У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив температури росту гетероструктури з квантовими точками (КТ) та розмірів КТ на енергетичну ширину оптичної щілини КТ. Установлено, що зі збільшенням температури росту гетероструктури та розмірів КТ оптична щілина звужується.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3 + В379.2

Рубрики:

Квантова теорія

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377

Рубрики:

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У межах самоузгодженої електрон-деформаційної моделі досліджено вплив ступеня заповнення зони провідності на випрямні властивості дислокаційного бар'єра. Показано, що основні характеристики діодного ефекту на одиничній крайовій дислокації формуються під впливом як електростатичного потенціалу зарядженої дислокації, так і електрон-деформаційного (ЕД), зумовленого просторовим перерозподілом електронів провідності в околі дислокації внаслідок самоузгодженого ЕД зв'язку.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Побудовано модель деформаційно-дифузійних явищ у напружених епітаксійних шарах (ЕШ) на базі самоузгодженої системи рівнянь для концентрації дефектів і параметра деформації. Розраховано стаціонарний профіль точкових дефектів (ТД) (міжвузловинних атомів і вакансій) і параметра деформації гратки в ЕШ InAs, вирощених на підкладці GaAs. Показано, що за наявності ТД у ЕШ, координатна залежність параметра деформації з віддаленням від гетеромежі носить немонотонний характер.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313

Рубрики:

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Створено нелінійну теорію дифузії домішок у поруватих матеріалах після ультразвукової обробки. Показано, що за певного значення амплітуди деформації, середньої концентрації вакансій і температури в результаті впливу ультразвуку є можливим формування нанокластерів вакансій та їх періодичних утворень у поруватих матеріалах. Показано, що за температури, меншої за деяке критичне значення, у поруватих структурах спостерігається значне зростання коефіцієнта дифузії.

У межах зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії досліджено вплив зовнішнього електричного поля, накладеного на кристал з крайовою дислокацією, на ступінь локалізації електронних станів у кристалі. Визначено відмінність у зміні енергетичного положення локалізованих електронних станів залежно від концентрації електронів провідності відповідно за наявності та відсутності зовнішнього електричного поля.

Представлено мікроскопічний аналіз розсіяння X-променів на періодичній кристалічній структурі, що моделює гетероепітаксійні шари. У розрахунках враховано механічні напруження на гетероконтакті, перенормовані їх взаємодією з електронами провідності. Показано, що незалежно від концентрації носіїв, інтенсивність розсіяння має монотонно спадний характер з ростом нарощуваного шару. У надгратках з більшою концентрацією носіїв інтенсивність розсіяння більша.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372.31

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розвинено теорію нуклеації нанорозмірних структур адсорбованих атомів (адатомів), яка відбувається в результаті самоузгодженої взаємодії адатомів з поверхневою акустичною хвилею та електронною підсистемою. Досліджено температурні режими формування нанокластерів на поверхні n-GaAs під дією лазерного опромінення. Запропонована модель надає можливість вибрати оптимальні технологічні параметри (температуру, ступінь легування, інтенсивність лазерного опромінення) для формування поверхневих періодичних дефектно-деформаційних структур під дією лазерного опромінення.

Побудовано деформаційно-дифузійну модель формування періодичних структур під впливом акустичної хвилі у напівпровідниках з двокомпонентною дефектною підсистемою. Запропонована теорія враховує деформацію, створену акустичною хвилею та точковими дефектами. У межах даної моделі проаналізовано можливість стимулювання ультразвуком пасивації електрично активних центрів Cl воднем у напівпровіднику CdTe та зменшення дисперсії розмірів напружених квантових точок InAs/GaAs, легованих ізовалентною домішкою.

У межах нелокальної пружної взаємодії адсорбованого атома (АА) з атомами матриці з урахуванням сил дзеркального зображення знайдено в довгохвильовому наближенні закон дисперсії поверхневих пружних акустичних хвиль залежно від концентрації АА і деформаційного потенціалу адатома. Розраховано енергетичну ширину поверхневої акустичної моди залежно від концентрації АА.