method allows at inappreciable boosting of a losses degree to receive practically planar transmission characteristic in a transmission band. Besides the principle of the corrective actions guessing variation of an index of refraction of a chosen layer is considered and allowing to change a period of the transmission characteristic. Along with it, ways of transmission characteristics formation at the expense of a choice of optical films quantity and indexes of their refraction are considered.

Розглянуто основні принципи побудови схем формування позиційного подання даних і запропоновано відповідні математичні моделі. Проаналізовано основні властивості формування позиційної інформаційної моделі для індикаторів з різним (лінійним і матричним) з'єднанням елементів. Описано математичні моделі цифрових схем та їх реалізації для позиційної індикації на різних типах світлодіодних елементів дискретно-аналогової шкали. Запропоновано оптимізовану аналітичну модель та відповідну логічну структуру для побудови індикатора з послідовним з'єднанням світлодіодних елементів шкали. Надано мінімізовані схемні розв'язки для надійних позиційних засобів відображення інформації з різною електричною побудовою інформаційного поля.

Представлено високонадійну позиційну інформаційну модель для засобів відображення даних в оптоелектронних системах. Одержано та проаналізовано логічні оператори, що описують статичне формування зазначеної моделі. Досліджено особливості алфавітів для двох варіантів цієї інформаційної моделі та побудови інформаційних полів для їх синтезу. Запропоновано математичні моделі конкретних пристроїв високонадійного позиційного відображення інформації на індикаторі, що складається з елементів, сполучених з єдиним загальним електородом. Проаналізовано їх апаратурну реалізацію.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В338.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Електронна оптика. Іонна оптика

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620

Рубрики:

Нанотехнології

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ