Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (4) | Журнали та продовжувані видання (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Sachenko A$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 55 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Gorban A. P. Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination = Гранична ефективність для дифузійних кремнієвих сонячних елементів при концентрованому освітленні / A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, A. A. Serba // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 45-49. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Sachenko A. V. On the collection of photocurrent in solar cells with a contact grid = Про збирання фотоструму в сонячних елементах із контактною сіткою / A. V. Sachenko, A. P. Gorban // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 42-44. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Gorban A. P. Impact of excess charge carrier concentration on effective surface recombination velocity in silicon photovoltaic structures = Вплив концентрації надлишкових носіїв заряду на ефективну швидкість поверхневої рекомбінації в кремнієвих фоточутливих структурах / A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, A. A. Serba, I. O. Sokolovsky // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 6. - С. 598-604. - Библиогр.: 11 назв. - англ. У межах самоузгодженого підходу проаналізовано закономірності впливу на поверхневі рекомбінаційні втрати (ПРВ) величини та знака поверхневого заряду, параметрів рекомбінаційних центрів межі поділу діелектрик - напівпровідник, концентрації легуючих домішок в емітері та в базовій області сонячного елемента (СЕ), а також рівня ін'єкції (РІ) в базі та в емітері. Показано, що пасивація поверхні діелектричним шаром, що містить вбудований заряд того ж знака, що й основні носії заряду в прилеглому напівпровідниковому шарі, може призвести до катастрофічного збільшення ПРВ. У той же час у разі утворення приповерхневих шарів збагачення чи інверсії ПРВ у випадку малих РІ істотно знижуються. Залежно від величини та знака поверхневого заряду характер залежності ефективної швидкості поверхневої рекомбінації (ПР) від РІ нерівноважних носіїв заряду може бути як спадним, так і зростаючим. В області максимально великих РІ ефективна швидкість ПР перестає залежати від РІ та конструктивного виконання СЕ та визначається винятково параметрами поверхневих рекомбінаційних центрів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 + З854.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Sachenko A. V. Interpretation of exciton photoluminescence spectra in films with silicon quantum dots = Аналіз спектрів екситонної фотолюмінесценції плівок з кремнієвими квантовими точками / A. V. Sachenko, I. O. Sokolovsky, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 8. - С. 800-804. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Roth H. The 3D mapping preparation using 2D/3D cameras for mobile robot control / H. Roth, A. Sachenko, V. Koval, J. Chani, O. Adamiv, V. Kapura // Искусств. интеллект. - 2008. - № 4. - С. 512-521. - Библиогр.: 19 назв. - англ. The generalized frame of autonomous robot control system is represented and the data preparation for the simultaneous localization and mapping by using new type of 3D sensor is described. Also the developed data structure for data communication between robot units, and the protocol for client-server interaction, and an algorithm for the data communication of client-server protocol packages allowing to control by mobile robot in unstructured environment, and their application on real-scaled mobile robot are presented in this paper. Індекс рубрикатора НБУВ: З965.94 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж15477 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Karachevtseva L. A. Photoeffect peculiarities in macroporous silicon structures / L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko, A. V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2010. - 1, № 1. - С. 87-93. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Kostylyov V. P. Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells / V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, I. O. Sokolovskyi, V. V. Chernenko, T. V. Slusar, A. V. Sushyi // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 4. - С. 362-369. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. Наведено результати дослідження впливу рекомбінаційних експоненціально розподілених поверхневих центрів на процеси поверхневої рекомбінації та характеристики кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Під час розрахунках вважалося, що система акцепторних поверхневих станів розташована в верхній половині забороненої зони кремнію, а донорних поверхневих станів - у нижній. Враховувалось також, що біля середини забороненої зони знаходиться дискретний поверхневий рівень. Показано, що у випадку, коли інтегральна концентрація неперервно розподілених центрів порівняна з концентрацією глибокого поверхневого рівня, вони впливають на характеристики кремнієвих СЕ лише завдяки рекомбінації. У другому випадку, коли їх концентрація порядку більша за концентрацію, яка характеризує вбудований у діелектрику заряд, вони безпосередньо впливають на величину поверхневого вигину зон і значення фотоерс. В результаті комп'ютерного моделювання встановлено умови, за яких швидкість рекомбінації через неперервно розподілені поверхневі центри є більшою за швидкість рекомбінації через глибокий дискретний рівень. Розраховано зменшення напруги розімкненого кола в кремнієвих інверсійних СЕ, пов'язане з рекомбінацією через неперервно розподілені центри. Розвинену теорію порівняно з експериментом. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Sachenko A. V. Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si / A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 55-60. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Зроблені теоретичні розрахунки свідчать про те, що квантовий вихід міжзонної випромінювальної рекомбінації у високочистому кремнії, який характеризується надзвичайно низькою концентрацією глибоких домішок і власних дефектів, може перевищувати 10% за кімнатної температури, якщо поверхнева рекомбінація зведена до мінімуму. Проаналізовано залежності квантового виходу від інтенсивності і довжини хвилі збуджуючого монохроматичного світла, швидкості поверхневої рекомбінації і товщини кремнієвої пластини. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Sachenko A. V. Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping / A. V. Sachenko, N. A. Prima, A. P. Gorban // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 32-37. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Gorban A. P. Effect of emitter properties on the conversion efficiency of silicon solar cells / A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 26-31. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Gorban A. P. Effect of excitons on photoconversion efficiency in the ipsup+/sup-n-n/i; sup+/sup- and insup+/sup-p-p/i; sup+/sup-structures based on single-crystalline silicon / A. P. Gorban, A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, N. A. Prima // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 322-329. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Sachenko A. V. Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers / A. V. Sachenko, A. P. Gorban, V. P. Kostylyov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 5-10. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Sachenko A. V. A fresh approach to interpretation of visible photoluminescence spectra in silicon nanostructures / A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, E. G. Manoilov, E. B. Kaganovich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 487-491. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Багатомодовість стаціонарних спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) низькорозмірних кремнієвих структур і спостережувані на експерименті особливості трансформації з часом нестаціонарних спектрів ФЛ цих структур запропоновано пояснювати, враховуючи додатковий ефект, що має проявлятися в таких структурах внаслідок непрямозонності вихідного кремнієвого матеріалу. Він полягає в тому, що характеристичний час випромінювального екситонного переходу в дійсності повинний бути немонотонною (осцилюючою) функцією розміру нанокристалітів. У результаті, в розрахованих спектрах ФЛ енергетична відстань між піками (чи провалами) ФЛ фактично визначається середнім розміром нанокристалітів, тоді як дисперсія їх характеристичних розмірів відіграє другорядну роль. Якісне узгодження розрахованих спектрів ФЛ зі спектрами ФЛ, що спостерігаються на експерименті для пористого кремнію та плівок нанокристалічного кремнію, свідчить на користь запропонованої моделі випромінювальної екситонної рекомбінації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Korbutyak D. V. Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires / D. V. Korbutyak, Yu. V. Kryuchenko, I. M. Kupchak, A. V. Sachenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 172-182. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Sachenko A. V. Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures / A. V. Sachenko, A. P. Gorban, D. V. Korbutyak, V. P. Kostylyov, Yu. V. Kryuchenko, V. V. Chernenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 1-7. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Dmitruk N. L. Investigation of the effect of external factors (heating, exposition to radiation) on the electrophysical parameters of barrier heterostructures IpD-AlGaAs-IpD-GaAs-InD-GaAs / N. L. Dmitruk, D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 46-52. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Dmitruk N. L. Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of $E bold {{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x {roman As}~-~p-{roman GaAs}~-~n-{roman GaAs}}-based photoconverters with relief interfaces / N. L. Dmitruk, O. Yu. Borkovskaya, V. E. Kostylyov, A. V. Sachenko, I. O. Sokolovskiy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 72-78. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Sachenko A. V. Modeling of photoconversion efficiency for hydrogenated amorphous Si IBp - i - nD structures / A. V. Sachenko, I. O. Sokolovskyi, A. Kazakevitch, A. I. Shkrebtii, F. Gaspari // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 60-66. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Ivanov V. I. Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores / V. I. Ivanov, L. A. Karachevtseva, N. I. Karas, O. A. Lytvynenko, K. A. Parshin, A. V. Sachenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 72-76. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. The effects of the increase of photoconductivity in periodic macroporous silicon structures depending on the size and period of cylindrical macropores are investigated. It is obtained that the ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon photoconductivity achieves a maximum at the distance between macropores equal to two thicknesses of the Schottky layer, which corresponds to the experimental data. The increase of photoconductivity is due to both the large total surface area of macropores and the existence of Schottky layers in the near-surface region of cylindrical macropores. Індекс рубрикатора НБУВ: Л725.92-106.3 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Sachenko A. V. Photoconversion efficiency of quantum-well solar cells for the optimum doping level of a base / A. V. Sachenko, I. O. Sokolovskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1. - С. 1-5. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського