Ключ. слова: photoconversion efficiency, silicon solar cells, concentrated illumination
Індекс рубрикатора НБУВ: З264.545

Рубрики:

Кремнієві перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описаны исследования характеристик кремниевых диффузионных резисторов при протекании через них импульсов тока с плотностью вплоть до разрушающей. Исследованы переходные процессы при включении резисторов. Полученные результаты позволили объяснить характерные особенности различных участков вольт-амперных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в кремниевых резисторах.

Silicon diffusion resistor characteristics are described at current pulses flowing with current densities up to destructive. The transitional processes at resistor turning on were discovered. The results obtained allowed us to explain the characteristic features of the I-V curve different sections. The physical model explaining the regularities in the silicon resistors was suggested.

На підставі положень нерівноважної термодинаміки та ряду методів теорії подоби розглянуто основні методи інтенсифікації розвитку прихованих і потенційних дефектів (РППД). Запропоновано нову узагальнену методику прискорення РППД кремнієвих фотоелектричних перетворювачів. Одержані результати можна використовувати під час розробки чи удосконалення технології виробництва кремнієвих фотоперетворювачів для підвищення їх якості та надійності.

  Скачати повний текст

Приведены промежуточные результаты экспериментальных исследований влияния мощных тиристорных выпрямителей на питающую их автономную электростанцию. Отображено, что сбои в работе тиристорного преобразователя исследуемого электродвижительного комплекса являются следствием помех самого преобразователя, которые влияют на его систему управления. Рекомендовано произвести подробные экспериментальные исследования форм токов и напряжений системы, включая сигналы системы управления преобразователя.