The waveguide geometry is attractive because it allows the Surface Polariton Sensors to be incorporated into the integrated optical systems. Inclusion of additional dielectric or conducting tuning layers is useful in modifying the surface plasmon resonance (SPR) characteristics and creating the potential for devices with multifunctional sensing capability. The main goal of this paper to demonstrate the possibility of implementing the SPR sensing principle in optical (quasi) waveguide structures. We explored constituent design considerations to show how variation structural parameters affect SPR based sensor (detector) response.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е0*715.9

Рубрики:

Загальна біологія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.326 + В379.34 + Ж620

Рубрики:

Тонкі шари діелектриків

Оптичні властивості діелектриків

Нанотехнології

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + В379.24

Рубрики:

Плазмові коливання

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

In order to estimate the role of complex defects on GaP light emitting diodes (LED) operation, luminescent and electrical characteristics of GaP LEDs irradiated with reactor neutrons have been studied. It has been stated that nonradiative levels of radiation defects affect electroluminescence quenching. From the analysis of the tunnel current, the density of dislocations in the depleted part of the p - n junction was obtained. Neutron induced disorder regions do not change the tunnel component of the direct current of red diodes, increasing the dislocation density, because the carrier flow along the ?tunnel shunts? is blocked.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В374 + В371.6

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The effect of single-wall carbon nanotubes nanolayer on photoelectric properties of Au/n-GaAs photovoltaic structure with a microrelief interface has been investigated. Microrelief interfaces of dendrite-like and quasi-grating type aimed at enhancement of photocurrent have been prepared by the wet chemical anisotropic etching of GaAs. Carbon nanotubes obtained using the arc-discharge method were deposited on GaAs surface modified with poly(vinylpyridine) by dip-coating repeated several times. Optical, photoelectric and electrical properties of Au/GaAs structures have been studied in dependence on the averaged thickness of nanotubes nanolayer. Considerable photocurrent enhancement has been determined for structures with both the flat and textured interface but with a different optimal thickness of nanotubes layer. The effect was concluded to be caused by increasing the lateral photocurrent component due to enlargement of the current collection area and increase of the light trapping.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З854

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.102.6 + В372.6 + В374

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) важких кольорових металів і сплавів

Тонкі шари твердих тіл

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К234.1 + В371.211 + В371.35

Рубрики:

Золото та його сплави

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + В343.54

Рубрики:

Плазмові коливання

Еліпсометрія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + В343.54

Рубрики:

Плазмові коливання

Еліпсометрія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом селективного хімічного травлення, ініційованого металевими (золотими) наночастинками, отримано плівки пористого кремнію на поверхні монокристалічних пластин. На таких підкладках осаджували огранічні плівки клонідину та виготовляли бар'єрні гетероструктури для отримання сонячних елементів (СЕ) і фотодіодів. Спектри відбиття світла підтвердили збудження локальної плазмонної моди в нанокомпозитах із золотими наночастинками. Фотоелектричні дослідження показали збільшення фотоструму СЕ завдяки використанню як наноструктурованого кремнію, так і золотих наночастинок в 1,5 і 7 разів, відповідно. Вольтамперні характеристики СЕ на основі таких нанокомпозитів проаналізовано в термінах безрозмірної чутливості DS = dlgId/dlgU. Дослідження інжекційних властивостей структур показало, що шар клонідіну завжди сприяє інжекції носіїв струму, у той час як наночастинки золота обмежують струм у випадку плоскої поверхні.

У даній роботі порівняно два методи виготовлення композитних провідних плівок, що складаються з одностінних вуглецевих нанотрубок (SWCNT) та PEDOT:PSS, для одержання плівок з високою провідністю та прозорістю для їх використання в структурах сонячних елементів на основі Si. Товщину та оптичні параметри плівок визначали на основі спектральної еліпсометрії у спектральному діапазоні 0,6 - 5,0 еВ. Електрофізичні параметри було одержано за допомогою вимірювань за допомогою 4-зондового методу. Одержані результати показали, що метод пошарового осадження SWCNT та PEDOT:PSS надає змогу одержувати плівки з набагато більшою провідністю (220 - 306 S/cm) у порівнянні зі способом нанесення плівки з їх суміші (6 - 209 S/cm).

Метал-напівпровідникові композитні мікроструктури Au - GaAs було одержано шляхом анізотропного травлення з подальшим фотостимульованим хімічним осадженням благородного металу (Au) на сформовані напівпровідникові квазігратки. Золото наносилося на структуровану поверхню GaAs у вигляді хаотично розміщених наночастинок металу та/або нанодротів на вершинах пагорбів напівпровідникової мікроструктури. Сформовані структури вивчаються за допомогою скануючої електронної мікроскопії, оптичної спектроскопії та фотоелектричних вимірювань. Створені метал-напівпровідникові мікроструктури Au - GaAs є перспективними для застосування в плазмонній фотовольтаїці, що підтверджується поведінкою спектрів фотолюмінесценції та змінами форми спектрів фотоструму.