Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Журнали та продовжувані видання (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Poroshin V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18
      
Категорія:    
1.

Kulish M. P. 
Nature of Short-Range Order in Ni - Mo Alloys = Природа ближнего порядка в сплавах Ni - Mo / M. P. Kulish, N. O. Mel'nikova, P. V. Petrenko, V. G. Poroshin // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - 21, № 9. - С. 16-21. - Библиогр.: 24 назв. - англ.


Ключ. слова: solid solution, short-range order, X-ray diffuse scattering, short-range order parameters
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134 + К230.401

Рубрики:
 Дифракція рентгенівських променів в кристалах 
 Методи дослідження станів і структури кольорових металів і сплавів 

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Poroshin V. N. 
Band structure effects in light scattering by plasmons in IpD-type germanium = Прояв особливостей структури валентної зони германію в розсіянні світла плазмонами / V. N. Poroshin, A. V. Gaydar // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 1. - С. 94-99. - Библиогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.220.2 + В371.35 + В379.2

Рубрики:
 Плазмові коливання 
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Vainberg V. V. 
Current oscillation and high-field domains in the InGaAs/GaAs heterostructures with a $E bold delta-doped quantum well / V. V. Vainberg, Yu. N. Gudenko, P. A. Belevskii, M. N. Vinoslavskii, V. N. Poroshin, V. M. Vasetskii // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 41-50. - Библиогр.: 16 назв. - англ.


Ключ. слова: hot electrons, heterostructures, quantum wells, intersubband transitions, high-field domains
Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1

Рубрики:
 Електричні властивості твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Ignatenko V. A. 
Refractive optical non-linearity in Ge crystals caused by inter-valley redistribution of "hot" electrons = Рефрактивна оптична нелінійність у кристалах германію, пов'язана з міждолинним перерозподілом "гарячих" електронів / V. A. Ignatenko, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 11. - С. 1092-1095. - Библиогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Belevskii P. A. 
Real-space transfer and far-infrared emission of hot electrons in InGaAs/GaAs heterostructures with tunnel-coupled quantum wells = Просторовий перенос та далеке інфрачервоне випромінювання "гарячих" електронів в гетероструктурах InGaAs/GaAs з тунельно-зв'язаними квантовими ямами / P. A. Belevskii, V. V. Vainberg, M. N. Vinoslavskii, A. V. Kravchenko, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 1/2. - С. 122-127. - Библиогр.: 12 назв. - англ.

The transport of electrons and light emission under the influence of a lateral electric field in InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells has been studied. For the selectively doped structures at 4,2 K and electric fields ~ 1 kV/cm, we have found that the rate of current growth diminishes with increasing field, and simultaneously a sharp increase of the IR emission intensity is observed. The effect is related to the real-space transfer of electrons from the undoped quantum well to the higher energy states in the doped well where they are accumulated.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
6.

Vasetskii V. M. 
Degenerate four-wave mixing in InD-Ge due to intervalley redistribution of hot electrons / V. M. Vasetskii, V. N. Poroshin, V. A. Ignatenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 260-263. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:
 Електричні і магнітні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Poroshin V. N. 
Stress-induced effects in light scattering by plasmons in IpD-type germanium / V. N. Poroshin, A. V. Gaydar, A. A. Abramov, V. N. Tulupenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 425-430. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Vasetskii V. M. 
Anisotropy and non-linearity of absorption of an intensive IR light by free electrons in germanium / V. M. Vasetskii, V. A. Ignatenko, V. N. Poroshin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 3. - С. 12-15. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
 Радіаційні ефекти в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Poroshin V. N. 
The role of optical phonons in heating electrons by IR radiation in Ge / V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 2. - С. 1-3. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Gudenko Yu. M. 
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the IBpD-SiGe/Si heterostructures with quantum wells / Yu. M. Gudenko, V. V. Vainberg, V. M. Poroshin, V. M. Tulupenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 375-379. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.24

Рубрики:
 Квантова теорія  
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Neimash V. B. 
Microstructure of thin Si - Sn composite films / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, A. M. Kabaldin, V. O. Yukhymchuk, P. E. Shepelyavyi, V. A. Makara, S. Yu. Larkin // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9. - С. 865-871. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.

За допомогою методів оже та раманівської спектроскопії, рентгенівського флуоресцентного аналізу та електронної мікроскопії досліджено особливості мікроструктури тонких плівок сплаву Si - Sn, виготовлених термовакуумним співвипаровуванням Si та Sn. Досліджено властивості плівок із вмістом Sn в інтервалі від 1 до 5 вагових відсотків. Встановлено суттєвий вплив олова на формування мікрорельєфу поверхні плівок і нанокристалів у аморфній матриці. Квазісферичні утворення на поверхні плівок можуть сягати розмірів порядку 100 нм. Частка нанокристалічної кремнієвої фази в плівці може досягати 90 % її об'єму. Проаналізовано роль умов та швидкості росту плівок у розподілі концентрації Sn і технологічних домішок C і O по поверхні та товщині плівок.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.247

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 
 Спектроскопія напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
12.

Neimash V. B. 
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, P. Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 4. - С. 331-335. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4

Рубрики:
 Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
13.

Dmytrenko O. P. 
Changes in crystal structure of fullerene films at alloying and radiation defect formation / O. P. Dmytrenko, N. P. Kulish, Yu. I. Prylutskyy, Yu. E. Grabovskiy, E. L. Pavlenko, V. G. Poroshin, T. V. Rodionova, L. V. Poperenko, V. S. Stashchuk, V. V. Shlapatskaya, P. Scharff // Functional Materials. - 2006. - 13, № 3. - С. 406-410. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г741.4-1 + В372

Рубрики:
 Полімерний вуглець (графіт, алмаз, фулерит) 
 Структура твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Vainberg V. V. 
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Укр. фіз. журн.. - 2014. - 59, № 7. - С. 721-725. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.27

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 
 Електричні і магнітні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
15.

Vinoslavskii M. M. 
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells / M. M. Vinoslavskii, P. A. Belevskii, V. M. Poroshin, O. S. Pilipchuk, V. O. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3. - С. 256-262. - Бібліогр.: 36 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В345.4

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 
 Електролюмінесценція 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
16.

Vainberg V. V. 
Low temperature charge transport in arrays of single-walled carbon nanotube bundles with radiation induced defects / V. V. Vainberg, V. N. Poroshin, O. S. Pylypchuk, N. A. Tripachko, I. I. Yaskovets // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 4. - С. 418-423. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В377

Рубрики:
 Наноструктури 
 Електричні та магнітні властивості твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
17.

Vainberg V. V. 
Low temperature charge transport in arrays of single-walled carbon nanotube bundles with radiation induced defects / V. V. Vainberg, V. N. Poroshin, O. S. Pylypchuk, N. A. Tripachko, I. I. Yaskovets // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 4. - С. 418-423. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В377

Рубрики:
 Наноструктури 
 Електричні та магнітні властивості твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія: Фізика   
18.

Belevskii P. A. 
Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells / P. A. Belevskii, M. N. Vinoslavskii, V. V. Vainberg, V. N. Poroshin, O. S. Pylypchuk // Фізика низ. температур. - 2022. - 48, N 2 (спец. вип., ч. 3). - С. 176-180. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

The electric conductivity behavior in the single and double tunnel-coupled quantum wells (QW) with different doping profile caused by impact of short pulses of the strong longitudinal (in the quantum wells plane) electric field has been investigated. It is established that at low temperatures (4 K) after such impact the long-term metastable state with increased electric conductance may be observed in the case of the asymmetric QW couple with the impurity delta shaped-layer in the narrower QW. It is not observed in the structures with other configurations. The observed effect is explained by the model accounting for metastable changes in the electron energy states spectrum in the studied structures caused by the strong electric field pulses.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.25

Рубрики:
 Тунельний ефект 

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського