Досліджено процеси утворення, анігіляції, дисоціації первинних радіаційних дефектів в кремнії та можливий вплив неконтрольованих стоків для вакансій міжвузловинних атомів на величину ефективності утворення радіаційних дефектів (ЕУД). Встановлено, що існує єдина порогова енергія для утворення пар Френкеля, яка дорівнює (12,5 +- 0,5) еВ. Показано, що вплив неконтрольованих стоків для первинних дефектів не визначає величину ефективності утворення вторинних радіаційних дефектів. Величина ЕУД контролюється процесами анігіляцїї чи дисоціації первинних дефектів - пар Френкеля. Отримано формулу для залежності ЕУД від температури та концентрації носіїв заряду.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.25

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.227 + К297.091

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Вплив опромінювання на структуру і властивості аморфних сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5 + В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5

Рубрики:

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж68

Рубрики:

Обробка окремих матеріалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Після попередньої термообробки за 800 °С кристалів кремнію енергія активації відпалу термодонорів зростає від 1,7 до 2,5 еВ. Припускається, що це відбувається внаслідок розчинення кисневих мікрофлуктуацій, які є джерелом внутрішніх пружних напружень. Можливе локальне прискорення дифузії в зоні дії таких напружень розглядається як причина зниження енергії активації дифузійно лімітованих процесів генерації та відпалу термодонорів у кремнієвих кристалах.

За допомогою методів оже та раманівської спектроскопії, рентгенівського флуоресцентного аналізу та електронної мікроскопії досліджено особливості мікроструктури тонких плівок сплаву Si - Sn, виготовлених термовакуумним співвипаровуванням Si та Sn. Досліджено властивості плівок із вмістом Sn в інтервалі від 1 до 5 вагових відсотків. Встановлено суттєвий вплив олова на формування мікрорельєфу поверхні плівок і нанокристалів у аморфній матриці. Квазісферичні утворення на поверхні плівок можуть сягати розмірів порядку 100 нм. Частка нанокристалічної кремнієвої фази в плівці може досягати 90 % її об'єму. Проаналізовано роль умов та швидкості росту плівок у розподілі концентрації Sn і технологічних домішок C і O по поверхні та товщині плівок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4

Рубрики:

Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The process of tin-induced crystallization of amorphous silicon under the influence of different types of laser irradiation was investigated using the method of Raman scattering by thin-film Si - Sn - Si structures. The dependences of the size and concentration of Si nanocrystals on the power of laser radiation was experimentally evaluated and analyzed. As sources of excitation pulse laser radiation with the pulses duration equal to 20 ns and 150 mu s and wavelengths equal to 535 and 1070 nm was used. The possibility of efficient tin-induced transformation of silicon from amorphous phase to crystalline one in the 200-nm thick layers of a-Si under the action of laser pulses with duration equal to 20 ns was shown. The spatial and temporal distributions of laser induced temperature rise was calculated to interpret experimental results.

The effect of laser light intensity and temperature on the induced tin crystallization of amorphous silicon has been investigated using the methods of Raman scattering and optical microscopy. The existence of non-thermal mechanisms of the laser light influence on formation of silicon nanocrystals and their Raman spectra has been experimentally demonstrated. Photoionization of silicon and electron-phonon interaction are considered as possible reasons for the detected effects. The prospects of their application in new technologies providing production of nano-silicon films for solar cells have been discussed.

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ