Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено ріст алмазних плівок на кремнієвих підкладках за температур 180 - 360 °С, а також вплив типу джерела вуглеводнів на умови росту і якість алмазної плівки. Виконано серію експериментів для дослідження впливу температури підкладки на швидкість росту плівок та їх якість. Якість синтезованих плівок контролювалась методом комбінаційного розсіювання. Показано, що у разі використання метану як джерела вуглеводнів досягається швидкість росту до 1,5 мкм/год. Використання етану призводить до зменшення швидкості росту, але якість алмазної плівки та морфологія кристалітів покращуються. Зниження температури підкладки до 180 °С призводить до зменшення розмірів зерен та зменшення частки алмазної фази в плівці.

Досліджено ряд гетеруючих обробок пластин Cz-Si. Виміряно характерні рекомбінаційно-чутливі параметри кремнієвих пластин. Із застосованих процедур віддано перевагу гетеруючій обробці, що включає нанесення плівки Ge, йонно-променеве перемішування та термообробку і дозволяє підвищити довжину дифузії нерівноважних носіїв струму з 25 - 30 до 100 - 300 mu м, причому наступні термообробки не приводили до деградації дифузійної довжини (як це спостерігається на пластинах без гетеруючої обробки).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.247

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The effect of self-heating on the transport characteristics and electronic properties of transistor AlGaN/GaN heterostructures was investigated. The electrical, micro-Raman and photoluminescence techniques were used for temperature estimations for transistor structures under electrical load. The thermal resistance of these structures has been calculated to obtain the temperature of conducting channel heating from the current-voltage characteristics. The differences in the obtained temperature data from applied techniques have been analyzed.

Запропоновано систему управління на основі нечіткої логіки, яка надає змогу мобільному робототехнічному коплексу досягати поставлених цілей в середовищі, яке спостерігається частково. В системі управління базові поведінки запропоновано розширити поведінками "рух вздовж стіни справа" та "рух вздовж стіни зліва", які використовуються у разі оминання перешкод. Для кожної з поведінок та для контролю швидкості розроблено набори нечітких правил та реалізовано метод уникнення конфліктів під час координації поведінок. Блок керування швидкістю реалізовує більш точне і швидке досягнення цілей шляхом зменшення швидкості під час наближення до перешкоди або цілі та збільшення швидкості в іншому випадку.