Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Nazarov A$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 29 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Ganchenkova M. G. Dynamic Pair Mechanism and its Realization in Some Cases = Механизм динамических пар и его реализация в некоторых случаях / M. G. Ganchenkova, A. V. Nazarov // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - 21, № 1. - С. 46-51. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Lysenko V. S. High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs = Високотемпературні характеристики рекристалізованого зонним витопленням кремній-на-ізоляторі MOSFETs / V. S. Lysenko, T. E. Rudenko, A. N. Nazarov, V. I. Kilchitskaya, A.N. Rudenko, A. B. Limanov, J. -P. Colinge // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 101-107. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Boutry-Forveille A. SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures = SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A. N. Nazarov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 108-111. - Библиогр.: 12 назв. - англ. У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв'язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250 °С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600 °С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів. Ключ. слова: silicon-on-insulator, deuterium, SIMS, thermal effusion Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Nazarov A. A. Modeling of grain subdivision during severe plastic deformation by VPSC method combined with disclination analysis / A. A. Nazarov, N. A. Enikeev, A. E. Romanov, T. S. Orlova, I. V. Alexandrov, I. J. Beyerlein // Физика и техника высоких давлений. - 2005. - 15, № 1. - С. 31-37. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Indutnyy I. Z. Kinetics of thermally-induced structural phase transformations and formation of silicon nanoparticles in thin SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepelyavyi, V. A. Dan'ko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 145-155. - Библиогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Ostrovskaya L. Yu. Thermal treatment effect on the tin melt adhesion to the surface of amorphous silicon carbide films = Вплив термічної обробки на адгезію розплаву олова до поверхні плівок аморфного карбіду кремнію / L. Yu. Ostrovskaya, A. V. Vasin, A. V. Rusavsky, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, V. P. Krasovskyy // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 3. - С. 555-559. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Rudenko T. E. Electrical properties of FinFET structures = Електричні властивості FinFET структур / T. E. Rudenko, V. I. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, D. Flandre // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 3. - С. 13-18. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Досліджено електричні властивості транзисторних структур типу FinFET (fin field-effect-transistor). Ці структури вважаються найбільш перспективними для створення нанорозмірних метал-оксид-напівпровідник транзисторів і інтегральних схем завдяки значному послабленню коротко-канальних ефектів. Досліджено вплив геометричних розмірів структури на характеристики транзисторів. Особливу увагу приділено рухливості носіїв в інверсійному каналі FinFET структур. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3 + З844.15 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Nazarov A. N. Electroluminescence, charge trapping and degradation of the silicon dioxide implanted by carbon and silicon ions = Электролюмінесценція, захоплення заряду й деградація двоокису кремнію, імплантованої іонами вуглецю та кремнію / A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, I. P. Tyagulskyy, V. S. Lysenko, S. I. Tiagulskyi, V. N. Torbin, V. V. Omelchuk, T. M. Nazarova, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 123-128. - Библиогр.: 26 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Nazarova T. M. Hydrogen as a source of high-temperature charge instability in silicon-on-insulator structures and field effect transistors = Водень як джерело високотемпературної нестабільності заряду в структурах кремній-на-ізоляторі та польових транзисторах / T. M. Nazarova, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, V. M. Tomashik, D. Flandre // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 2. - С. 521-525. - Библиогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Kunets V. P. Enhancement of CdSSe QD exciton luminescence efficiency by hydrogen RF plasma treatment / V. P. Kunets, N. R. Kulish, V. V. Strelchuk, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, V. S. Lysenko, M. P. Lisitsa // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 169-171. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Повідомлено про підвищення ефективності екситонної люмінесценції квантових точок CdSSe, синтезованих у боросилікатній скляній матриці, й оброблених після цього в низькотемпературній високочастотній водневій плазмі. Одержані результати свідчать про зменшення кількості поверхневих рівнів, через які відбувається ефективна безвипромінювальна рекомбінація носіїв заряду. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Nazarov A. N. Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide silicon light-emitting diodes with plasma treatment / A. N. Nazarov, W. Skorupa, Ja. N. Vovk, I. N. Osiyuk, A. S. Tkachenko, I. P. Tyagulskii, V. S. Lysenko, T. Gebel, L. Rebohle // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 90-94. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Наведено результати досліджень з впливу плазмової обробки на електролюмінесценцію та процеси захоплення заряду у світловипромінювальних приладах зі структурою метал - окисел - кремній, імплантованою іонами Ge. За оптимальних умов плазмового впливу спостерігається помітне збільшення довговічності приладів при незмінній інтенсивності світлового випромінювання у фіолетовій області спектра. Це явище може бути пов'язане з відновленням і перебудовою зв'язків в окислі в результаті зовнішнього впливу, що призводить до зменшення ефективності генерації електронних пасток при електродній інжекції та заглушування деградаційних процесів у таких приладах. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-06 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Houk Y. An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications / Y. Houk, B. Iniguez, D. Flandre, A. Nazarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 1. - С. 43-54. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
| |||
| 13. | Houk Y. Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to $E bold gamma-irradiation / Y. Houk, A. N. Nazarov, V. I. Turchanikov, V. S. Lysenko, S. Andriaensen, D. Flandre // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 69-74. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Indutnyy I. Z. Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 1. - С. 9-13. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Nazarov A. N. Hydrogen plasma treatment of silicon thin-film structures and nanostructured layers / A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, T. M. Nazarova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 2. - С. 101-123. - Бібліогр.: 143 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Lysenko V. S. Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic temperatures / V. S. Lysenko, I. P. Tyagulsky, I. N. Osiyuk, A. N. Nazarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 34-39. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Nazarov A. N. Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions / A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, S. I. Tiagulskyi, V. S. Lysenko, I. P. Tyagulskyy, V. N. Torbin, V. V. Omelchuk, T. M. Nazarova, L. Rebohle, W. Skorupa // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 319-323. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Nazarov A. N. Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions / A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, S. I. Tiagulskyi, V. S. Lysenko, I. P. Tyagulskyy, V. N. Torbin, V. V. Omelchuk, T. M. Nazarova, L. Rebohle, W. Skorupa // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 1. - С. 98-104. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.
| |||
| 19. | Nazarov A. N. Novel hysteresis effect in ultrathin epitaxial GdVB2DOVB3D high-IBkD dielectric / A. N. Nazarov, Y. V. Gomeniuk, Y. Y. Gomeniuk, V. S. Lysenko, H. D.B. Gottlob, M. Schmidt, M. C. Lemme, M. Czernohorsky, H. J. Osten // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 324-328. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Nazarov A. N. Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor / A. N. Nazarov, A. V. Vasin, S. O. Gordienko, P. M. Lytvyn, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, Yu. Yu. Stubrov, A. S. Hirov, A. V. Rusavsky, V. P. Popov, V. S. Lysenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 4. - С. 322-330. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. This paper considers a synthesis of graphene flakes on the Ni surface by vacuum long and nitrogen rapid thermal treatment of the "sandwich" amorphous (a) SiC/Ni multilayer deposited on silicon wafer by magnetron sputtering technique. The lateral size of graphene flakes was estimated to be about hundreds of micrometers while the thickness estimated using Raman scattering varied from one to few layers in case of vacuum annealing. Rapid thermal annealing in nitrogen ambient results in formation of multilayer graphene with surface covering up to 80 %. The graphene layers synthesized on Ni during CVD process was used as reference samples. Atomic force microscopy is not able to detect graphene flakes in regime of surface topology examination because of large roughness of Ni surface. Employment of scanning Kelvin probe force microscopy (SKPFM) demonstrates correlation of the surface potential and graphene flakes visible in optical microscopy. Using the KPFM method, potential differences between Ni and graphene were determined. Індекс рубрикатора НБУВ: В372 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського